วงแหวนโฟกัส SiC

Semicorex SiC Focus Ring เป็นส่วนประกอบรูปทรงวงแหวนที่ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมอย่างแม่นยำ ผลิตโดยซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีความบริสุทธิ์สูง วงแหวนโฟกัส SiC ได้รับการออกแบบมาเพื่อการใช้งานการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีความบริสุทธิ์สูงให้ประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยมในแง่ของความเสถียรทางความร้อน (จุดหลอมเหลวสูง) ความทนทานทางกล (ความแข็งสูง) และคุณสมบัติการนำไฟฟ้า ซึ่งมีความสำคัญอย่างยิ่งเพื่อให้ตรงกับข้อกำหนดเฉพาะของเทคโนโลยีการผลิตแผ่นเวเฟอร์ยุคใหม่จำนวนมาก SiC Focus Ring เป็นส่วนประกอบที่พบในส่วนประกอบการกัดด้วยพลาสมาและส่วนประกอบห้องสะสม และมีบทบาทสำคัญในการควบคุมการกระจายตัวของพลาสมา ทำให้แผ่นเวเฟอร์มีความสม่ำเสมอ และให้ผลผลิตในปริมาณมาก

ความบริสุทธิ์ของวัสดุและประสิทธิภาพทางไฟฟ้าของวงแหวนโฟกัส SiC คือปัจจัยที่สำคัญที่สุดบางประการที่กำหนดส่วนประกอบนี้และสร้างความแตกต่างจากวัสดุเซรามิก มีความบริสุทธิ์สูงซิลิคอนคาร์ไบด์แตกต่างจากวัสดุเซรามิกทั่วไปเนื่องจากมีการผสมผสานระหว่าง 

ความแข็งตลอดจนความต้านทานต่อสารเคมีหลายชนิดและคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่เป็นเอกลักษณ์ ที่สำคัญกว่านั้นคือ ซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีความบริสุทธิ์สูงสามารถออกแบบโดยใช้สารเจือปนและวิธีการประมวลผลเพื่อสร้างระดับที่เหมาะสมที่สุดของประสิทธิภาพในการเป็นสื่อกระแสไฟฟ้าหรือการดูถูกด้วยความสมดุลของสารกึ่งตัวนำที่เหมาะสมที่สุดในการโต้ตอบกับพลาสมา ทำให้ได้ประสิทธิภาพที่เสถียรในสภาพแวดล้อมที่มีพลังงานสูง ซึ่งประจุสะสมและความไม่สมดุลทางไฟฟ้ามีแนวโน้มที่จะทำให้เกิดข้อผิดพลาดของกระบวนการมากกว่า

เนื่องจากเอฟเฟกต์ขอบของพลาสมา ความหนาแน่นจึงสูงขึ้นที่ตรงกลางและต่ำกว่าที่ขอบ วงแหวนโฟกัสจะสร้างสนามไฟฟ้าจำเพาะผ่านรูปทรงวงแหวนและคุณสมบัติของวัสดุของ CVD SiC สนามนี้จะนำทางและจำกัดอนุภาคที่มีประจุ (ไอออนและอิเล็กตรอน) ในพลาสมาให้อยู่ที่พื้นผิวเวเฟอร์ โดยเฉพาะที่ขอบ สิ่งนี้จะเพิ่มความหนาแน่นของพลาสมาที่ขอบได้อย่างมีประสิทธิภาพ และเข้าใกล้ความหนาแน่นของพลาสมาที่อยู่ตรงกลางมากขึ้น สิ่งนี้ช่วยปรับปรุงความสม่ำเสมอในการแกะสลักทั่วทั้งแผ่นเวเฟอร์ ลดความเสียหายที่ขอบ และเพิ่มผลผลิตได้อย่างมาก

Mercury Manufacturing ประมวลผล SiC Focus Ring โดยใช้กระบวนการตัดเฉือนและการขัดเงาที่ซับซ้อน เพื่อให้ได้พิกัดความเผื่อของขนาดที่จำกัดและผิวสำเร็จที่เรียบเนียน ความแม่นยำด้านมิติของส่วนประกอบเหล่านี้ช่วยให้สามารถใช้งานร่วมกับซัพพลายเออร์อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ต่างๆ เพื่อให้มั่นใจถึงความสามารถในการสับเปลี่ยนระหว่างระบบกัดกรดและสะสมพลาสม่าหลายระบบ การออกแบบที่กำหนดเองยังสามารถพัฒนาเพื่อให้ตรงตามข้อกำหนดกระบวนการเฉพาะ รวมถึงความหนาของวงแหวน เส้นผ่านศูนย์กลางด้านในและด้านนอก และระดับการนำไฟฟ้าของพื้นผิว

การใช้งานของ SiC Focus Ring ครอบคลุมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ที่หลากหลาย: DRAM, แฟลช NAND, อุปกรณ์ลอจิก และเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์กำลังใหม่ เนื่องจากรูปทรงของอุปกรณ์หดตัวและก้าวหน้าต่อไปผ่านโหนดกระบวนการ ความต้องการส่วนประกอบของห้องเพาะเลี้ยงที่มีความเสถียรสูงซึ่งมีความน่าเชื่อถือสูง เช่น SiC Focus Ring จึงกลายเป็นเรื่องสำคัญ SiC Focus Ring ช่วยให้สามารถควบคุมพลาสมาได้อย่างแม่นยำและปรับปรุงคุณภาพเวเฟอร์อย่างต่อเนื่อง ซึ่งช่วยส่งเสริมความทะเยอทะยานของอุตสาหกรรมที่ต้องการอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่เล็กลง เร็วขึ้น และมีประสิทธิภาพ วงแหวนโฟกัส Semicorex SiC กำหนดจุดตัดกันของวัสดุศาสตร์ วิศวกรรมความแม่นยำ และวิวัฒนาการกระบวนการเซมิคอนดักเตอร์ วงแหวนโฟกัส SiC มีเสถียรภาพทางความร้อนที่ดีเยี่ยม ทนต่อสารเคมีได้ดีกว่า และมีค่าการนำไฟฟ้าใกล้เคียงจำเพาะ คุณลักษณะเหล่านี้ทำให้เป็นองค์ประกอบสำคัญในการรับประกันความน่าเชื่อถือและให้ผลผลิตในระหว่างกระบวนการ