ผู้ให้บริการแกะสลัก ICP ซิลิคอนคาร์ไบด์

กำลังมองหาตัวพาเวเฟอร์ที่เชื่อถือได้สำหรับกระบวนการแกะสลักอยู่ใช่ไหม? ไม่ต้องมองหาที่ไหนไกลไปกว่าผู้ให้บริการกัดกรด ICP ของซิลิคอนคาร์ไบด์ของ Semicorex ผลิตภัณฑ์ของเราได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมให้ทนทานต่ออุณหภูมิสูงและการทำความสะอาดด้วยสารเคมีที่รุนแรง จึงมั่นใจได้ถึงความทนทานและอายุการใช้งานที่ยาวนาน ด้วยพื้นผิวที่สะอาดและเรียบเนียน ถาดใส่ของเราจึงเหมาะอย่างยิ่งสำหรับการจัดการเวเฟอร์ที่ใสสะอาด

ส่งคำถาม

รายละเอียดสินค้า

รับประกันรูปแบบการไหลของก๊าซแบบลามินาร์ที่เหมาะสมที่สุดและความสม่ำเสมอของโปรไฟล์ความร้อนด้วยตัวพากัดกรด ICP ของซิลิคอนคาร์ไบด์ของ Semicorex ผลิตภัณฑ์ของเราได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ได้ผลลัพธ์ที่ดีที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้สำหรับกระบวนการสะสมฟิล์มบางและกระบวนการจัดการแผ่นเวเฟอร์ ด้วยความต้านทานความร้อนและการกัดกร่อนที่เหนือกว่า ผู้ให้บริการของเราจึงเป็นตัวเลือกที่สมบูรณ์แบบสำหรับการใช้งานที่มีความต้องการสูง

ที่ Semicorex เรามุ่งเน้นในการนำเสนอผลิตภัณฑ์คุณภาพสูงและคุ้มค่าแก่ลูกค้าของเรา ผู้ให้บริการกัดกรดซิลิคอนคาร์ไบด์ ICP ของเรามีข้อได้เปรียบด้านราคาและส่งออกไปยังตลาดยุโรปและอเมริกาหลายแห่ง เรามุ่งมั่นที่จะเป็นพันธมิตรระยะยาวของคุณ นำเสนอผลิตภัณฑ์ที่มีคุณภาพสม่ำเสมอและการบริการลูกค้าที่เป็นเลิศ

ติดต่อเราวันนี้เพื่อเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับผู้ให้บริการกัดกรด ICP ของซิลิคอนคาร์ไบด์

พารามิเตอร์ของผู้ให้บริการแกะสลัก ICP ของซิลิคอนคาร์ไบด์

ข้อมูลจำเพาะหลักของการเคลือบ CVD-SIC
คุณสมบัติ SiC-CVD
โครงสร้างคริสตัล	เฟส FCC β
ความหนาแน่น	กรัม/ซม. ³	3.21
ความแข็ง	ความแข็งของวิคเกอร์	2500
ขนาดเกรน	ไมโครเมตร	2~10
ความบริสุทธิ์ของสารเคมี	%	99.99995
ความจุความร้อน	เจ กก-1 K-1	640
อุณหภูมิระเหิด	℃	2700
ความแข็งแกร่งของเฟล็กซ์เจอร์	MPa (RT 4 จุด)	415
โมดูลัสของยัง	เกรดเฉลี่ย (โค้ง 4 พอยต์, 1300°C)	430
การขยายความร้อน (C.T.E)	10-6K-1	4.5
การนำความร้อน	(W/mK)	300