> ข่าว

ข่าว

GaN กับ SiC

ขณะนี้มีวัสดุหลายชนิดที่อยู่ระหว่างการตรวจสอบ โดยซิลิคอนคาร์ไบด์มีความโดดเด่นว่าเป็นหนึ่งในวัสดุที่มีแนวโน้มมากที่สุด เช่นเดียวกับ GaN โดยมีแรงดันไฟฟ้าในการทำงานที่สูงกว่า แรงดันพังทลายที่สูงกว่า และค่าการนำไฟฟ้าที่เหนือกว่าเมื่อเทียบกับซิลิคอน นอกจากนี้ เนื่องจากมีค่าการนำความร้อนสูง ซิลิคอนคาร์ไบด......

อ่านเพิ่มเติม

ข้อดีและข้อเสียของการใช้งานแกลเลียมไนไตรด์ (GaN)

ในขณะที่โลกมองหาโอกาสใหม่ๆ ในด้านเซมิคอนดักเตอร์ แกลเลียมไนไตรด์ยังคงโดดเด่นในฐานะตัวเลือกที่มีศักยภาพสำหรับการใช้งานด้านพลังงานและ RF ในอนาคต อย่างไรก็ตาม สำหรับสิทธิประโยชน์ทั้งหมดที่เสนอให้ ยังคงเผชิญกับความท้าทายที่สำคัญ ไม่มีสินค้าประเภท P (ชนิด P) เหตุใด GaN จึงถูกขนานนามว่าเป็นวัสดุเซมิคอนดัก......

อ่านเพิ่มเติม

การใช้เวเฟอร์แกลเลียมออกไซด์

แกลเลียมออกไซด์ (Ga2O3) ได้กลายเป็นวัสดุที่มีแนวโน้มสำหรับการใช้งานต่างๆ โดยเฉพาะอย่างยิ่งในอุปกรณ์ไฟฟ้าและอุปกรณ์ความถี่วิทยุ (RF) ในบทความนี้ เราจะสำรวจโอกาสสำคัญและตลาดเป้าหมายสำหรับแกลเลียมออกไซด์ในโดเมนเหล่านี้

อ่านเพิ่มเติม

แนะนำแกลเลียมออกไซด์ (Ga2O3)

แกลเลียมออกไซด์ (Ga2O3) ในฐานะวัสดุ "เซมิคอนดักเตอร์แถบกว้างพิเศษ" ได้รับความสนใจอย่างต่อเนื่อง เซมิคอนดักเตอร์แถบกว้างพิเศษจัดอยู่ในหมวดหมู่ของ "เซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สี่" และเมื่อเปรียบเทียบกับเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม เช่น ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) และแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) แกลเลียมออกไซด์มีความกว้างข......

อ่านเพิ่มเติม

กราฟิคคืออะไร?

การทำกราไฟท์เป็นกระบวนการในการเปลี่ยนถ่านที่ไม่ใช่กราไฟต์ให้เป็นถ่านกราไฟต์ด้วยโครงสร้างสั่งทำปกติสามมิติของกราไฟท์โดยการอบชุบด้วยความร้อนที่อุณหภูมิสูง โดยใช้ความร้อนต้านทานไฟฟ้าอย่างเต็มที่เพื่อให้ความร้อนแก่วัสดุถ่านถึง 2300~3000 ℃ และเปลี่ยนถ่าน ด้วยโครงสร้างชั้นอสัณฐานที่ไม่เป็นระเบียบจนกลายเป็......

อ่านเพิ่มเติม

การเคลือบในสนามความร้อนของผลึกเดี่ยวซิลิคอนเซมิคอนดักเตอร์

ชิ้นส่วนที่เคลือบในสนามร้อนผลึกเดี่ยวซิลิคอนเซมิคอนดักเตอร์โดยทั่วไปจะเคลือบด้วยวิธี CVD ซึ่งรวมถึงการเคลือบไพโรไลติกคาร์บอน การเคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์ และการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ ซึ่งแต่ละส่วนมีลักษณะที่แตกต่างกัน

อ่านเพิ่มเติม

<...18 19 20 21 22...30 >