ตัวรับถังกราไฟท์เคลือบ SiC

ตัวรับถังกราไฟท์เคลือบ Semicorex SiC เป็นตัวเลือกที่สมบูรณ์แบบสำหรับการใช้งานด้านการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ที่ต้องการการกระจายความร้อนและการนำความร้อนเป็นพิเศษ การเคลือบ SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูงและความหนาแน่นที่เหนือกว่าให้คุณสมบัติการป้องกันและการกระจายความร้อนที่เหนือกว่า ทำให้มั่นใจได้ถึงประสิทธิภาพที่เชื่อถือได้และสม่ำเสมอแม้ในสภาพแวดล้อมที่ท้าทายที่สุด

ตัวรับถังกราไฟท์เคลือบ SiC ของเราได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ได้รูปแบบการไหลของก๊าซแบบลามินาร์ที่ดีที่สุด ซึ่งรับประกันความสม่ำเสมอของโปรไฟล์ความร้อน ซึ่งจะช่วยป้องกันการปนเปื้อนหรือการแพร่กระจายของสิ่งเจือปน ทำให้มั่นใจได้ว่าชิปเวเฟอร์จะเติบโตแบบเอพิแทกเซียลคุณภาพสูง

ติดต่อเราวันนี้เพื่อเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับตัวรับถังกราไฟท์เคลือบ SiC ของเรา

พารามิเตอร์ของตัวรับถังกราไฟท์เคลือบ SiC

คุณสมบัติของตัวรับถังกราไฟท์เคลือบ SiC

- ทั้งสารตั้งต้นกราไฟท์และชั้นซิลิคอนคาร์ไบด์มีความหนาแน่นที่ดีและสามารถมีบทบาทในการป้องกันที่ดีในสภาพแวดล้อมการทำงานที่มีอุณหภูมิสูงและกัดกร่อน

- ตัวรับเคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์ที่ใช้สำหรับการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยวมีความเรียบของพื้นผิวที่สูงมาก

- ลดความแตกต่างของค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนระหว่างพื้นผิวกราไฟท์และชั้นซิลิคอนคาร์ไบด์ ปรับปรุงความแข็งแรงพันธะได้อย่างมีประสิทธิภาพเพื่อป้องกันการแตกร้าวและการหลุดร่อน

- ทั้งซับสเตรตกราไฟท์และชั้นซิลิกอนคาร์ไบด์มีค่าการนำความร้อนสูงและมีคุณสมบัติการกระจายความร้อนที่ดีเยี่ยม

- มีจุดหลอมเหลวสูง ทนต่อการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง ทนต่อการกัดกร่อน