เส้นใยทำความร้อน SiC

Semicorex SiC Heating Filament ซึ่งเป็นองค์ประกอบความร้อนสูญญากาศสูงที่พัฒนาขึ้นสำหรับการประมวลผลแผ่นเวเฟอร์ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ใหม่ เป็นองค์ประกอบความร้อนที่เป็นนวัตกรรมใหม่ที่ออกแบบด้วยแกนกราไฟท์และมีความบริสุทธิ์สูงการเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์- เส้นใยชนิดพิเศษใช้การนำความร้อนของกราไฟท์ รวมถึงความทนทานและการปกป้องของ SiC ส่งผลให้เครื่องทำความร้อนมีความเสถียรและประหยัดพลังงานเมื่อเวลาผ่านไป เส้นใยทำความร้อน SiC ได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ความร้อนแผ่นเวเฟอร์สม่ำเสมอและบรรลุข้อกำหนด ทำให้เป็นส่วนประกอบที่ดีเยี่ยมสำหรับการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์ที่อุณหภูมิสูง เช่น เอพิแทกซี การแพร่กระจาย และการหลอม

เส้นใยทำความร้อน SiC ผลิตจากกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูง เนื่องจากมีคุณสมบัติทางความร้อนและคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่มีคุณภาพของกราไฟท์ กราไฟต์มีฟังก์ชันการทำความร้อนหลักที่ช่วยให้ตอบสนองได้รวดเร็วและให้ความร้อนอย่างมีประสิทธิภาพภายใต้ภาระทางไฟฟ้า การเคลือบ SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูงอย่างหนาแน่นช่วยปกป้องเส้นใยจากแหล่งปนเปื้อนที่เป็นไปได้ การเคลือบ SiC ช่วยปกป้องแผ่นเวเฟอร์จากการปนเปื้อนทางเคมี และการเกิดออกซิเดชัน รวมถึงอนุภาคในห้องเพาะเลี้ยง ช่วยยืดอายุการใช้งานของเส้นใย และสร้างสภาพแวดล้อมในห้องที่สะอาด

คุณภาพที่สำคัญของเส้นใยทำความร้อน SiC คือความสามารถในการให้ความร้อนสม่ำเสมอของแผ่นเวเฟอร์ ความแปรผันของอุณหภูมิทั่วทั้งแผ่นเวเฟอร์อาจทำให้เกิดข้อบกพร่องหรือสูญเสียผลผลิตได้ เส้นใยทำความร้อน SiC มีค่าการนำความร้อนที่ดีเยี่ยม และการออกแบบเส้นใยที่แข็งแกร่งทำให้มั่นใจได้ว่าความร้อนจะคงที่และสม่ำเสมอมากขึ้น โดยจำกัดการไล่ระดับความร้อนเพื่อการควบคุมกระบวนการที่สมบูรณ์

เส้นใยทำความร้อน SiC สามารถปรับแต่งได้ ค่าความต้านทานไฟฟ้าของเส้นใยแต่ละเส้นสามารถปรับแต่งให้เหมาะกับเครื่องมือในกระบวนการผลิตและสภาพแวดล้อมการทำงานได้ การปรับแต่งนี้ทำให้เทคโนโลยีซิลิคอนคาร์ไบด์สามารถควบคุมค่าความต้านทานของรูปทรงของเส้นใย ความหนาของชั้นเคลือบ และคุณสมบัติของวัสดุ เส้นใยทำความร้อน SiC สามารถใส่ได้กับเตาเผาหลายแบบที่มีขนาดเวเฟอร์และสูตรกระบวนการที่แตกต่างกัน ซึ่งเป็นประโยชน์อย่างยิ่งสำหรับผู้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์ เนื่องจากช่วยให้กระบวนการปัจจุบันทำงานได้อย่างมีประสิทธิภาพมากขึ้น และรักษาความเข้ากันได้กับระบบที่มีอยู่แล้ว  คุณสมบัติประการที่สามของประสิทธิภาพคือความทนทาน ในกระบวนการเซมิคอนดักเตอร์ที่มีอุณหภูมิสูง องค์ประกอบความร้อนจะสัมผัสกับสภาพแวดล้อมทางเคมีที่รุนแรงมากและวงจรความร้อนซ้ำแล้วซ้ำอีก

การใช้งานเส้นใยทำความร้อน Semicorex SiC ครอบคลุมกระบวนการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่หลากหลาย ในระหว่างการเจริญเติบโตของเยื่อบุผิว องค์ประกอบความร้อนจะให้อุณหภูมิของพื้นผิวที่สม่ำเสมอและสม่ำเสมอสำหรับการสะสมฟิล์มผลึกคุณภาพสูง