Infineon เปิดตัวเวเฟอร์ GaN ขนาด 300 มม. ตัวแรกของโลก

เมื่อเร็วๆ นี้ Infineon Technologies ได้ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาเทคโนโลยีเวเฟอร์ Gallium Nitride (GaN) ขนาด 300 มม. ตัวแรกของโลก สิ่งนี้ทำให้พวกเขาเป็นบริษัทแรกที่เชี่ยวชาญเทคโนโลยีที่ก้าวล้ำนี้ และบรรลุการผลิตจำนวนมากภายในสภาพแวดล้อมการผลิตขนาดใหญ่และมีกำลังการผลิตสูงที่มีอยู่ นวัตกรรมนี้ถือเป็นความก้าวหน้าครั้งสำคัญในตลาดเซมิคอนดักเตอร์กำลังที่ใช้ GaN

เทคโนโลยี 300 มม. เปรียบเทียบกับเทคโนโลยี 200 มม. อย่างไร

Compared to 200mm technology, employing 300mm wafers allows for the production of 2.3 times more GaN chips per wafer, significantly enhancing production efficiency and output. This breakthrough not only consolidates Infineon’s leadership in the power systems field but also accelerates the rapid development of GaN technology.

CEO ของ Infineon พูดอะไรเกี่ยวกับความสำเร็จนี้

Jochen Hanebeck ซีอีโอของ Infineon Technologies กล่าวว่า "ความสำเร็จอันน่าทึ่งนี้แสดงให้เห็นถึงความแข็งแกร่งที่แข็งแกร่งในด้านนวัตกรรมของเรา และเป็นเครื่องพิสูจน์ถึงความพยายามอย่างไม่หยุดยั้งของทีมงานระดับโลกของเรา เราเชื่อมั่นอย่างยิ่งว่าความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีนี้จะปรับเปลี่ยนบรรทัดฐานของอุตสาหกรรมและปลดล็อกศักยภาพสูงสุดของเทคโนโลยี GaN เกือบหนึ่งปีหลังจากที่เราเข้าซื้อกิจการ GaN Systems เรากำลังแสดงให้เห็นอีกครั้งถึงความมุ่งมั่นของเราที่จะเป็นผู้นำในตลาด GaN ที่เติบโตอย่างรวดเร็ว ในฐานะผู้นำด้านระบบไฟฟ้า Infineon มีความได้เปรียบในการแข่งขันในด้านวัสดุหลักสามประเภท ได้แก่ ซิลิคอน ซิลิคอนคาร์ไบด์ และ GaN”

Jochen Hanebeck ซีอีโอของ Infineon ถือเป็นหนึ่งในเวเฟอร์ GaN Power ขนาด 300 มม. แรกของโลกที่ผลิตในสภาพแวดล้อมการผลิตปริมาณสูงที่มีอยู่และปรับขนาดได้

เหตุใดเทคโนโลยี GaN ขนาด 300 มม. จึงได้เปรียบ

ข้อได้เปรียบที่สำคัญประการหนึ่งของเทคโนโลยี GaN ขนาด 300 มม. คือสามารถผลิตได้โดยใช้อุปกรณ์การผลิตซิลิคอนขนาด 300 มม. ที่มีอยู่ เนื่องจาก GaN และซิลิคอนมีความคล้ายคลึงกันในกระบวนการผลิต ฟีเจอร์นี้ช่วยให้ Infineon ผสานรวมเทคโนโลยี GaN เข้ากับระบบการผลิตปัจจุบันได้อย่างราบรื่น ซึ่งจะช่วยเร่งการนำเทคโนโลยีไปใช้และประยุกต์ใช้

Infineon ประสบความสำเร็จในการผลิตเวเฟอร์ GaN ขนาด 300 มม. ที่ไหน

ปัจจุบัน Infineon ประสบความสำเร็จในการผลิตเวเฟอร์ GaN ขนาด 300 มม. บนสายการผลิตซิลิคอนขนาด 300 มม. ที่มีอยู่ในโรงไฟฟ้าของบริษัทในเมือง Villach ประเทศออสเตรีย จากรากฐานที่จัดตั้งขึ้นของเทคโนโลยี GaN 200 มม. และการผลิตซิลิคอน 300 มม. บริษัทได้ขยายขีดความสามารถด้านเทคโนโลยีและการผลิตเพิ่มเติม

ความก้าวหน้าครั้งนี้มีความหมายต่ออนาคตอย่างไร?

ความก้าวหน้าครั้งนี้ไม่เพียงเน้นย้ำถึงจุดแข็งของ Infineon ในด้านนวัตกรรมและความสามารถในการผลิตขนาดใหญ่เท่านั้น แต่ยังวางรากฐานที่มั่นคงสำหรับการพัฒนาอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ในอนาคตอีกด้วย ในขณะที่เทคโนโลยี GaN ยังคงพัฒนาต่อไป Infineon จะยังคงขับเคลื่อนการเติบโตของตลาดต่อไป พร้อมยกระดับตำแหน่งผู้นำในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ระดับโลกให้ดียิ่งขึ้น**