Ga2O3 เอพิแทกซี

ก้าวเข้าสู่ยุคใหม่ของความเป็นเลิศด้านเซมิคอนดักเตอร์ด้วย Semicorex Ga2O3 Epitaxy ซึ่งเป็นโซลูชันที่ก้าวล้ำซึ่งกำหนดขอบเขตใหม่ของพลังงานและประสิทธิภาพ ออกแบบด้วยความแม่นยำและนวัตกรรม Ga2O3 epitaxy นำเสนอแพลตฟอร์มสำหรับอุปกรณ์ยุคหน้า ซึ่งให้ประสิทธิภาพที่ไม่มีใครเทียบได้ในการใช้งานต่างๆ

ส่งคำถาม

รายละเอียดสินค้า

Ga2O3 epitaxy ซึ่งได้มาจากเซมิคอนดักเตอร์แบบแถบความถี่กว้างรุ่นที่สี่ นำเสนอระดับใหม่ของความเสถียรด้านประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือในสภาพแวดล้อมที่รุนแรง ลักษณะแถบความถี่กว้างทำให้มันเป็นวัสดุทางเลือกสำหรับการใช้งานที่มีอุณหภูมิสูงและรังสีสูง

ความแรงของสนามพังทลายสูง: ได้รับประโยชน์จากความแรงของสนามพังทลายที่ยอดเยี่ยมของ Ga2O3 และค่า Baliga ที่สูงขึ้น ทำให้เป็นวัสดุที่ไม่มีใครเทียบได้สำหรับการใช้งานไฟฟ้าแรงสูงและกำลังสูง Ga2O3 epitaxy ช่วยให้มั่นใจได้ถึงความน่าเชื่อถือที่เพิ่มขึ้นและการสูญเสียพลังงานน้อยที่สุด

Ga2O3 epitaxy stands out with its superior power efficiency. Boasting Baliga values four times that of GaN and ten times that of SiC, it presents excellent conduction characteristics. Ga2O3 epitaxy devices exhibit power losses merely at 1/7th of SiC and an impressive 1/49th of silicon-based devices.

ความแข็งที่ลดลงของ Ga2O3 epitaxy ช่วยให้กระบวนการผลิตง่ายขึ้น ส่งผลให้ต้นทุนการประมวลผลลดลง ข้อได้เปรียบนี้ทำให้ Ga2O3 epitaxy เป็นโซลูชันที่คุ้มค่าและสามารถปรับขนาดได้สำหรับการใช้งานที่หลากหลาย