ในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ชั้นอีปิแอกเซียลมีบทบาทสำคัญในการสร้างฟิล์มบางผลึกเดี่ยวที่เฉพาะเจาะจงบนซับสเตรตเวเฟอร์ ซึ่งเรียกรวมกันว่าเวเฟอร์เอพิเทเชียล โดยเฉพาะอย่างยิ่ง ชั้นเอปิเทกเซียลของซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ที่ปลูกบนพื้นผิว SiC ที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าจะผลิตเวเฟอร์เอพิแทกเซียล SiC ที่เป็นเนื้อเดีย......
อ่านเพิ่มเติมในปัจจุบัน ผู้ผลิตซับสเตรต SiC ส่วนใหญ่ใช้การออกแบบกระบวนการสนามความร้อนในถ้วยใส่ตัวอย่างแบบใหม่ที่มีกระบอกกราไฟท์ที่มีรูพรุน โดยการวางวัตถุดิบอนุภาค SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูงระหว่างผนังเบ้าหลอมกราไฟท์และกระบอกกราไฟท์ที่มีรูพรุน ในขณะเดียวกันก็ทำให้เบ้าหลอมทั้งหมดลึกขึ้นและเพิ่มเส้นผ่านศูนย์กลางของเ......
อ่านเพิ่มเติมการเติบโตแบบอีพิโทแอกเซียลหมายถึงกระบวนการของการเติบโตของชั้นโมโนคริสตัลไลน์ที่ได้รับการจัดลำดับอย่างดีทางผลึกศาสตร์บนพื้นผิว โดยทั่วไปแล้ว การเจริญเติบโตของเยื่อบุผิวเกี่ยวข้องกับการเพาะเลี้ยงชั้นคริสตัลบนพื้นผิวที่เป็นผลึกเดี่ยว โดยชั้นที่โตแล้วจะมีการวางแนวผลึกศาสตร์แบบเดียวกันกับซับสเตรตดั้งเดิม......
อ่านเพิ่มเติมการสะสมไอสารเคมี (CVD) หมายถึงเทคโนโลยีกระบวนการที่ตัวทำปฏิกิริยาที่เป็นก๊าซหลายชนิดที่ความดันบางส่วนที่แตกต่างกันจะเกิดปฏิกิริยาทางเคมีภายใต้สภาวะอุณหภูมิและความดันเฉพาะ สารของแข็งที่เกิดขึ้นจะสะสมบนพื้นผิวของวัสดุซับสเตรต ดังนั้นจึงได้ฟิล์มบางที่ต้องการ ในกระบวนการผลิตวงจรรวมแบบดั้งเดิม วัสดุฟิล์ม......
อ่านเพิ่มเติมในขณะที่การยอมรับทั่วโลกของรถยนต์ไฟฟ้าเพิ่มมากขึ้น ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) จะพบกับโอกาสการเติบโตใหม่ในทศวรรษหน้า เป็นที่คาดหวังว่าผู้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์กำลังและผู้ปฏิบัติงานในอุตสาหกรรมยานยนต์จะมีส่วนร่วมอย่างแข็งขันมากขึ้นในการสร้างห่วงโซ่คุณค่าของภาคส่วนนี้
อ่านเพิ่มเติม