พื้นผิวเวเฟอร์อลูมิเนียมไนไตรด์ 30 มม

พื้นผิวแผ่นเวเฟอร์อะลูมิเนียมไนไตรด์ Semicorex 30 มม. มีคุณสมบัติที่โดดเด่นซึ่งจำเป็นสำหรับการใช้งานเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง แถบความถี่ที่กว้างช่วยให้อุปกรณ์ทำงานที่แรงดันไฟฟ้าและอุณหภูมิสูงในขณะที่ลดการรั่วไหลของไฟฟ้า ซึ่งเป็นสิ่งสำคัญสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลัง การนำความร้อนสูงของพื้นผิวอะลูมิเนียมไนไตรด์เวเฟอร์ขนาด 30 มม. เป็นส่วนสำคัญในการจัดการความร้อนที่เกิดขึ้นในอุปกรณ์กำลังสูง ซึ่งช่วยเพิ่มความน่าเชื่อถือและประสิทธิภาพของอุปกรณ์ได้อย่างมีประสิทธิภาพ นอกจากนี้ สนามการสลายที่สูงของพื้นผิวอะลูมิเนียมไนไตรด์เวเฟอร์ขนาด 30 มม. ยังช่วยให้อุปกรณ์สามารถทนต่อสนามไฟฟ้าสูงโดยไม่มีการพังทลาย เหมาะสำหรับการใช้งานที่ต้องการความหนาแน่นและประสิทธิภาพของพลังงานสูง

พื้นผิวแผ่นเวเฟอร์อลูมิเนียมไนไตรด์ขนาด 30 มม. มีการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนสูง ส่งผลให้อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เร็วขึ้นพร้อมการตอบสนองความถี่ที่ดีขึ้น คุณลักษณะนี้มีประโยชน์อย่างยิ่งในการผลิตอุปกรณ์ความถี่วิทยุ (RF) และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ความเร็วสูง ซึ่งจำเป็นต้องมีการส่งผ่านสัญญาณและการประมวลผลที่รวดเร็ว นอกจากนี้ ความต้านทานการกัดกร่อนและการแผ่รังสีของพื้นผิวอะลูมิเนียมไนไตรด์เวเฟอร์ขนาด 30 มม. ทำให้เป็นตัวเลือกที่ยอดเยี่ยมสำหรับสภาพแวดล้อมที่รุนแรง เช่น การใช้งานในอวกาศ ซึ่งวัสดุสัมผัสกับก๊าซที่มีฤทธิ์กัดกร่อนและการแผ่รังสีในระดับสูง ความยืดหยุ่นนี้รับประกันความน่าเชื่อถือและการทำงานของอุปกรณ์ในระยะยาวภายใต้สภาวะที่รุนแรง ทำให้พื้นผิวเวเฟอร์อะลูมิเนียมไนไตรด์ขนาด 30 มม. เป็นวัสดุตั้งต้นที่เหมาะสมที่สุดสำหรับอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์และส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์กำลังสูง/ความถี่สูง

ขณะนี้เรานำเสนอผลิตภัณฑ์ซับสเตรตอะลูมิเนียมไนไตรด์คริสตัลเดี่ยวคุณภาพสูงที่ได้มาตรฐานแก่ลูกค้าของเรา โดยมีขนาด 10x10 มม. Φ10มม. Φ15มม. Φ20มม. Φ25.4มม. Φ30มม. และ Φ50.8มม. นอกจากนี้ เรายังจัดหาซับสเตรตผลึกเดี่ยวอะลูมิเนียมไนไตรด์หน้า M ที่ไม่มีขั้วในช่วง 10-20 มม. สำหรับความต้องการตามความต้องการ เราสามารถปรับแต่งชิ้นขัดพื้นผิวคริสตัลเดี่ยวอะลูมิเนียมไนไตรด์ได้ตั้งแต่ 5 มม. ถึง 50.8 มม. ข้อเสนอที่หลากหลายนี้สามารถตอบสนองความต้องการของลูกค้าได้มากมาย และช่วยให้สามารถสำรวจขอบเขตทางเทคโนโลยีที่หลากหลายได้