ตัวรับเวเฟอร์

Semicorex Wafer Susceptor สร้างขึ้นอย่างเชี่ยวชาญจากกราไฟท์และเคลือบด้วยซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) เพื่อตอบสนองเงื่อนไขที่ต้องการของการผลิตเซมิคอนดักเตอร์สมัยใหม่

ในกระบวนการเอพิแทกซี การรักษาสภาพแวดล้อมให้มีเสถียรภาพและมีการควบคุมถือเป็นสิ่งสำคัญอย่างยิ่ง Wafer Susceptor ทำหน้าที่เป็นแพลตฟอร์มพื้นฐานสำหรับวางเวเฟอร์ในระหว่างการสะสม ซึ่งเป็นไปตามข้อกำหนดที่แม่นยำสำหรับความสม่ำเสมอของอุณหภูมิ ความเฉื่อยทางเคมี และความแข็งแรงเชิงกล เพื่อให้ได้ชั้นเอพิเทเชียลคุณภาพสูง

การเลือกใช้กราไฟท์เป็นวัสดุฐานสำหรับ Wafer Susceptor นั้นได้รับแรงผลักดันจากการนำความร้อนและคุณสมบัติทางกลที่ดีเยี่ยม ความสามารถของกราไฟต์ในการทนต่ออุณหภูมิสูงในขณะที่ยังคงรักษาความสมบูรณ์ของโครงสร้างเป็นสิ่งสำคัญในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงของเครื่องปฏิกรณ์เอพิแทกซี นอกจากนี้ การนำความร้อนของกราไฟท์ช่วยให้มั่นใจได้ถึงการกระจายความร้อนที่มีประสิทธิภาพทั่วทั้งแผ่นเวเฟอร์ ซึ่งช่วยลดความเสี่ยงของการไล่ระดับของอุณหภูมิที่อาจนำไปสู่ข้อบกพร่องในชั้นเอพิแทกเซียล

เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานของ Wafer Susceptor จึงมีการใช้การเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) กับฐานกราไฟท์อย่างเชี่ยวชาญ SiC เป็นวัสดุที่มีความทนทานสูงพร้อมความทนทานต่อสารเคมีที่เหนือกว่า ทำให้เหมาะสำหรับใช้ในสภาพแวดล้อมเซมิคอนดักเตอร์ที่มักมีก๊าซที่เกิดปฏิกิริยา การเคลือบ SiC เป็นเกราะป้องกันที่ปกป้องกราไฟท์จากปฏิกิริยาเคมีที่อาจเกิดขึ้น ช่วยให้มั่นใจว่าตัวรับเวเฟอร์จะมีอายุการใช้งานยาวนาน และรักษาสภาพแวดล้อมที่สะอาดภายในเครื่องปฏิกรณ์

Semicorex Wafer Susceptor ทำจากกราไฟท์เคลือบ SiC เป็นส่วนประกอบที่ขาดไม่ได้ในกระบวนการเอพิแทกซีของเซมิคอนดักเตอร์ การผสมผสานคุณสมบัติทางความร้อนและทางกลของกราไฟท์เข้ากับความเสถียรทางเคมีและทางความร้อนของซิลิคอนคาร์ไบด์ ทำให้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับความต้องการที่เข้มงวดของการผลิตเซมิคอนดักเตอร์สมัยใหม่ การออกแบบเวเฟอร์เดี่ยวช่วยให้สามารถควบคุมกระบวนการเอพิแทกซีได้อย่างแม่นยำ ซึ่งมีส่วนช่วยในการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์คุณภาพสูง ตัวรับนี้ช่วยให้แน่ใจว่าเวเฟอร์ได้รับการจัดการด้วยความเอาใจใส่และความแม่นยำสูงสุด ส่งผลให้มีชั้นเอปิเทกเซียลที่เหนือกว่าและผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ที่มีประสิทธิภาพดีกว่า