ตัวรับ SiC สำหรับ MOCVD

SiC Susceptor ของเราสำหรับ MOCVD เป็นผลิตภัณฑ์คุณภาพสูงที่มีคุณสมบัติหลักหลายประการ ช่วยให้มั่นใจได้ว่าจะเคลือบบนทุกพื้นผิว หลีกเลี่ยงการหลุดลอก และมีความต้านทานต่อการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง ทำให้มั่นใจได้ถึงความเสถียรแม้ในอุณหภูมิสูงถึง 1600°C ผลิตภัณฑ์นี้ผลิตขึ้นด้วยความบริสุทธิ์สูงผ่านการสะสมไอสารเคมี CVD ภายใต้สภาวะคลอรีนที่อุณหภูมิสูง มีพื้นผิวหนาแน่นและมีอนุภาคละเอียด ทำให้ทนทานต่อการกัดกร่อนจากกรด ด่าง เกลือ และรีเอเจนต์อินทรีย์ได้สูง
SiC Susceptor ของเราสำหรับ MOCVD ได้รับการออกแบบมาเพื่อรับประกันรูปแบบการไหลของก๊าซแบบลามินาร์ที่ดีที่สุด ซึ่งรับประกันความสม่ำเสมอของโปรไฟล์ความร้อน โดยป้องกันการปนเปื้อนหรือการแพร่กระจายของสิ่งเจือปน ช่วยให้มั่นใจได้ว่าชิปเวเฟอร์จะเติบโตแบบเอพิแทกเซียลคุณภาพสูง

พารามิเตอร์ของ SiC Susceptor สำหรับ MOCVD

คุณสมบัติของ SiC Susceptor สำหรับ MOCVD

- หลีกเลี่ยงการลอกออกและเคลือบให้ทั่วทุกพื้นผิว
ทนต่อการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง: เสถียรที่อุณหภูมิสูงถึง 1600°C
ความบริสุทธิ์สูง: เกิดจากการสะสมไอสารเคมี CVD ภายใต้สภาวะคลอรีนที่อุณหภูมิสูง
ความต้านทานการกัดกร่อน: ความแข็งสูง พื้นผิวหนาแน่น และอนุภาคละเอียด
ความต้านทานการกัดกร่อน: กรด ด่าง เกลือ และรีเอเจนต์อินทรีย์
- บรรลุรูปแบบการไหลของก๊าซแบบลามินาร์ที่ดีที่สุด
- รับประกันความสม่ำเสมอของโปรไฟล์ความร้อน
- ป้องกันการปนเปื้อนหรือการแพร่กระจายของสิ่งสกปรก