แผ่นแกะสลักพลาสม่า ICP

แผ่นแกะสลักพลาสม่า ICP ของ Semicorex ให้ความต้านทานความร้อนและการกัดกร่อนที่เหนือกว่าสำหรับการจัดการแผ่นเวเฟอร์และกระบวนการสะสมฟิล์มบาง ผลิตภัณฑ์ของเราได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมให้ทนทานต่ออุณหภูมิสูงและการทำความสะอาดด้วยสารเคมีที่รุนแรง จึงมั่นใจได้ถึงความทนทานและอายุการใช้งานที่ยาวนาน ด้วยพื้นผิวที่สะอาดและเรียบเนียน ถาดใส่ของเราจึงเหมาะอย่างยิ่งสำหรับการจัดการเวเฟอร์ที่ใสสะอาด

ส่งคำถาม

รายละเอียดสินค้า

เมื่อพูดถึงเรื่องการสะสมของฟิล์มบางและการจัดการแผ่นเวเฟอร์ ไว้วางใจ ICP Plasma Etching Plate ของ Semicorex ผลิตภัณฑ์ของเรามีความต้านทานความร้อนและการกัดกร่อนที่เหนือกว่า ความสม่ำเสมอของความร้อน และรูปแบบการไหลของก๊าซแบบลามิเนตที่เหมาะสมที่สุด ด้วยพื้นผิวที่สะอาดและเรียบเนียน ถาดใส่ของเราจึงเหมาะอย่างยิ่งสำหรับการจัดการเวเฟอร์ที่ใสสะอาด

แผ่นกัดพลาสม่า ICP ของเราได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ได้รูปแบบการไหลของก๊าซแบบลามิเนตที่ดีที่สุด เพื่อให้มั่นใจว่าโปรไฟล์ความร้อนมีความสม่ำเสมอ ซึ่งจะช่วยป้องกันการปนเปื้อนหรือการแพร่กระจายของสิ่งเจือปน ทำให้มั่นใจได้ว่าชิปเวเฟอร์จะเติบโตแบบเอพิแทกเซียลคุณภาพสูง

ติดต่อเราวันนี้เพื่อเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ ICP Plasma Etching Plate

พารามิเตอร์ของแผ่นแกะสลักพลาสม่า ICP

ข้อมูลจำเพาะหลักของการเคลือบ CVD-SIC
คุณสมบัติ SiC-CVD
โครงสร้างคริสตัล	เฟส FCC β
ความหนาแน่น	กรัม/ซม. ³	3.21
ความแข็ง	ความแข็งของวิคเกอร์	2500
ขนาดเกรน	ไมโครเมตร	2~10
ความบริสุทธิ์ของสารเคมี	%	99.99995
ความจุความร้อน	เจ กก-1 K-1	640
อุณหภูมิระเหิด	℃	2700
ความแข็งแกร่งของเฟล็กซ์เจอร์	MPa (RT 4 จุด)	415
โมดูลัสของยัง	เกรดเฉลี่ย (โค้ง 4 พอยต์, 1300°C)	430
การขยายความร้อน (C.T.E)	10-6K-1	4.5
การนำความร้อน	(W/mK)	300