> ข่าว

ข่าว

ขั้นตอนหลักในการประมวลผลสารตั้งต้น SiC

การประมวลผลซับสเตรต 4H-SiC มีขั้นตอนต่อไปนี้เป็นหลัก:

พารามิเตอร์หลักของพื้นผิวซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)

กระบวนการผลิตซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ครอบคลุมการเตรียมซับสเตรตและเอพิแทกซีจากด้านวัสดุ ตามด้วยการออกแบบและการผลิตชิป บรรจุภัณฑ์ของอุปกรณ์ และสุดท้ายคือการกระจายไปยังตลาดการใช้งานขั้นปลายน้ำ ในขั้นตอนเหล่านี้ การประมวลผลวัสดุซับสเตรตถือเป็นส่วนที่ท้าทายที่สุดของอุตสาหกรรม SiC พื้นผิว SiC มีทั้งแข็งและเ......

อ่านเพิ่มเติม

เตาเจริญเติบโตของคริสตัลซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)

การเติบโตของคริสตัลคือจุดเชื่อมโยงหลักในการผลิตซับสเตรตซิลิคอนคาร์ไบด์ และอุปกรณ์หลักคือเตาเติบโตของคริสตัล คล้ายกับเตาเติบโตคริสตัลเกรดซิลิคอนแบบผลึกแบบดั้งเดิม โครงสร้างเตาไม่ซับซ้อนมากนักและส่วนใหญ่ประกอบด้วยตัวเตา ระบบทำความร้อน กลไกการส่งผ่านขดลวด ระบบการรับและการวัดสุญญากาศ ระบบเส้นทางก๊าซ ระบ......

อ่านเพิ่มเติม

ความท้าทายในการใช้งานและการพัฒนาส่วนประกอบกราไฟท์เคลือบ TaC

วัสดุเซมิคอนดักเตอร์แบบแถบความถี่กว้างรุ่นที่สาม เช่น แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) และซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) มีชื่อเสียงในด้านการแปลงออปโตอิเล็กทรอนิกส์และความสามารถในการส่งสัญญาณไมโครเวฟที่ยอดเยี่ยม วัสดุเหล่านี้ตอบสนองความต้องการอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง อุณหภูมิสูง กำลังสูง และทนต่อรังสี ดังนั้น พว......

อ่านเพิ่มเติม

การใช้งานซิลิคอนคาร์ไบด์

ซิลิคอนคาร์ไบด์มีการใช้งานจำนวนมากในอุตสาหกรรมเกิดใหม่และอุตสาหกรรมแบบดั้งเดิม ปัจจุบันตลาดเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลกมีมูลค่าเกิน 100 พันล้านหยวน คาดว่าภายในปี 2568 ยอดขายวัสดุการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลกจะสูงถึง 39.5 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ โดยคาดว่าตลาดเซมิคอนดักเตอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์จะมีขนาดตลาดถึง 2.5 พั......

อ่านเพิ่มเติม

เรือ SiC คืออะไร และกระบวนการผลิตต่างๆ มีอะไรบ้าง

เรือ SiC ย่อมาจาก เรือซิลิคอนคาร์ไบด์ เป็นอุปกรณ์เสริมที่ทนต่ออุณหภูมิสูงที่ใช้ในท่อเตาเผาเพื่อบรรทุกเวเฟอร์ในระหว่างการประมวลผลที่อุณหภูมิสูง เนื่องจากคุณสมบัติที่โดดเด่นของซิลิคอนคาร์ไบด์ เช่น ความต้านทานต่ออุณหภูมิสูง การกัดกร่อนของสารเคมี และความเสถียรทางความร้อนที่ดีเยี่ยม เรือ SiC จึงถูกนำมาใช......

อ่านเพิ่มเติม

<...13 14 15 16 17...30 >