บ้าน > สินค้า > เคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ > ตัวรับบาร์เรล > Barrel Susceptor พร้อมการเคลือบ SiC ในเซมิคอนดักเตอร์
สินค้า
Barrel Susceptor พร้อมการเคลือบ SiC ในเซมิคอนดักเตอร์

Barrel Susceptor พร้อมการเคลือบ SiC ในเซมิคอนดักเตอร์

หากคุณกำลังมองหาตัวรับกราไฟต์คุณภาพสูงที่เคลือบด้วย SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูง ตัวรับแบบบาร์เรล Semicorex พร้อมการเคลือบ SiC ในเซมิคอนดักเตอร์คือตัวเลือกที่สมบูรณ์แบบ คุณสมบัติการนำความร้อนและการกระจายความร้อนที่ยอดเยี่ยมทำให้เหมาะสำหรับใช้ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์

ส่งคำถาม

รายละเอียดสินค้า

Semicorex Barrel Susceptor พร้อมการเคลือบ SiC ในเซมิคอนดักเตอร์เป็นผลิตภัณฑ์กราไฟท์คุณภาพระดับพรีเมียมที่เคลือบด้วย SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูง ทำให้เป็นตัวเลือกที่เหมาะสำหรับใช้ในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงและมีฤทธิ์กัดกร่อน ความหนาแน่นและการนำความร้อนที่ดีเยี่ยมทำให้มีการกระจายความร้อนและการป้องกันที่ยอดเยี่ยมในการใช้งานด้านการผลิตเซมิคอนดักเตอร์
ที่ Semicorex เรามุ่งเน้นในการนำเสนอผลิตภัณฑ์คุณภาพสูงและคุ้มค่าแก่ลูกค้าของเรา Barrel Susceptor ของเราพร้อมการเคลือบ SiC ในเซมิคอนดักเตอร์มีข้อได้เปรียบด้านราคาและส่งออกไปยังตลาดยุโรปและอเมริกาหลายแห่ง เรามุ่งมั่นที่จะเป็นพันธมิตรระยะยาวของคุณ นำเสนอผลิตภัณฑ์ที่มีคุณภาพสม่ำเสมอและการบริการลูกค้าที่เป็นเลิศ


พารามิเตอร์ของ Barrel Susceptor พร้อมการเคลือบ SiC ในเซมิคอนดักเตอร์

ข้อมูลจำเพาะหลักของการเคลือบ CVD-SIC

คุณสมบัติ SiC-CVD

โครงสร้างคริสตัล

เฟส FCC β

ความหนาแน่น

กรัม/ซม. ³

3.21

ความแข็ง

ความแข็งของวิคเกอร์

2500

ขนาดเกรน

ไมโครเมตร

2~10

ความบริสุทธิ์ของสารเคมี

%

99.99995

ความจุความร้อน

เจ กก-1 K-1

640

อุณหภูมิระเหิด

2700

ความแข็งแกร่งของเฟล็กซ์เจอร์

MPa (RT 4 จุด)

415

โมดูลัสของยัง

เกรดเฉลี่ย (โค้ง 4 พอยต์, 1300°C)

430

การขยายตัวทางความร้อน (C.T.E)

10-6K-1

4.5

การนำความร้อน

(W/mK)

300


คุณสมบัติของ Barrel Susceptor พร้อมการเคลือบ SiC ในเซมิคอนดักเตอร์

- ทั้งสารตั้งต้นกราไฟท์และชั้นซิลิคอนคาร์ไบด์มีความหนาแน่นที่ดีและสามารถมีบทบาทในการป้องกันที่ดีในสภาพแวดล้อมการทำงานที่มีอุณหภูมิสูงและกัดกร่อน

- ตัวรับเคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์ที่ใช้สำหรับการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยวมีความเรียบของพื้นผิวที่สูงมาก

- ลดความแตกต่างของค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนระหว่างพื้นผิวกราไฟท์และชั้นซิลิคอนคาร์ไบด์ ปรับปรุงความแข็งแรงพันธะได้อย่างมีประสิทธิภาพเพื่อป้องกันการแตกร้าวและการหลุดร่อน

- ทั้งซับสเตรตกราไฟท์และชั้นซิลิกอนคาร์ไบด์มีค่าการนำความร้อนสูงและมีคุณสมบัติการกระจายความร้อนที่ดีเยี่ยม

- มีจุดหลอมเหลวสูง ทนต่อการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง ทนต่อการกัดกร่อน




แท็กยอดนิยม: Barrel Susceptor พร้อมการเคลือบ SiC ในเซมิคอนดักเตอร์, จีน, ผู้ผลิต, ซัพพลายเออร์, โรงงาน, ปรับแต่ง, จำนวนมาก, ขั้นสูง, ทนทาน
หมวดหมู่ที่เกี่ยวข้อง
ส่งคำถาม
โปรดส่งคำถามของคุณในแบบฟอร์มด้านล่าง เราจะตอบกลับคุณภายใน 24 ชั่วโมง
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept