Single-crystal Silicon Epi Susceptor

ตัวรับในการประมวลผลการเจริญเติบโตของเยื่อบุผิวจำเป็นต้องมีความสามารถในการทนต่ออุณหภูมิที่สูงขึ้น และทนต่อขั้นตอนการทำความสะอาดทางเคมีที่เข้มงวด Single-crystal Silicon Epi Susceptor ได้รับการออกแบบอย่างพิถีพิถันเพื่อตอบสนองความต้องการที่เข้มงวดเหล่านี้ซึ่งพบในการใช้งานอุปกรณ์ epitaxy โดยเฉพาะ

ตัวรับเหล่านี้มีโครงสร้างที่ประกอบด้วยกราไฟท์เคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) ที่มีความบริสุทธิ์สูง ซึ่งให้ความต้านทานต่อความร้อนที่ไม่มีใครเทียบได้ ช่วยให้มั่นใจได้ถึงการกระจายความร้อนที่สม่ำเสมอเพื่อความหนาและความต้านทานของชั้น epitaxy ที่สม่ำเสมอ

นอกจากนี้ Single-crystal Silicon Epi Susceptor ยังมีความทนทานที่โดดเด่นต่อสารเคมีทำความสะอาดที่รุนแรง การใช้การเคลือบคริสตัล SiC อย่างละเอียดยังช่วยให้พื้นผิวเรียบสะอาดตา ซึ่งมีความสำคัญอย่างยิ่งต่อการจัดการที่มีประสิทธิภาพ เนื่องจากเวเฟอร์ที่ไม่มีมลทินจะสัมผัสกับตัวรับผ่านจุดต่างๆ มากมายทั่วทั้งพื้นที่ผิวทั้งหมด

การใช้ Single-crystal Silicon Epi Susceptor ช่วยให้มั่นใจได้ถึงความน่าเชื่อถือที่ไม่เปลี่ยนแปลงและอายุการใช้งานที่ยาวนานขึ้น ซึ่งช่วยลดความจำเป็นในการเปลี่ยนบ่อยครั้ง และลดทั้งเวลาหยุดทำงานและค่าใช้จ่ายในการบำรุงรักษาให้เหลือน้อยที่สุด โครงสร้างที่แข็งแกร่งและความสามารถในการปฏิบัติงานที่โดดเด่นมีส่วนช่วยเพิ่มประสิทธิภาพกระบวนการอย่างมาก ซึ่งท้ายที่สุดแล้วจะช่วยเสริมประสิทธิภาพการผลิตและความคุ้มค่าภายในขอบเขตของการดำเนินการผลิตเซมิคอนดักเตอร์