> ข่าว

ข่าว

ความก้าวหน้าการวิจัยการเคลือบ TaC บนพื้นผิววัสดุที่มีคาร์บอน

วัสดุที่มีคาร์บอนเป็นหลัก เช่น กราไฟต์ เส้นใยคาร์บอน และคอมโพสิตคาร์บอน/คาร์บอน (C/C) ขึ้นชื่อในด้านความแข็งแรงจำเพาะสูง โมดูลัสจำเพาะสูง และคุณสมบัติทางความร้อนที่ดีเยี่ยม ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานที่อุณหภูมิสูงที่หลากหลาย . วัสดุเหล่านี้มีการใช้กันอย่างแพร่หลายในการบินและอวกาศ วิศวกรรมเคมี และการจ......

อ่านเพิ่มเติม

การใช้งานของพื้นผิวแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) มีอะไรบ้าง

แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) เป็นวัสดุที่สำคัญในเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งเป็นที่รู้จักในด้านคุณสมบัติทางอิเล็กทรอนิกส์และทางแสงที่ยอดเยี่ยม GaN ในฐานะเซมิคอนดักเตอร์แบบแถบความถี่กว้าง มีพลังงานแถบความถี่ประมาณ 3.4 eV ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานที่มีกำลังสูงและความถี่สูง

อ่านเพิ่มเติม

ทบทวนเทคนิคการเผาผนึก 9 เทคนิคสำหรับเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์

ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ซึ่งเป็นเซรามิกโครงสร้างที่โดดเด่น มีชื่อเสียงในด้านคุณสมบัติพิเศษ เช่น ความแข็งแรงที่อุณหภูมิสูง ความแข็ง โมดูลัสยืดหยุ่น ความต้านทานการสึกหรอ การนำความร้อน และความต้านทานการกัดกร่อน คุณลักษณะเหล่านี้ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย ตั้งแต่การใช้ในอุตสาหกรรมแบบดั้งเดิมในเฟ......

อ่านเพิ่มเติม

ความท้าทายทางเทคนิคในเตาหลอมการเติบโตของคริสตัลซิลิคอนคาร์ไบด์

เตาเร่งการเจริญเติบโตของผลึกซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) เป็นรากฐานสำคัญของการผลิตเวเฟอร์ SiC ในขณะที่มีความคล้ายคลึงกันกับเตาหลอมคริสตัลซิลิคอนแบบเดิม เตาหลอม SiC ต้องเผชิญกับความท้าทายที่ไม่เหมือนใคร เนื่องจากสภาวะการเจริญเติบโตที่รุนแรงของวัสดุและกลไกการก่อตัวของข้อบกพร่องที่ซับซ้อน ความท้าทายเหล่านี้สา......

อ่านเพิ่มเติม

เทคโนโลยีการทำให้บริสุทธิ์ของกราไฟท์ในเซมิคอนดักเตอร์ SiC

กราไฟต์มีความสำคัญในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ซึ่งขึ้นชื่อในด้านคุณสมบัติทางความร้อนและทางไฟฟ้าที่โดดเด่น ทำให้ SiC เหมาะสำหรับการใช้งานที่มีกำลังสูง อุณหภูมิสูง และความถี่สูง ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ SiC กราไฟท์มักใช้สำหรับถ้วยใส่ตัวอย่าง เครื่องทำความร้อน และส่วนประกอบการประมวลผล......

อ่านเพิ่มเติม

วิธีการเติบโตของ GaN Crystal

เมื่อผลิตซับสเตรตผลึกเดี่ยว GaN ขนาดใหญ่ ปัจจุบัน HVPE เป็นตัวเลือกที่ดีที่สุดสำหรับการจำหน่ายในเชิงพาณิชย์ อย่างไรก็ตาม ไม่สามารถควบคุมความเข้มข้นของพาหะด้านหลังของ GaN ที่ปลูกได้อย่างแม่นยำ

อ่านเพิ่มเติม

<...5 6 7 8 9...30 >