กราไฟท์เคลือบคาร์บอน ICP ซิลิคอน

กราไฟท์เคลือบซิลิคอนคาร์บอน ICP ของ Semicorex เป็นตัวเลือกที่ดีเยี่ยมสำหรับกระบวนการจัดการแผ่นเวเฟอร์และกระบวนการสะสมฟิล์มบางที่มีความต้องการสูง ผลิตภัณฑ์ของเรามีความต้านทานความร้อนและการกัดกร่อนที่เหนือกว่า ความสม่ำเสมอของความร้อน และรูปแบบการไหลของก๊าซแบบลามิเนตที่เหมาะสมที่สุด

ส่งคำถาม

รายละเอียดสินค้า

ตัวพาเวเฟอร์ที่ใช้ในการประมวลผลการเจริญเติบโตของอีปิเทกเซียลจะต้องทนต่ออุณหภูมิสูงและการทำความสะอาดสารเคมีที่รุนแรง ตัวรับกราไฟท์เคลือบคาร์บอน Semicorex ICP ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมมาโดยเฉพาะสำหรับการใช้งานอุปกรณ์ epitaxy ที่มีความต้องการสูงเหล่านี้ ผลิตภัณฑ์ของเราได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมให้ทนทานต่ออุณหภูมิสูงและการทำความสะอาดด้วยสารเคมีที่รุนแรง ทำให้มั่นใจได้ถึงอายุการใช้งานที่ยาวนานและผลลัพธ์ที่ดีที่สุด
กราไฟท์เคลือบซิลิคอนคาร์บอน ICP ของเราได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ได้รูปแบบการไหลของก๊าซแบบลามินาร์ที่ดีที่สุด เพื่อให้มั่นใจว่าโปรไฟล์ความร้อนมีความสม่ำเสมอ ซึ่งจะช่วยป้องกันการปนเปื้อนหรือการแพร่กระจายของสิ่งเจือปน ทำให้มั่นใจได้ว่าชิปเวเฟอร์จะเติบโตแบบเอพิแทกเซียลคุณภาพสูง
ติดต่อเราวันนี้เพื่อเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับกราไฟท์เคลือบคาร์บอนซิลิคอน ICP ของเรา

พารามิเตอร์ของกราไฟท์เคลือบคาร์บอนซิลิคอน ICP

ข้อมูลจำเพาะหลักของการเคลือบ CVD-SIC
คุณสมบัติ SiC-CVD
โครงสร้างคริสตัล	เฟส FCC β
ความหนาแน่น	กรัม/ซม. ³	3.21
ความแข็ง	ความแข็งของวิคเกอร์	2500
ขนาดเกรน	ไมโครเมตร	2~10
ความบริสุทธิ์ของสารเคมี	%	99.99995
ความจุความร้อน	เจ กก-1 K-1	640
อุณหภูมิระเหิด	℃	2700
ความแข็งแกร่งของเฟล็กซ์เจอร์	MPa (RT 4 จุด)	415
โมดูลัสของยัง	เกรดเฉลี่ย (โค้ง 4 พอยต์, 1300°C)	430
การขยายตัวทางความร้อน (C.T.E)	10-6K-1	4.5
การนำความร้อน	(W/mK)	300