พารามิเตอร์หลักของพื้นผิวซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)

พารามิเตอร์ขัดแตะ:การตรวจสอบให้แน่ใจว่าค่าคงที่ของโครงตาข่ายของซับสเตรตตรงกับของชั้นเอพิแทกเซียลที่จะปลูกเป็นสิ่งสำคัญในการลดข้อบกพร่องและความเครียด

ลำดับการซ้อน:โครงสร้างมหภาคของซิซีประกอบด้วยอะตอมของซิลิคอนและคาร์บอนในอัตราส่วน 1:1 อย่างไรก็ตาม การจัดเรียงชั้นอะตอมที่แตกต่างกันส่งผลให้มีโครงสร้างผลึกต่างๆ ดังนั้น,ซิซีจัดแสดงหลายประเภท เช่น3C-SiC, 4H-SiC และ 6H-ซิซีซึ่งสอดคล้องกับลำดับการเรียงซ้อน เช่น ABC, ABCB, ABCACB ตามลำดับ

ความแข็งของโมห์:การกำหนดความแข็งของซับสเตรตถือเป็นสิ่งสำคัญ เนื่องจากจะส่งผลต่อความง่ายในการประมวลผลและความต้านทานการสึกหรอ

ความหนาแน่น:ความหนาแน่นส่งผลต่อความแข็งแรงเชิงกลและคุณสมบัติทางความร้อนของวัสดุพิมพ์.

ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อน:นี่หมายถึงอัตราที่วัสดุพิมพ์ความยาวหรือปริมาตรของวัตถุจะเพิ่มขึ้นสัมพันธ์กับขนาดเดิมเมื่ออุณหภูมิเพิ่มขึ้นหนึ่งองศาเซลเซียส ความเข้ากันได้ของค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อนของซับสเตรตและชั้นเอปิแทกเซียลภายใต้การเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิมีอิทธิพลต่อเสถียรภาพทางความร้อนของอุปกรณ์

ดัชนีการหักเหของแสง:สำหรับการใช้งานด้านการมองเห็น ดัชนีการหักเหของแสงเป็นพารามิเตอร์ที่สำคัญในการออกแบบอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์

ค่าคงที่อิเล็กทริก:สิ่งนี้ส่งผลต่อคุณสมบัติความจุของอุปกรณ์

การนำความร้อน:สิ่งสำคัญสำหรับการใช้งานที่มีกำลังสูงและอุณหภูมิสูง การนำความร้อนมีอิทธิพลต่อประสิทธิภาพการทำความเย็นของอุปกรณ์

ช่องว่างวง:band-gap แสดงถึงความแตกต่างของพลังงานระหว่างด้านบนของแถบเวเลนซ์และด้านล่างของแถบการนำไฟฟ้าในวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ ความแตกต่างของพลังงานนี้กำหนดว่าอิเล็กตรอนสามารถเปลี่ยนจากแถบเวเลนซ์เป็นแถบการนำไฟฟ้าได้หรือไม่ วัสดุที่มีช่องว่างแถบกว้างต้องใช้พลังงานมากขึ้นเพื่อกระตุ้นการเปลี่ยนอิเล็กตรอน

สนามไฟฟ้าพังทลาย:นี่คือแรงดันไฟฟ้าสูงสุดที่วัสดุเซมิคอนดักเตอร์สามารถทนได้

ความเร็วดริฟท์ความอิ่มตัว:นี่หมายถึงความเร็วเฉลี่ยสูงสุดที่ตัวพาประจุสามารถบรรลุได้ในวัสดุเซมิคอนดักเตอร์เมื่ออยู่ภายใต้สนามไฟฟ้า เมื่อความแรงของสนามไฟฟ้าเพิ่มขึ้นถึงระดับหนึ่ง ความเร็วของพาหะจะไม่เพิ่มขึ้นอีกต่อไปเมื่อเพิ่มขึ้นในสนามอีก จนไปถึงสิ่งที่เรียกว่าความเร็วดริฟท์ของความอิ่มตัว-

Semicorex นำเสนอส่วนประกอบคุณภาพสูงสำหรับพื้นผิว SiC หากคุณมีข้อสงสัยหรือต้องการรายละเอียดเพิ่มเติม โปรดอย่าลังเลที่จะติดต่อเรา