ตัวพาเวเฟอร์ MOCVD สำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์

Semicorex MOCVD Wafer Carriers สำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์เป็นผู้ให้บริการชั้นนำที่ออกแบบมาเพื่อใช้ในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ วัสดุที่มีความบริสุทธิ์สูงช่วยให้มั่นใจได้ถึงโปรไฟล์การระบายความร้อนและรูปแบบการไหลของก๊าซแบบลามิเนต ทำให้ได้เวเฟอร์คุณภาพสูง

ส่งคำถาม

รายละเอียดสินค้า

ตัวพาเวเฟอร์ MOCVD ของเราสำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์มีความบริสุทธิ์สูง ซึ่งเกิดจากการสะสมไอสารเคมี CVD ภายใต้สภาวะคลอรีนที่อุณหภูมิสูง ช่วยให้มั่นใจได้ถึงความสม่ำเสมอและความสม่ำเสมอของผลิตภัณฑ์ นอกจากนี้ยังทนต่อการกัดกร่อนได้สูง โดยมีพื้นผิวหนาแน่นและอนุภาคละเอียด ทำให้ทนทานต่อกรด ด่าง เกลือ และรีเอเจนต์อินทรีย์ ความต้านทานต่อออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูงทำให้มั่นใจได้ถึงความเสถียรที่อุณหภูมิสูงถึง 1600°C
ติดต่อเราวันนี้เพื่อเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOCVD Wafer Carriers สำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์

พารามิเตอร์ของตัวพาเวเฟอร์ MOCVD สำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์

ข้อมูลจำเพาะหลักของการเคลือบ CVD-SIC
คุณสมบัติ SiC-CVD
โครงสร้างคริสตัล	เฟส FCC β
ความหนาแน่น	กรัม/ซม. ³	3.21
ความแข็ง	ความแข็งของวิคเกอร์	2500
ขนาดเกรน	ไมโครเมตร	2~10
ความบริสุทธิ์ของสารเคมี	%	99.99995
ความจุความร้อน	เจ กก-1 K-1	640
อุณหภูมิระเหิด	℃	2700
ความแข็งแกร่งของเฟล็กซ์เจอร์	MPa (RT 4 จุด)	415
โมดูลัสของยัง	เกรดเฉลี่ย (โค้ง 4 พอยต์, 1300°C)	430
การขยายตัวทางความร้อน (C.T.E)	10-6K-1	4.5
การนำความร้อน	(W/mK)	300

คุณลักษณะของตัวรับกราไฟท์เคลือบ SiC สำหรับ MOCVD

- หลีกเลี่ยงการลอกออกและเคลือบให้ทั่วทุกพื้นผิว
ทนต่อการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง: เสถียรที่อุณหภูมิสูงถึง 1600°C
ความบริสุทธิ์สูง: เกิดจากการสะสมไอสารเคมี CVD ภายใต้สภาวะคลอรีนที่อุณหภูมิสูง
ความต้านทานการกัดกร่อน: ความแข็งสูง พื้นผิวหนาแน่น และอนุภาคละเอียด
ความต้านทานการกัดกร่อน: กรด ด่าง เกลือ และรีเอเจนต์อินทรีย์
- บรรลุรูปแบบการไหลของก๊าซแบบลามินาร์ที่ดีที่สุด
- รับประกันความสม่ำเสมอของโปรไฟล์ความร้อน
- ป้องกันการปนเปื้อนหรือการแพร่กระจายของสิ่งสกปรก