> ข่าว > ข่าวอุตสาหกรรม

ข่าวอุตสาหกรรม

การหลอม

การหลอมหลังจากการฝังไอออนเป็นขั้นตอนสำคัญในการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งส่งผลต่อประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือของอุปกรณ์

อ่านเพิ่มเติม

การเจริญเติบโตของผลึก AlN โดยวิธี PVT

วัสดุเซมิคอนดักเตอร์แบบแถบความถี่กว้างรุ่นที่สาม รวมถึงแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) และอะลูมิเนียมไนไตรด์ (AlN) มีคุณสมบัติทางไฟฟ้า ความร้อน และอะคูสติกออปติกที่ดีเยี่ยม วัสดุเหล่านี้แก้ไขข้อจำกัดของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์รุ่นแรกและรุ่นที่สอง ซึ่งช่วยพัฒนาอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์อย่างมี......

อ่านเพิ่มเติม

เทคโนโลยีการแกะสลักแบบคัดเลือก SiGe และ Si

ขั้นตอนสำคัญในการประดิษฐ์ GAAFET ชนิด n เกี่ยวข้องกับการแกะสลักแบบเลือกสรรสูงของสแต็ก SiGe: Si ก่อนที่จะมีการทับถมของสเปเซอร์ภายใน สร้างนาโนชีตซิลิคอนและปล่อยช่อง

อ่านเพิ่มเติม

SiGe ในการผลิตชิป: รายงานข่าวระดับมืออาชีพ

เพื่อตอบสนองความต้องการประสิทธิภาพสูงและการใช้พลังงานต่ำในขอบเขตของเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์สมัยใหม่ SiGe (ซิลิคอนเจอร์เมเนียม) จึงกลายเป็นวัสดุคอมโพสิตที่เลือกใช้ในการผลิตชิปเซมิคอนดักเตอร์เนื่องจากคุณสมบัติทางกายภาพและทางไฟฟ้าที่เป็นเอกลักษณ์

อ่านเพิ่มเติม

หน่วยในเซมิคอนดักเตอร์: อังสตรอม

อังสตรอม (Å) เป็นหน่วยวัดความยาวที่แพร่หลายในการผลิตวงจรรวม ตั้งแต่การควบคุมความหนาของวัสดุที่แม่นยำไปจนถึงการย่อขนาดและการปรับขนาดอุปกรณ์ให้เหมาะสม ความเข้าใจและการประยุกต์ใช้มาตราส่วนอังสตรอมเป็นหัวใจหลักในการรับประกันการพัฒนาเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์อย่างต่อเนื่อง

อ่านเพิ่มเติม

เกือบ 840 ล้านเหรียญสหรัฐ: Onsemi เข้าซื้อกิจการบริษัท SiC

วันนี้ Onsemi ได้ประกาศบนเว็บไซต์อย่างเป็นทางการว่า บริษัทได้บรรลุข้อตกลงกับ Qorvo เพื่อซื้อธุรกิจเทคโนโลยี SiC JFET และบริษัทในเครือของ Qorvo

อ่านเพิ่มเติม

<...3 4 5 6 7...29 >