TaC เคลือบอัปเปอร์ฮาล์ฟมูน

Semicorex TaC Coating Upper Halfmoon เป็นส่วนประกอบที่ได้รับการออกแบบมาโดยเฉพาะเพื่อให้บรรลุกระบวนการ epitaxle ที่มีประสิทธิภาพสูงในขอบเขตของการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ ชิ้นส่วน Halfmoon เคลือบ TaC ด้านบนได้รับการออกแบบเพื่อให้เข้ากันได้อย่างลงตัวกับเครื่องปฏิกรณ์แบบ epitaxis โดยให้ความทนทานและความเสถียรเป็นพิเศษภายใต้สภาวะที่รุนแรง

การเคลือบ TaC ให้ความต้านทานต่ออุณหภูมิสูงได้ดีเยี่ยม ทำให้การเคลือบ TaC Upper Halfmoon เหมาะอย่างยิ่งสำหรับสภาพแวดล้อมทางความร้อนที่มีความต้องการสูงของกระบวนการเอพิแทกเซียล สิ่งนี้ทำให้มั่นใจถึงประสิทธิภาพที่สม่ำเสมอและอายุการใช้งานยาวนาน ลดความถี่ในการเปลี่ยนและการหยุดทำงาน Halfmoon ส่วนบนของการเคลือบ TaC สามารถทนต่อก๊าซที่มีฤทธิ์กัดกร่อนและสารเคมีที่ใช้กันทั่วไปในการเจริญเติบโตของเยื่อบุผิว ปกป้องความสมบูรณ์ของส่วนประกอบและรักษาความบริสุทธิ์ของกระบวนการ

การเคลือบ TaC ที่เรียบเนียนและสม่ำเสมอช่วยเพิ่มคุณภาพของชั้นเอพิแทกเซียลโดยการลดข้อบกพร่องและสิ่งเจือปนให้เหลือน้อยที่สุด ส่งผลให้อัตราผลตอบแทนสูงขึ้นและคุณสมบัติทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เหนือกว่าของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ การผสมผสานระหว่างการต้านทานความร้อนและสารเคมีช่วยยืดอายุการใช้งานของการเคลือบ TaC Upper Halfmoon ซึ่งเป็นโซลูชันที่คุ้มต้นทุนสำหรับการรักษาปริมาณงานสูงและประสิทธิภาพในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์

การใช้งาน:

กระบวนการสะสมไอสารเคมีที่อุณหภูมิสูง (CVD)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) และแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) Epitaxy

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค:

วัสดุ: เคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC)

ช่วงอุณหภูมิ: สูงถึง 2200°C

ทนต่อสารเคมี: ดีเยี่ยมกับ HF, HCl และก๊าซที่มีฤทธิ์กัดกร่อนอื่น ๆ

ขนาด: ปรับแต่งได้เพื่อให้พอดีกับรุ่นเครื่องปฏิกรณ์เฉพาะ

Semicorex TaC Coating Upper Halfmoon เป็นองค์ประกอบสำคัญในการบรรลุชั้นเอพิเทกเซียลคุณภาพสูง พร้อมประสิทธิภาพที่ดีขึ้นและลดความเสี่ยงในการปนเปื้อน คุณสมบัติของวัสดุขั้นสูงและวิศวกรรมที่แม่นยำทำให้เป็นทรัพย์สินที่มีค่าในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งสนับสนุนการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยุคต่อไป