- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
ข่าวอุตสาหกรรม
บทบาทที่สำคัญของพื้นผิว SiC และการเติบโตของคริสตัลในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์
ภายในห่วงโซ่อุตสาหกรรมซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) ซัพพลายเออร์ซับสเตรตมีข้อได้เปรียบที่สำคัญ สาเหตุหลักมาจากการกระจายมูลค่า วัสดุซับสเตรต SiC คิดเป็น 47% ของมูลค่าทั้งหมด ตามด้วยชั้นเอพิแทกเซียลที่ 23% ในขณะที่การออกแบบและการผลิตอุปกรณ์คิดเป็น 30% ที่เหลือ ห่วงโซ่คุณค่าแบบกลับด้านนี้เกิดขึ้นจากอุปสรรคทางเ......
อ่านเพิ่มเติม
การใช้ SiC และ GaN ในรถยนต์ไฟฟ้า
SiC MOSFET เป็นทรานซิสเตอร์ที่ให้ความหนาแน่นของพลังงานสูง ประสิทธิภาพที่ดีขึ้น และมีอัตราความล้มเหลวต่ำที่อุณหภูมิสูง ข้อดีของ SiC MOSFET เหล่านี้ให้ประโยชน์มากมายแก่รถยนต์ไฟฟ้า (EV) รวมถึงระยะการขับขี่ที่ยาวขึ้น การชาร์จที่เร็วขึ้น และอาจลดต้นทุนของรถยนต์ไฟฟ้า (BEV) ที่ใช้แบตเตอรี่ ในช่วงห้าปีที่ผ่......
อ่านเพิ่มเติม
เซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่ 4 แกลเลียมออกไซด์/β-Ga2O3
วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ยุคแรกส่วนใหญ่จะประกอบด้วยซิลิคอน (Si) และเจอร์เมเนียม (Ge) ซึ่งเริ่มมีเพิ่มขึ้นในทศวรรษปี 1950 เจอร์เมเนียมมีความโดดเด่นในสมัยแรกๆ และส่วนใหญ่ใช้ในทรานซิสเตอร์และเครื่องตรวจจับแสงที่มีแรงดันไฟฟ้าต่ำ ความถี่ต่ำ และกำลังปานกลาง แต่เนื่องจากทนทานต่ออุณหภูมิสูงและต้านทานรังสีได้ไม่ด......
อ่านเพิ่มเติม
การเจริญเติบโตของเยื่อบุผิวโดยปราศจากข้อบกพร่องและการเคลื่อนตัวที่ไม่เหมาะสม
การเจริญเติบโตของเยื่อบุผิวที่ปราศจากข้อบกพร่องเกิดขึ้นเมื่อโครงผลึกอันหนึ่งมีค่าคงที่ของโครงตาข่ายที่เกือบจะเหมือนกันกับอีกอันหนึ่ง การเติบโตเกิดขึ้นเมื่อไซต์ขัดแตะของขัดแตะทั้งสองที่บริเวณส่วนต่อประสานใกล้เคียงกันโดยประมาณ ซึ่งเป็นไปได้ด้วยความไม่ตรงกันเล็กน้อย (น้อยกว่า 0.1%) การจับคู่โดยประมาณนี......
อ่านเพิ่มเติม
