> ข่าว

ข่าว

ออกซิเดชันในการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์

กระบวนการออกซิเดชันมีบทบาทสำคัญในการป้องกันปัญหาดังกล่าวโดยการสร้างชั้นป้องกันบนแผ่นเวเฟอร์หรือที่เรียกว่าชั้นออกไซด์ ซึ่งทำหน้าที่เป็นตัวกั้นระหว่างสารเคมีต่างๆ

อ่านเพิ่มเติม

การวิเคราะห์การใช้งานและแนวโน้มการพัฒนาของเซรามิก SiC ในภาคเซมิคอนดักเตอร์และไฟฟ้าโซลาร์เซลล์

ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ซึ่งเป็นวัสดุเซรามิกระดับไฮเอนด์ที่สำคัญ มีคุณสมบัติที่ดีเยี่ยม เช่น ทนต่ออุณหภูมิสูง ทนต่อการกัดกร่อน ทนต่อการสึกหรอ ความแข็งแรงทางกลที่อุณหภูมิสูง และความต้านทานต่อออกซิเดชัน คุณสมบัติเหล่านี้ทำให้มีแนวโน้มสูงสำหรับการใช้งานในสาขาเทคโนโลยีขั้นสูง เช่น เซมิคอนดักเตอร์ พลังงานน......

อ่านเพิ่มเติม

เหตุใดจึงเลือกการเผาผนึกแบบไร้แรงดันสำหรับการเตรียมเซรามิก SiC

อุณหภูมิการสังเคราะห์ที่สูงเป็นพิเศษและความยากลำบากในการเผาเซรามิก SiC ที่หนาแน่นได้จำกัดการพัฒนา กระบวนการเผาผนึกถือเป็นสิ่งสำคัญสำหรับเซรามิก SiC

อ่านเพิ่มเติม

ซิลิคอนไนไตรด์คืออะไร

ซิลิคอนไนไตรด์ (Si3N4) เป็นวัสดุสำคัญในการพัฒนาเซรามิกโครงสร้างขั้นสูงที่มีอุณหภูมิสูง

อ่านเพิ่มเติม

ทำความเข้าใจความแตกต่างในการกัดระหว่างเวเฟอร์ซิลิคอนและซิลิคอนคาร์ไบด์

กระบวนการแกะสลัก: ซิลิคอนกับซิลิคอนคาร์ไบด์

อ่านเพิ่มเติม

เทคนิคพิเศษในการเตรียมเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์

วัสดุเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) มีคุณสมบัติที่ดีเยี่ยมหลายประการ รวมถึงความแข็งแรงที่อุณหภูมิสูง ความต้านทานต่อการเกิดออกซิเดชันอย่างแรง ความต้านทานการสึกหรอที่เหนือกว่า ความเสถียรทางความร้อน ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนต่ำ การนำความร้อนสูง ความแข็งสูง ความต้านทานการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่า......

อ่านเพิ่มเติม

<...11 12 13 14 15...37 >