วิธีการสังเคราะห์ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SIC) ที่มีความบริสุทธิ์สูง

ในปัจจุบันวิธีการสังเคราะห์ของผง SIC ที่มีความบริสุทธิ์สูงสำหรับการปลูกผลึกเดี่ยวส่วนใหญ่รวมถึงวิธี CVD และวิธีการสังเคราะห์การแพร่กระจายด้วยตนเองที่ดีขึ้น (หรือที่เรียกว่าวิธีการสังเคราะห์อุณหภูมิสูงหรือวิธีการเผาไหม้) ในหมู่พวกเขาแหล่งที่มาของ SI ของวิธี CVD สำหรับการสังเคราะห์ผง SIC โดยทั่วไปรวมถึงซินและซิลิคอนเตตระคลอไรด์ ฯลฯ และแหล่ง C มักใช้คาร์บอนเตตราคลอไรด์, มีเธน, เอทิลีน, อะเซทิลีนและโพรเพน ฯลฯ

วิธีการสังเคราะห์การแพร่กระจายด้วยตนเองก่อนหน้านี้เป็นวิธีการสังเคราะห์วัสดุโดยการจุดไฟที่ว่างเปล่าของสารตั้งต้นด้วยแหล่งความร้อนภายนอกจากนั้นใช้ความร้อนจากปฏิกิริยาเคมีของสารเองเพื่อให้กระบวนการทำปฏิกิริยาเคมีที่ตามมาดำเนินต่อไปตามธรรมชาติ วิธีการส่วนใหญ่ใช้ผงซิลิกอนและคาร์บอนแบล็กเป็นวัตถุดิบและเพิ่ม activators อื่น ๆ เพื่อตอบสนองโดยตรงด้วยความเร็วที่สำคัญที่ 1,000-1150 ℃เพื่อสร้างผง SIC การแนะนำของ activators ย่อมส่งผลกระทบต่อความบริสุทธิ์และคุณภาพของผลิตภัณฑ์สังเคราะห์อย่างหลีกเลี่ยงไม่ได้ ดังนั้นนักวิจัยหลายคนจึงเสนอวิธีการสังเคราะห์การแพร่กระจายด้วยตนเองที่ดีขึ้นบนพื้นฐานนี้ การปรับปรุงเป็นหลักเพื่อหลีกเลี่ยงการแนะนำตัวกระตุ้นและเพื่อให้แน่ใจว่าปฏิกิริยาการสังเคราะห์จะดำเนินการอย่างต่อเนื่องและมีประสิทธิภาพโดยการเพิ่มอุณหภูมิการสังเคราะห์และการให้ความร้อนอย่างต่อเนื่อง

เมื่ออุณหภูมิของปฏิกิริยาการสังเคราะห์ซิลิกอนคาร์ไบด์เพิ่มขึ้นสีของผงสังเคราะห์จะค่อยๆมืดลง เหตุผลที่เป็นไปได้คืออุณหภูมิที่สูงเกินไปจะทำให้ SIC สลายตัวและความมืดของสีอาจเกิดจากการระเหยของ Si มากเกินไปในผง

นอกจากนี้เมื่ออุณหภูมิการสังเคราะห์คือ 1920 ℃รูปแบบผลึกβ-SIC ที่สังเคราะห์นั้นค่อนข้างดี อย่างไรก็ตามเมื่ออุณหภูมิการสังเคราะห์มากกว่า 2000 ℃สัดส่วนของ C ในผลิตภัณฑ์สังเคราะห์เพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญแสดงให้เห็นว่าเฟสทางกายภาพของผลิตภัณฑ์สังเคราะห์ได้รับผลกระทบจากอุณหภูมิการสังเคราะห์

การทดลองยังพบว่าเมื่ออุณหภูมิการสังเคราะห์เพิ่มขึ้นภายในช่วงอุณหภูมิที่กำหนดขนาดอนุภาคของผง SIC ที่สังเคราะห์ขึ้นก็จะเพิ่มขึ้นเช่นกัน อย่างไรก็ตามเมื่ออุณหภูมิการสังเคราะห์ยังคงเพิ่มขึ้นและสูงกว่าช่วงอุณหภูมิที่แน่นอนขนาดอนุภาคของผง SIC ที่สังเคราะห์จะค่อยๆลดลง เมื่ออุณหภูมิการสังเคราะห์สูงกว่า 2000 ℃ขนาดอนุภาคของผง SIC ที่สังเคราะห์จะมีแนวโน้มที่จะมีค่าคงที่

ข้อเสนอ Semicorexผงซิลิกอนคาร์ไบด์คุณภาพสูงในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ หากคุณมีข้อสงสัยหรือต้องการรายละเอียดเพิ่มเติมโปรดอย่าลังเลที่จะติดต่อเรา

ติดต่อโทรศัพท์ # +86-13567891907

อีเมล: sales@semicorex.com