ตัวรับถังเคลือบ SiC อุณหภูมิสูง

Semicorex High-Temperature SiC-Coated Barrel Susceptor เป็นตัวเลือกที่สมบูรณ์แบบสำหรับการเติบโตของผลึกเดี่ยวและการใช้งานด้านการผลิตเซมิคอนดักเตอร์อื่นๆ ที่ต้องการความต้านทานความร้อนและการกัดกร่อนสูง การเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ให้คุณสมบัติการป้องกันและการกระจายความร้อนที่เหนือกว่า ทำให้มั่นใจได้ถึงประสิทธิภาพที่เชื่อถือได้และสม่ำเสมอแม้ในสภาพแวดล้อมที่ท้าทายที่สุด

ที่ Semicorex เรามุ่งเน้นที่การจัดหาตัวรับถังเคลือบ SiC อุณหภูมิสูงคุณภาพสูงและคุ้มค่าคุ้มราคา เราให้ความสำคัญกับความพึงพอใจของลูกค้าและจัดหาโซลูชันที่คุ้มต้นทุน เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้เป็นพันธมิตรระยะยาวของคุณ นำเสนอผลิตภัณฑ์คุณภาพสูงและการบริการลูกค้าที่เป็นเลิศ

พารามิเตอร์ของ Susceptor บาร์เรลเคลือบ SiC อุณหภูมิสูง

คุณลักษณะของ Susceptor ถังเคลือบ SiC อุณหภูมิสูง

- ทั้งสารตั้งต้นกราไฟท์และชั้นซิลิคอนคาร์ไบด์มีความหนาแน่นที่ดีและสามารถมีบทบาทในการป้องกันที่ดีในสภาพแวดล้อมการทำงานที่มีอุณหภูมิสูงและกัดกร่อน

- ตัวรับเคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์ที่ใช้สำหรับการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยวมีความเรียบของพื้นผิวที่สูงมาก

- ลดความแตกต่างของค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนระหว่างพื้นผิวกราไฟท์และชั้นซิลิคอนคาร์ไบด์ ปรับปรุงความแข็งแรงพันธะได้อย่างมีประสิทธิภาพเพื่อป้องกันการแตกร้าวและการหลุดร่อน

- ทั้งซับสเตรตกราไฟท์และชั้นซิลิกอนคาร์ไบด์มีค่าการนำความร้อนสูงและมีคุณสมบัติการกระจายความร้อนที่ดีเยี่ยม

- มีจุดหลอมเหลวสูง ทนต่อการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง ทนต่อการกัดกร่อน