โมดูล epitaxial sic

โมดูล epitaxial Semicorex sic ที่สร้างขึ้นจากเกรดพรีเมี่ยมกราไฟท์เคลือบ SIC เป็นส่วนหนึ่งของอุปกรณ์ epitaxial ที่พัฒนาขึ้นเพื่อทนต่อองค์ประกอบที่ยากที่สุดของกระบวนการ epitaxy ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SIC) โมดูลนี้มีความหมายสำหรับการใช้งานที่อุณหภูมิสูงในการสะสมไอสารเคมี (CVD) เป็นองค์ประกอบสำคัญในการแสดงให้เห็นถึงความเสถียรและการสนับสนุนสำหรับเวเฟอร์ในระหว่างการเติบโตของ epitaxial ของ SIC ที่มีคุณภาพสูง โมดูล Semicorex SIC เป็นวัสดุพื้นฐานที่มีประสิทธิภาพสำหรับการผลิตวัสดุ epitaxial ที่เชื่อถือได้และทำซ้ำได้ซึ่งสอดคล้องกับข้อกำหนด SIC ที่มีคุณภาพ

โมดูล semicorex sic เป็นสารตั้งต้นกราไฟท์ที่ปกคลุมด้วยชั้นที่มีความหนาแน่นและสม่ำเสมอของการชุบซิลิกอนคาร์ไบด์และทนต่อการปนเปื้อนของอนุภาคและการกัดกร่อนแม้ในเคมีกระบวนการที่รุนแรงที่สุด การเคลือบ SIC ห้ามการปนเปื้อนและการกัดเซาะของกราไฟท์พื้นฐานและให้การสนับสนุนเชิงกลและการป้องกันที่สำคัญสูงถึง 1,600 ° C โมดูล SIC ผสมผสานความแข็งแรงและความสามารถในการกลึงของกราไฟท์เข้ากับการสึกหรอโดยรวมการกัดกร่อนและคุณสมบัติทนต่อสารเคมีของซิลิกอนคาร์ไบด์ทำให้เหมาะที่สุดของโมดูลในแง่ของความทนทานในบรรยากาศ epitaxial ที่รุนแรง

โมดูลได้รับการออกแบบมาเพื่อให้โปรไฟล์ความร้อนที่สม่ำเสมอในขณะที่ลดการเปลี่ยนแปลงมิติตลอดกระบวนการปั่นจักรยานความร้อน ความสม่ำเสมอและความเสถียรของความร้อนนี้มีความสำคัญต่อการรักษาความเรียบของเวเฟอร์และความสม่ำเสมอของ epitaxy หากเวเฟอร์รักษาตำแหน่งที่มั่นคงด้วยการนำความร้อนสูงเงื่อนไขความร้อนทั่วเวเฟอร์ในระหว่างการประมวลผลจะสม่ำเสมอซึ่งส่งผลกระทบในเชิงบวกต่อผลผลิตคุณภาพคริสตัลและการหยุดทำงานที่เกี่ยวข้องกับความล้มเหลวของส่วนหรือการปนเปื้อน

โมดูล sic epitaxial เข้ากันได้กับเครื่องปฏิกรณ์ epitaxial หลายตัวรวมถึงผนังร้อนและผนังเย็นและมีตัวเลือกที่จะปรับแต่งให้เป็นรูปร่างและขนาดเพื่อรองรับเค้าโครงเครื่องปฏิกรณ์เฉพาะและความต้องการของลูกค้า โมดูล epitaxial sic นั้นเหมาะสมสำหรับ แต่ไม่ จำกัด เพียงแอพพลิเคชั่น Epitaxy ขนาด 4 นิ้ว, 6 นิ้ว, 6 นิ้วและเกิดขึ้นขนาด 8 นิ้ว เนื่องจากความบริสุทธิ์สูงและรูปทรงเรขาคณิตที่ดีที่สุดของโมดูล epitaxial sic การรบกวนทางกายภาพจึงลดผลกระทบต่อการเปลี่ยนแปลงของการไหลของก๊าซและการไล่ระดับสีความร้อนซึ่งรองรับการเจริญเติบโตที่ควบคุมได้มากขึ้นของชั้น epitaxial

โมดูล epitaxial ของ Semicorex แสดงถึงชิ้นส่วนควบคุมที่มีคุณภาพสูงสุดในชุดประกอบที่ผิดปกติ นอกเหนือจากโปรโตคอลการควบคุมคุณภาพสูง Semicorex ยังใช้วิธีการเคลือบใหม่ล่าสุดเพื่อใช้ฟิล์ม SIC ที่มีความหนาแน่นสูงและมีความหนาแน่นต่ำ Semicorex มีประวัติอันยาวนานของการเคลือบเซรามิกประสิทธิภาพสูงและการตัดเฉือนกราไฟท์การระบุผลประโยชน์กระบวนการที่ให้อายุการใช้งานผลิตภัณฑ์ที่ดีที่สุดความสอดคล้องและความมั่นคงของกระบวนการจากแบทช์เป็นแบทช์

ในฟิลด์ที่มีการพัฒนาอย่างรวดเร็วของอุปกรณ์พลังงาน SIC ซึ่งคุณภาพของวัสดุส่งผลโดยตรงต่อประสิทธิภาพของอุปกรณ์โมดูล epitaxial ไม่ได้เป็นเพียงแค่สิ้นเปลืองเท่านั้น-เป็นตัวเปิดใช้งานที่สำคัญ โมดูล epitaxial กราไฟท์เคลือบ SIC จาก Semicorex นำเสนอโซลูชันที่แข็งแกร่งและเชื่อถือได้สำหรับลูกค้าที่ต้องการผลักดันขีด จำกัด ของประสิทธิภาพผลผลิตและความคุ้มค่าใน SIC epitaxy