ALN เวเฟอร์คริสตัลเดี่ยว

Semicorex Aln Crystal Wafer เป็นความก้าวหน้าในการปฏิวัติในเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์นำเสนอการผสมผสานที่เป็นเอกลักษณ์ของคุณสมบัติทางไฟฟ้าความร้อนและกลไกที่ยอดเยี่ยม ในฐานะที่เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ bandgap กว้างที่มี bandgap 6.2 eV, Aln ได้รับการยอมรับมากขึ้นเป็นสารตั้งต้นที่ดีที่สุดสำหรับอุปกรณ์พลังงานสูงความถี่สูงและอัลตราไวโอเลตลึก (UV) คุณสมบัติเหล่านี้วางตำแหน่ง ALN เป็นทางเลือกที่เหนือกว่าสำหรับพื้นผิวแบบดั้งเดิมเช่นไพลิน, ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SIC) และแกลเลียมไนไตรด์ (GAN) โดยเฉพาะอย่างยิ่งในการใช้งานที่เรียกร้องความเสถียรทางความร้อนสูงแรงดันไฟฟ้าสลายสูงและการนำความร้อนที่เหนือกว่า

ในปัจจุบัน ALN Crystal Wafer มีวางจำหน่ายทั่วไปในขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางสูงสุด 2 นิ้ว ในขณะที่ความพยายามในการวิจัยและพัฒนายังคงดำเนินต่อไปความก้าวหน้าในเทคโนโลยีการเติบโตของคริสตัลคาดว่าจะช่วยให้ขนาดเวเฟอร์ที่ใหญ่ขึ้นเพิ่มความสามารถในการผลิตและลดต้นทุนสำหรับการใช้งานอุตสาหกรรม

เช่นเดียวกับการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยว SIC ผลึกเดี่ยว ALN ไม่สามารถปลูกได้ด้วยวิธีการละลาย แต่สามารถปลูกได้โดยการขนส่งไอทางกายภาพ (PVT) เท่านั้น

มีกลยุทธ์การเติบโตที่สำคัญสามประการสำหรับการเติบโตของ ALN Crystal Pvt:

1) การเติบโตของนิวเคลียสที่เกิดขึ้นเอง

2) การเจริญเติบโตของ heteroepitaxial บนพื้นผิว 4H-/6H-SIC

3) การเติบโตของ homoepitaxial

ALN Crystal Wafer มีความโดดเด่นด้วย bandgap กว้างพิเศษของพวกเขาที่ 6.2 eV ซึ่งรับประกันฉนวนไฟฟ้าที่ยอดเยี่ยมและประสิทธิภาพ UV ลึกที่ไม่มีใครเทียบได้ เวเฟอร์เหล่านี้มีสนามไฟฟ้าที่มีการสลายตัวสูงซึ่งเกินกว่า Sic และ Gan ซึ่งวางตำแหน่งเป็นตัวเลือกที่ดีที่สุดสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่มีกำลังสูง ด้วยการนำความร้อนที่น่าประทับใจประมาณ 320 W/MK ทำให้มั่นใจได้ว่าการกระจายความร้อนที่มีประสิทธิภาพข้อกำหนดที่สำคัญสำหรับการใช้งานที่ใช้พลังงานสูง Aln ไม่เพียง แต่มีความเสถียรทางเคมีและความร้อนเท่านั้น แต่ยังรักษาประสิทธิภาพสูงสุดในสภาพแวดล้อมที่รุนแรง ความต้านทานรังสีที่เหนือกว่าทำให้เป็นตัวเลือกที่ไม่มีใครเทียบได้สำหรับการใช้งานอวกาศและนิวเคลียร์ นอกจากนี้คุณสมบัติแบบ piezoelectric ที่น่าทึ่งความเร็วสูงที่เห็นและการมีเพศสัมพันธ์ทางไฟฟ้าที่แข็งแกร่งทำให้มันเป็นตัวเลือกที่โดดเด่นสำหรับอุปกรณ์ SAW ระดับ GHZ SAW และเซ็นเซอร์

ALN Crystal Wafer ค้นหาการใช้งานที่กว้างขวางในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และออพโตอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประสิทธิภาพสูง พวกเขาทำหน้าที่เป็นสารตั้งต้นในอุดมคติสำหรับออพโตรนิกส์อัลตราไวโอเลตลึก (DUV) รวมถึงไฟ LED UV ลึกที่ทำงานในช่วง 200-280 นาโนเมตรสำหรับการฆ่าเชื้อการทำให้บริสุทธิ์น้ำและการใช้งานด้านชีวการแพทย์รวมถึงเลเซอร์ UV (LDS) ที่ใช้ในอุตสาหกรรมอุตสาหกรรมขั้นสูงและการแพทย์ ALN ยังใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่มีกำลังสูงและมีความถี่สูงโดยเฉพาะอย่างยิ่งในความถี่วิทยุ (RF) และส่วนประกอบไมโครเวฟซึ่งแรงดันไฟฟ้าสลายสูงและการกระเจิงของอิเล็กตรอนต่ำช่วยให้ประสิทธิภาพที่เหนือกว่าในแอมพลิฟายเออร์พลังงานและระบบการสื่อสาร นอกจากนี้ยังมีบทบาทสำคัญในพลังงานอิเล็กทรอนิกส์เพิ่มประสิทธิภาพของอินเวอร์เตอร์และตัวแปลงในยานพาหนะไฟฟ้าระบบพลังงานหมุนเวียนและการใช้งานการบินและอวกาศ นอกจากนี้คุณสมบัติ piezoelectric ที่ยอดเยี่ยมของ ALN และความเร็วที่เห็นสูงทำให้เป็นวัสดุที่ดีที่สุดสำหรับคลื่นอะคูสติกพื้นผิว (SAW) และอุปกรณ์ Acoustic Wave (BAW) ซึ่งเป็นสิ่งจำเป็นสำหรับการสื่อสารโทรคมนาคมการประมวลผลสัญญาณและเทคโนโลยีการตรวจจับ เนื่องจากค่าการนำความร้อนที่ยอดเยี่ยม ALN ยังเป็นวัสดุสำคัญในการแก้ปัญหาการจัดการความร้อนสำหรับไฟ LED พลังงานสูงไดโอดเลเซอร์และโมดูลอิเล็กทรอนิกส์ให้การกระจายความร้อนที่มีประสิทธิภาพและการปรับปรุงระยะยาวของอุปกรณ์

Semicorex Aln Crystal Crystal Wafer แสดงถึงอนาคตของพื้นผิวเซมิคอนดักเตอร์นำเสนอคุณสมบัติไฟฟ้าความร้อนและ piezoelectric ที่ไม่มีใครเทียบ การใช้งานของพวกเขาใน Optoelectronics UV Deep, Power Electronics และอุปกรณ์คลื่นอะคูสติกทำให้พวกเขาเป็นวัสดุที่เป็นที่ต้องการอย่างมากสำหรับเทคโนโลยียุคต่อไป ในขณะที่ความสามารถในการผลิตยังคงปรับปรุงอย่างต่อเนื่อง ALN Wafers จะกลายเป็นองค์ประกอบที่ขาดไม่ได้ของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ประสิทธิภาพสูงซึ่งปูทางไปสู่ความก้าวหน้าที่เป็นนวัตกรรมในหลายอุตสาหกรรม