ถ้วยใส่ตัวอย่างกราไฟท์เคลือบ SiC

ติดตั้งที่ศูนย์กลางของเตาเติบโตคริสตัลที่มีอุณหภูมิสูงเคลือบ SiCถ้วยใส่ตัวอย่างกราไฟท์ทำงานร่วมกับเครื่องทำความร้อน ปลอกฉนวนความร้อน ท่อนำการไหล และเพลาเบ้าหลอม เพื่อสร้างระบบสนามความร้อนที่สมบูรณ์ ระบบสนามความร้อนนี้สามารถรักษาสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงให้คงที่ซึ่งจำเป็นต่อการเติบโตของคริสตัล

การผลิตสารเคลือบ SiCถ้วยใส่ตัวอย่างกราไฟท์มักจะเริ่มต้นด้วยการใช้เทคโนโลยีการสะสมไอสารเคมีขั้นสูงเพื่อสร้างความหนาแน่นสม่ำเสมอซิลิคอนคาร์ไบด์การเคลือบบนพื้นผิวของสารตั้งต้นกราไฟท์ที่เกิดขึ้น ประกอบด้วยความบริสุทธิ์สูงกราไฟท์วัสดุพิมพ์และการเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์หนาแน่น เบ้าหลอมกราไฟท์เคลือบ SiC ก่อให้เกิดโครงสร้างเสริมฤทธิ์กันที่ผสมผสานการนำความร้อนของกราไฟท์เข้ากับความต้านทานการกัดกร่อนของซิลิกอนคาร์ไบด์

วิธี Czochralski เป็นเทคนิคทางอุตสาหกรรมสากลสำหรับการเติบโตของผลึก เทคนิคนี้จะใช้แรงเหวี่ยงบนเบ้าหลอมในระหว่างการผลิตคริสตัล ความแข็งแรงในการรับแรงดัดงอและความเหนียวที่เหนือกว่าของถ้วยใส่ตัวอย่างกราไฟท์เคลือบ SiC สามารถป้องกันการแตกหักหรือการแตกร้าวในระหว่างการหมุนด้วยความเร็วสูง ซึ่งช่วยลดการหยุดชะงักในการผลิตที่เกิดจากความเสียหายของถ้วยใส่ตัวอย่างได้อย่างมีประสิทธิภาพ นอกจากนี้ ถ้วยใส่ตัวอย่างยังต้องผ่านการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิอย่างรุนแรงภายในระยะเวลาสั้นๆ ในระหว่างกระบวนการนี้ ขอขอบคุณสำหรับความต้านทานการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างน่าทึ่ง ถ้วยใส่ตัวอย่างกราไฟท์เคลือบ SiC สามารถลดความเสียหายทางโครงสร้างที่เกี่ยวข้องกับความเครียดจากความร้อน ช่วยให้มั่นใจในความเสถียรของรูปร่าง ดังนั้นจึงลดข้อบกพร่องในการเติบโตของคริสตัลที่เกิดจากการเสียรูปของถ้วยใส่ตัวอย่าง

ภายใต้อุณหภูมิสูง ถ้วยใส่ตัวอย่างกราไฟท์ที่เคลือบ SiC จะสร้างชั้นป้องกันที่หนาแน่นของซิลิคอนคาร์ไบด์ ชั้นป้องกันนี้สามารถแยกซับสเตรตกราไฟท์ออกจากไอซิลิคอนและซิลิกอนหลอมเหลว ซึ่งช่วยลดการกัดกร่อนของซับสเตรตกราไฟท์และความเสี่ยงการปนเปื้อนของคริสตัลที่เกี่ยวข้องกับการลอกของสารเคลือบ ดังนั้น ถ้วยใส่ตัวอย่างกราไฟท์เคลือบ SiC ของ Semicorex จึงสามารถทนต่อสภาพแวดล้อมการกัดกร่อนที่อุณหภูมิสูงที่ซับซ้อนต่างๆ เป็นระยะเวลานานในการใช้งานจริง ซึ่งช่วยให้มั่นใจได้ถึงองค์ประกอบของคริสตัลที่สม่ำเสมอและลดอัตราข้อบกพร่อง ซึ่งทั้งสองอย่างนี้จำเป็นสำหรับการผลิตผลึกเซมิคอนดักเตอร์คุณภาพสูง