จีน ซิคเวเฟอร์ ผู้ผลิต ผู้จำหน่าย โรงงาน

วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ชิ้นบางเรียกว่าเวเฟอร์ ซึ่งประกอบด้วยวัสดุผลึกเดี่ยวที่บริสุทธิ์มาก ในกระบวนการของ Czochralski แท่งทรงกระบอกของสารกึ่งตัวนำชนิดโมโนคริสตัลไลน์ที่มีความบริสุทธิ์สูงนั้นทำขึ้นโดยการดึงเมล็ดคริสตัลออกจากการหลอมเหลว

ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) และโพลีไทป์เป็นส่วนหนึ่งของอารยธรรมมนุษย์มาช้านาน ความสนใจทางเทคนิคของสารประกอบที่มีความแข็งและเสถียรนี้ได้รับการยอมรับในปี พ.ศ. 2428 และ พ.ศ. 2435 โดย Cowless และ Acheson เพื่อวัตถุประสงค์ในการบดและการตัด ซึ่งนำไปสู่การผลิตในปริมาณมาก

คุณสมบัติทางกายภาพและเคมีที่ยอดเยี่ยมทำให้ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) เป็นตัวเลือกที่โดดเด่นสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย รวมถึงอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ที่อุณหภูมิสูง กำลังสูง และความถี่สูง ซึ่งเป็นส่วนประกอบโครงสร้างในเครื่องปฏิกรณ์ฟิวชัน วัสดุหุ้มสำหรับระบายความร้อนด้วยแก๊ส เครื่องปฏิกรณ์ฟิชชัน และเมทริกซ์เฉื่อยสำหรับการแปรสภาพของ Pu SiC ชนิดโพลีต่างๆ เช่น 3C, 6H และ 4H ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลาย การฝังไอออนเป็นเทคนิคสำคัญในการคัดเลือกสารเจือปนสำหรับการผลิตอุปกรณ์ Si-based เพื่อสร้าง p-type และ n-type SiC wafers

ลิ่มจากนั้นจะหั่นเป็นแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนคาร์ไบด์ SiC

คุณสมบัติของวัสดุซิลิกอนคาร์ไบด์

SiC เวเฟอร์ประเภทต่างๆ

มีสามประเภท:n-type sic เวเฟอร์, p-ประเภท sic เวเฟอร์และเวเฟอร์ sic กึ่งฉนวนที่มีความบริสุทธิ์สูง. ยาสลบหมายถึงการฝังไอออนที่ทำให้ผลึกซิลิกอนมีสิ่งเจือปน สารเจือปนเหล่านี้ช่วยให้อะตอมของคริสตัลสร้างพันธะไอออนิก ทำให้คริสตัลที่ครั้งหนึ่งเคยอยู่ภายในนั้นอยู่ภายนอก กระบวนการนี้ทำให้เกิดสิ่งเจือปนสองประเภท ประเภท N และประเภท P âtypeâ มันจะกลายเป็นขึ้นอยู่กับวัสดุที่ใช้ในการสร้างปฏิกิริยาเคมี ความแตกต่างระหว่างเวเฟอร์ SiC ชนิด N และชนิด P คือวัสดุหลักที่ใช้สร้างปฏิกิริยาเคมีระหว่างการเติม ขึ้นอยู่กับวัสดุที่ใช้ วงโคจรรอบนอกจะมีอิเล็กตรอนห้าหรือสามตัวซึ่งมีประจุลบ (ชนิด N) และหนึ่งประจุบวก (ชนิด P) ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับวัสดุที่ใช้

เวเฟอร์ SiC ชนิด N ส่วนใหญ่จะใช้ในรถยนต์พลังงานใหม่ การส่งไฟฟ้าแรงสูงและสถานีไฟฟ้าย่อย สินค้าสีขาว รถไฟความเร็วสูง มอเตอร์ อินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ อุปกรณ์จ่ายไฟแบบพัลส์ ฯลฯ พวกเขามีข้อดีในการลดการสูญเสียพลังงานของอุปกรณ์ ปรับปรุง ความน่าเชื่อถือของอุปกรณ์ ลดขนาดอุปกรณ์และปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์ และมีข้อได้เปรียบที่ไม่สามารถถูกแทนที่ได้ในการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลัง

เวเฟอร์ SiC กึ่งฉนวนที่มีความบริสุทธิ์สูงส่วนใหญ่จะใช้เป็นสารตั้งต้นของอุปกรณ์ RF กำลังสูง

Epitaxy - การสะสมไนไตรด์ III-V

ชั้น epitaxial SiC, GaN, AlxGa1-xN และ InyGa1-yN บนพื้นผิว SiC หรือพื้นผิวแซฟไฟร์