ตัวรับการเจริญเติบโตของคริสตัลเคลือบ SiC

Semicorex SiC-Coated Crystal Growth Susceptor เป็นตัวเลือกที่สมบูรณ์แบบสำหรับการสร้างชั้นเอพิแทกเซียลบนเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ เนื่องจากมีคุณสมบัติการนำความร้อนและการกระจายความร้อนที่ยอดเยี่ยม การเคลือบ SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูงให้การปกป้องที่เหนือกว่าแม้ในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงและมีฤทธิ์กัดกร่อนที่มีความต้องการสูงที่สุด
ตัวรับการเจริญเติบโตของคริสตัลเคลือบ SiC ของเราได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ได้รูปแบบการไหลของก๊าซแบบลามิเนตที่ดีที่สุด ซึ่งรับประกันความสม่ำเสมอของโปรไฟล์ความร้อน ซึ่งจะช่วยป้องกันการปนเปื้อนหรือการแพร่กระจายของสิ่งเจือปน ทำให้มั่นใจได้ว่าชิปเวเฟอร์จะเติบโตแบบเอพิแทกเซียลคุณภาพสูง
ติดต่อเราวันนี้เพื่อเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ SiC-Coated Crystal Growth Susceptor ของเรา

พารามิเตอร์ของตัวรับการเจริญเติบโตของคริสตัลเคลือบ SiC

คุณลักษณะของตัวรับการเจริญเติบโตของคริสตัลเคลือบ SiC

- ทั้งสารตั้งต้นกราไฟท์และชั้นซิลิคอนคาร์ไบด์มีความหนาแน่นที่ดีและสามารถมีบทบาทในการป้องกันที่ดีในสภาพแวดล้อมการทำงานที่มีอุณหภูมิสูงและกัดกร่อน

- ตัวรับเคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์ที่ใช้สำหรับการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยวมีความเรียบของพื้นผิวที่สูงมาก

- ลดความแตกต่างของค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนระหว่างพื้นผิวกราไฟท์และชั้นซิลิคอนคาร์ไบด์ ปรับปรุงความแข็งแรงพันธะได้อย่างมีประสิทธิภาพเพื่อป้องกันการแตกร้าวและการหลุดร่อน

- ทั้งซับสเตรตกราไฟท์และชั้นซิลิกอนคาร์ไบด์มีค่าการนำความร้อนสูงและมีคุณสมบัติการกระจายความร้อนที่ดีเยี่ยม

- มีจุดหลอมเหลวสูง ทนต่อการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง ทนต่อการกัดกร่อน