ระบบรับลำกล้อง Epi

Semicorex Barrel Susceptor Epi System เป็นผลิตภัณฑ์คุณภาพสูงที่ให้การยึดเกาะของการเคลือบที่เหนือกว่า มีความบริสุทธิ์สูง และต้านทานการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง รูปแบบการระบายความร้อนที่สม่ำเสมอ รูปแบบการไหลของก๊าซแบบลามิเนต และการป้องกันการปนเปื้อน ทำให้เป็นตัวเลือกที่เหมาะสมที่สุดสำหรับการเติบโตของชั้น epixial บนชิปเวเฟอร์ ความคุ้มค่าและความสามารถในการปรับแต่งทำให้เป็นผลิตภัณฑ์ที่มีการแข่งขันสูงในตลาด

ส่งคำถาม

รายละเอียดสินค้า

ระบบ Barrel Susceptor Epi ของเราเป็นผลิตภัณฑ์ที่เป็นนวัตกรรมขั้นสูงที่ให้ประสิทธิภาพการระบายความร้อนที่ดีเยี่ยม แม้กระทั่งโปรไฟล์ด้านความร้อน และการยึดเกาะของการเคลือบที่เหนือกว่า มีความบริสุทธิ์สูง ทนต่อการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง และทนต่อการกัดกร่อน ทำให้เป็นผลิตภัณฑ์ที่มีความน่าเชื่อถือสูงสำหรับใช้ในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ การป้องกันการปนเปื้อนและสิ่งสกปรกและความต้องการการบำรุงรักษาต่ำทำให้เป็นผลิตภัณฑ์ที่มีการแข่งขันสูงในตลาด
ที่ Semicorex เรามุ่งเน้นในการนำเสนอผลิตภัณฑ์คุณภาพสูงและคุ้มค่าแก่ลูกค้าของเรา ระบบ Barrel Susceptor Epi ของเรามีข้อได้เปรียบด้านราคาและมีการส่งออกไปยังตลาดยุโรปและอเมริกาหลายแห่ง เรามุ่งมั่นที่จะเป็นพันธมิตรระยะยาวของคุณ นำเสนอผลิตภัณฑ์ที่มีคุณภาพสม่ำเสมอและการบริการลูกค้าที่เป็นเลิศ
ติดต่อเราวันนี้เพื่อเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ Barrel Susceptor Epi System ของเรา

พารามิเตอร์ของระบบ Barrel Susceptor Epi

ข้อมูลจำเพาะหลักของการเคลือบ CVD-SIC
คุณสมบัติ SiC-CVD
โครงสร้างคริสตัล	เฟส FCC β
ความหนาแน่น	กรัม/ซม. ³	3.21
ความแข็ง	ความแข็งของวิคเกอร์	2500
ขนาดเกรน	ไมโครเมตร	2~10
ความบริสุทธิ์ของสารเคมี	%	99.99995
ความจุความร้อน	เจ กก-1 K-1	640
อุณหภูมิระเหิด	℃	2700
ความแข็งแกร่งของเฟล็กซ์เจอร์	MPa (RT 4 จุด)	415
โมดูลัสของยัง	เกรดเฉลี่ย (โค้ง 4 พอยต์, 1300°C)	430
การขยายความร้อน (C.T.E)	10-6K-1	4.5
การนำความร้อน	(W/mK)	300

คุณสมบัติของระบบ Barrel Suceptor Epi

- ทั้งสารตั้งต้นกราไฟท์และชั้นซิลิคอนคาร์ไบด์มีความหนาแน่นที่ดีและสามารถมีบทบาทในการป้องกันที่ดีในสภาพแวดล้อมการทำงานที่มีอุณหภูมิสูงและกัดกร่อน

- ตัวรับเคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์ที่ใช้สำหรับการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยวมีความเรียบของพื้นผิวที่สูงมาก

- ลดความแตกต่างของค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนระหว่างพื้นผิวกราไฟท์และชั้นซิลิคอนคาร์ไบด์ ปรับปรุงความแข็งแรงพันธะได้อย่างมีประสิทธิภาพเพื่อป้องกันการแตกร้าวและการหลุดร่อน

- ทั้งซับสเตรตกราไฟท์และชั้นซิลิกอนคาร์ไบด์มีค่าการนำความร้อนสูงและมีคุณสมบัติการกระจายความร้อนที่ดีเยี่ยม

- มีจุดหลอมเหลวสูง ทนต่อการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง ทนต่อการกัดกร่อน