> ข่าว

ข่าว

ทำความเข้าใจความแตกต่างในการกัดระหว่างเวเฟอร์ซิลิคอนและซิลิคอนคาร์ไบด์

กระบวนการแกะสลัก: ซิลิคอนกับซิลิคอนคาร์ไบด์

เทคนิคพิเศษในการเตรียมเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์

วัสดุเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) มีคุณสมบัติที่ดีเยี่ยมหลายประการ รวมถึงความแข็งแรงที่อุณหภูมิสูง ความต้านทานต่อการเกิดออกซิเดชันอย่างแรง ความต้านทานการสึกหรอที่เหนือกว่า ความเสถียรทางความร้อน ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนต่ำ การนำความร้อนสูง ความแข็งสูง ความต้านทานการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่า......

อ่านเพิ่มเติม

หัวจับไฟฟ้าสถิต (ESC) คืออะไร?

ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ ความแม่นยำและความเสถียรของกระบวนการแกะสลักเป็นสิ่งสำคัญยิ่ง ปัจจัยสำคัญประการหนึ่งในการบรรลุการแกะสลักคุณภาพสูงคือ การทำให้แน่ใจว่าเวเฟอร์จะราบเรียบบนถาดอย่างสมบูรณ์ในระหว่างกระบวนการ

อ่านเพิ่มเติม

GaN และ SiC: การอยู่ร่วมกันหรือการทดแทน?

การผลักดันให้มีความหนาแน่นและประสิทธิภาพของพลังงานที่สูงขึ้นได้กลายเป็นตัวขับเคลื่อนหลักของนวัตกรรมในหลายอุตสาหกรรม รวมถึงศูนย์ข้อมูล พลังงานหมุนเวียน เครื่องใช้ไฟฟ้า ยานพาหนะไฟฟ้า และเทคโนโลยีการขับขี่อัตโนมัติ ในขอบเขตของวัสดุแถบความถี่กว้าง (WBG) ปัจจุบันแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) และซิลิคอนคาร์ไบด์ (......

อ่านเพิ่มเติม

สนามความร้อนคืออะไร?

ในด้านการเติบโตของผลึกเดี่ยว การกระจายอุณหภูมิภายในเตาเติบโตคริสตัลมีบทบาทสำคัญ การกระจายอุณหภูมินี้ หรือที่เรียกกันทั่วไปว่าสนามความร้อน เป็นปัจจัยสำคัญที่มีอิทธิพลต่อคุณภาพและคุณลักษณะของคริสตัลที่กำลังเติบโต สนามความร้อนสามารถแบ่งได้เป็นสองประเภท: แบบคงที่และไดนามิก

อ่านเพิ่มเติม

เทคโนโลยีการผลิตกราไฟท์แบบไอโซสแตติก

เทคโนโลยีการกดแบบไอโซสแตติกเป็นกระบวนการที่สำคัญในการผลิตกราไฟท์แบบไอโซสแตติก ซึ่งส่วนใหญ่จะเป็นตัวกำหนดประสิทธิภาพของผลิตภัณฑ์ขั้นสุดท้าย ด้วยเหตุนี้ การวิจัยที่ครอบคลุมและการเพิ่มประสิทธิภาพการผลิตกราไฟท์ไอโซสแตติกจึงยังคงเป็นประเด็นสำคัญในอุตสาหกรรม

อ่านเพิ่มเติม

<...4 5 6 7 8...30 >