CVD SiC ครีบ

เนื่องจากอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ยังคงพัฒนาไปสู่รูปทรงที่มีขนาดเล็กลงและระดับการรวมที่สูงขึ้น อุปกรณ์ในกระบวนการผลิตจึงต้องทำงานภายใต้สภาวะที่มีความต้องการเพิ่มมากขึ้น การกัดด้วยพลาสม่า การสะสมขั้นสูง และสภาพแวดล้อมการผลิตที่อุณหภูมิสูงทำให้ส่วนประกอบของห้องต้องเผชิญกับความเครียดจากความร้อนที่รุนแรง ก๊าซปฏิกิริยาที่รุนแรง และการทิ้งระเบิดไอออนพลังงานสูง

เพื่อตอบสนองต่อความท้าทายเหล่านี้ Semicorex ขอเสนอ CVD SiC Fin ซึ่งเป็นส่วนประกอบซิลิกอนคาร์ไบด์แข็งที่มีความหนาแน่นสูงที่ผลิตผ่านเทคโนโลยีการสะสมไอสารเคมี (CVD) ขั้นสูง แตกต่างจากการเคลือบฟิล์มบาง SiC ทั่วไปที่โดยทั่วไปวัดได้เพียงไม่กี่สิบหรือหลายร้อยไมครอน CVD SiC Fin นั้นมีโครงสร้างซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีความหนาแน่นเต็มที่ซึ่งมีความหนามากกว่ามาก โดยมีความหนาตั้งแต่ 500 μm ถึง 10,000 μm

โครงสร้างที่เป็นเอกลักษณ์นี้ช่วยให้มีความทนทานที่เหนือกว่า อายุการใช้งานยาวนานขึ้น และประสิทธิภาพที่โดดเด่นในสภาพแวดล้อมการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์ที่มีความต้องการมากที่สุด

อะไรทำให้ CVD SiC Fin แตกต่าง?

ส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์จำนวนมากอาศัยกราไฟท์ที่เคลือบ SiC หรือการเคลือบ SiC แบบฟิล์มบางในการป้องกัน แม้ว่าโซลูชันเหล่านี้จะทำงานได้ดีในสภาวะกระบวนการปานกลาง แต่การสัมผัสพลาสมาที่รุนแรงและรอบการทำงานที่ขยายออกไปมักต้องการระบบวัสดุที่แข็งแกร่งกว่า

ซีวีดี SiC Fin ผลิตขึ้นโดยใช้ตัวซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีความหนาและมีความบริสุทธิ์สูง แทนที่จะใช้การเคลือบพื้นผิวธรรมดา โครงสร้างผลลัพธ์ให้:

ความหนาของวัสดุมากขึ้นอย่างเห็นได้ชัด

ความสมบูรณ์ของโครงสร้างที่สูงขึ้น

ความต้านทานที่เหนือกว่าต่อการกัดเซาะของพลาสมา

อายุการใช้งานยาวนานขึ้น

ปรับปรุงความเสถียรของมิติ

ลดความเสี่ยงในการปนเปื้อน

ความซับซ้อนในการผลิตมีความหนาส่วนประกอบ ซีวีดี SiCสูงกว่าผลิตภัณฑ์ฟิล์มบางมาตรฐานอย่างมาก โดยเฉพาะอย่างยิ่งเมื่อผลิตรูปทรงที่ซับซ้อนและคุณสมบัติที่แม่นยำ

โครงสร้าง SiC หนาแน่นที่มีความบริสุทธิ์สูง

กระบวนการสะสม CVD ทำให้เกิดวัสดุซิลิกอนคาร์ไบด์ที่มีความหนาแน่นและสม่ำเสมอเป็นพิเศษ โดยมีความพรุนน้อยที่สุดและมีความบริสุทธิ์โดดเด่น

ลักษณะเฉพาะของวัสดุที่สำคัญได้แก่:

• องค์ประกอบ SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูงเป็นพิเศษ
• ความหนาแน่นสูงและความพรุนต่ำ
• ความเฉื่อยทางเคมีที่ดีเยี่ยม
• เสถียรภาพทางความร้อนที่โดดเด่น
• ต้านทานการกัดกร่อนที่เหนือกว่า
• การสร้างอนุภาคต่ำมาก

คุณสมบัติเหล่านี้มีความสำคัญอย่างยิ่งต่อสภาพแวดล้อมในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งการปนเปื้อนของกระบวนการอาจส่งผลโดยตรงต่อประสิทธิภาพของอุปกรณ์และผลผลิต

ประสิทธิภาพที่โดดเด่นในสภาพแวดล้อมพลาสมา

กระบวนการแกะสลักสมัยใหม่จะสร้างพลาสมาสายพันธุ์ที่มีปฏิกิริยาสูงซึ่งสามารถโจมตีวัสดุทั่วไปได้ตลอดเวลา ส่วนประกอบที่สัมผัสกับพลาสมาจะต้องทนต่อการทิ้งระเบิดอย่างต่อเนื่อง ในขณะที่ยังคงรักษาความแม่นยำของมิติและความสมบูรณ์ของพื้นผิว

ซีวีดี SiCครีบให้ความต้านทานเป็นพิเศษต่อ:

เคมีพลาสมาที่ใช้ฟลูออรีน

สภาพแวดล้อมการกัดกรดที่มีคลอรีน

การทิ้งระเบิดด้วยไอออน

การกัดกร่อนของสารเคมี

การปั่นจักรยานด้วยความร้อน

โครงสร้างจุลภาคที่มีความหนาแน่นช่วยลดการเสื่อมสภาพของวัสดุได้อย่างมาก และช่วยรักษาสภาพกระบวนการที่มั่นคงตลอดระยะเวลาการผลิตที่ขยายออกไป

สิ่งนี้ทำให้วัสดุมีคุณค่าอย่างยิ่งในการผลิตวงจรรวมขั้นสูง ซึ่งความสามารถในการทำซ้ำของกระบวนการและเวลาทำงานของอุปกรณ์เป็นสิ่งสำคัญ

ออกแบบมาสำหรับการใช้งานที่มีอุณหภูมิสูงเป็นพิเศษ

นอกเหนือจากการต้านทานพลาสมาแล้ว CVD SiC Fin ยังทำงานได้ดีเป็นพิเศษภายใต้สภาวะความร้อนจัด

ซิลิคอนคาร์ไบด์เป็นที่รู้จักในด้านความสามารถในการรักษาความแข็งแรงเชิงกลและความเสถียรของมิติที่อุณหภูมิซึ่งอาจท้าทายวัสดุทางวิศวกรรมทั่วไปหลายชนิด

ข้อดีได้แก่:

• ทนต่อแรงกระแทกจากความร้อนได้ดีเยี่ยม
• การขยายตัวทางความร้อนต่ำ
• เสถียรภาพทางกลที่อุณหภูมิสูง
• ความต้านทานต่อการเสียรูปจากความร้อน
• ความน่าเชื่อถือในระยะยาวในสภาพแวดล้อมที่รุนแรง

Semicorex มีความเชี่ยวชาญด้านเทคนิคที่จำเป็นในการผลิตส่วนประกอบ CVD SiC ในรูปทรงที่หลากหลาย รวมถึง:

• ครีบ
• แหวน
  
• โล่
• ส่วนประกอบโฟกัส
• องค์ประกอบการกระจายก๊าซ
• สมุทรห้อง
• ชิ้นส่วนหันหน้าไปทางพลาสมาแบบกำหนดเอง

การใช้งานในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์

ส่วนประกอบ CVD SiC Fin ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ โดยเฉพาะอย่างยิ่งในพื้นที่ที่ต้องเผชิญกับสภาวะกระบวนการที่รุนแรง

การใช้งานทั่วไปได้แก่:

ระบบแกะสลักด้วยพลาสม่า

ห้องกัดกรดแบบแห้ง

อุปกรณ์การสะสมสารกึ่งตัวนำ

การผลิตอุปกรณ์ลอจิกขั้นสูง

การผลิตอุปกรณ์หน่วยความจำ

การประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์กำลัง

การผลิตเซมิคอนดักเตอร์แบบผสม