พื้นผิวแกลเลียมออกไซด์ 4"

พื้นผิวแกลเลียมออกไซด์ Semicorex 4" มีความเสถียรทางเคมีและความร้อนที่ดีเยี่ยม ทำให้มั่นใจได้ว่าประสิทธิภาพยังคงสม่ำเสมอและเชื่อถือได้แม้ภายใต้สภาวะที่รุนแรง ความทนทานนี้มีความสำคัญอย่างยิ่งในการใช้งานที่เกี่ยวข้องกับอุณหภูมิสูงและสภาพแวดล้อมที่เกิดปฏิกิริยา นอกจากนี้ พื้นผิวแกลเลียมออกไซด์ขนาด 4" ยังรักษาความโปร่งใสด้านการมองเห็นที่ดีเยี่ยม ในช่วงความยาวคลื่นกว้างตั้งแต่อัลตราไวโอเลตไปจนถึงอินฟราเรด ทำให้น่าสนใจสำหรับการใช้งานด้านออปโตอิเล็กทรอนิกส์ รวมถึงไดโอดเปล่งแสงและไดโอดเลเซอร์

ด้วยช่องว่างแถบความถี่ตั้งแต่ 4.7 ถึง 4.9 eV พื้นผิวแกลเลียมออกไซด์ขนาด 4 นิ้วจึงเหนือกว่าซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) และแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) อย่างมีนัยสำคัญในด้านความแข็งแกร่งของสนามไฟฟ้าวิกฤต โดยสูงถึง 8 MV/ซม. เมื่อเทียบกับ SiC ที่ 2.5 MV/ซม. และ คุณสมบัตินี้ของ GaN อยู่ที่ 3.3 MV/cm เมื่อรวมกับการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนที่ 250 cm²/Vs และความโปร่งใสในการนำไฟฟ้าที่เพิ่มขึ้น ทำให้พื้นผิว Gallium Oxide ขนาด 4 นิ้วมีความได้เปรียบอย่างมากในระบบอิเล็กทรอนิกส์กำลัง ค่าความดีของ Baliga นั้นเกิน 3,000 มากกว่า GaN และ SiC หลายเท่า ซึ่งบ่งชี้ถึงประสิทธิภาพที่เหนือกว่าในการใช้พลังงาน

พื้นผิวแกลเลียมออกไซด์ Semicorex 4" มีข้อได้เปรียบเป็นพิเศษสำหรับการใช้งานในการสื่อสาร เรดาร์ การบินและอวกาศ รถไฟความเร็วสูง และยานพาหนะพลังงานใหม่ เหมาะอย่างยิ่งสำหรับเซ็นเซอร์ตรวจจับรังสีในภาคส่วนเหล่านี้ โดยเฉพาะอย่างยิ่งในพลังงานสูง อุณหภูมิสูง และอุปกรณ์ความถี่สูงที่ Ga2O3 มีข้อได้เปรียบเหนือ SiC และ GaN อย่างมาก