ถ้วยใส่ตัวอย่างโบรอนไนไตรด์แบบกดร้อน

ถ้วยใส่ตัวอย่างโบรอนไนไตรด์แบบกดร้อนเป็นส่วนประกอบเซรามิกประสิทธิภาพสูงที่ทำจากหกเหลี่ยมโบรอนไนไตรด์ผ่านกระบวนการเผาผนึกแบบกดร้อน กระบวนการเผาผนึกแบบกดร้อนช่วยส่งเสริมการจัดเรียงอนุภาคโบรอนไนไตรด์อย่างใกล้ชิดภายใต้อุณหภูมิสูงและความดันสูง ทำให้เกิดโครงสร้างที่มีความหนาแน่นสูง สิ่งนี้จะช่วยลดความพรุนและข้อบกพร่องภายในได้อย่างมีประสิทธิภาพ ในขณะเดียวกันก็ปรับปรุงความแข็งแรงเชิงกลของถ้วยใส่ตัวอย่างได้อย่างมาก ในขณะเดียวกัน ถ้วยใส่ตัวอย่างโบรอนไนไตรด์ที่เตรียมโดยกระบวนการนี้มีเสถียรภาพทางเคมีและความต้านทานการกัดกร่อนที่ดีเยี่ยม และไม่ทำปฏิกิริยากับโลหะหลอมเหลวส่วนใหญ่ คุณสมบัตินี้หลีกเลี่ยงการเสื่อมสภาพของถ้วยใส่ตัวอย่างที่เกิดจากการปนเปื้อนของของเหลวได้อย่างมีประสิทธิภาพ ทำให้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการถลุงโลหะที่เกิดปฏิกิริยา เช่น อลูมิเนียมและแมกนีเซียม

เนื่องจากถ้วยใส่ตัวอย่างต้องผ่านการทำความร้อนและความเย็นอย่างรวดเร็วภายในเตาเผาที่มีอุณหภูมิสูง วัสดุจึงจำเป็นต้องรักษาโครงสร้างเดิมไว้ภายใต้การเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิอย่างกะทันหัน เซรามิกโบรอนไนไตรด์แบบกดร้อนมีเสถียรภาพทางความร้อนที่ดีเยี่ยม ช่วยให้ทนทานต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างกะทันหันและยังคงความเสถียรที่อุณหภูมิสูง คุณลักษณะนี้ลดความเสี่ยงของการแตกร้าว การบิดเบี้ยว หรือการเสียรูปเนื่องจากความร้อนได้อย่างมาก จึงช่วยยืดอายุการใช้งานของถ้วยใส่ตัวอย่าง ดังนั้น การเลือกถ้วยใส่ตัวอย่างโบรอนไนไตรด์แบบกดร้อนของ Semicorex ไม่เพียงแต่ช่วยลดต้นทุนการหยุดทำงานและต้นทุนการจัดซื้อที่เกิดจากการเปลี่ยนถ้วยใส่ตัวอย่างบ่อยๆ แต่ยังสร้างความได้เปรียบด้านต้นทุนและเพิ่มศักยภาพในการอัปเกรดประสิทธิภาพการผลิตสำหรับองค์กรโดยการปรับปรุงความต่อเนื่องในการผลิตและการใช้อุปกรณ์

โดยทั่วไปแล้ว ถ้วยใส่ตัวอย่างโบรอนไนไตรด์แบบกดร้อนมักจะติดตั้งในบริเวณที่ให้ความร้อนแกนกลางของเตาเผาที่มีอุณหภูมิสูง เพื่อรองรับและหลอมวัสดุในสภาวะที่มีอุณหภูมิสูงซึ่งมีความต้องการสูง เนื่องจากเสถียรภาพทางความร้อนที่ดีเยี่ยม ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนต่ำ ความต้านทานการกัดกร่อนที่เหนือกว่า และความแข็งแรงเชิงกลที่ยอดเยี่ยม ถ้วยใส่ตัวอย่างโบรอนไนไตรด์แบบกดร้อนจึงถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในด้านต่อไปนี้:

1. การถลุงและการแปรรูปโลหะ

2. การเจริญเติบโตของผลึกสารกึ่งตัวนำแบบผสม เช่น GaAs และ GaP

3. การประมวลผลแก้วแสงและส่วนประกอบทางแสง