LTOI เวเฟอร์

Semicorex นำเสนอเวเฟอร์ LTOI คุณภาพสูงที่ออกแบบมาสำหรับแอพพลิเคชั่นขั้นสูงในตัวกรอง RF อุปกรณ์ออพติคอลและเทคโนโลยี MEMS เวเฟอร์ของเรามีชั้นลิเธียม Tantalate (LT) ที่มีช่วงความหนา 0.3-50 µm ทำให้มั่นใจได้ว่าประสิทธิภาพแบบ piezoelectric ที่ยอดเยี่ยมและความเสถียรทางความร้อน

มีให้เลือกในขนาด 6 นิ้วและ 8 นิ้วเวเฟอร์เหล่านี้รองรับการวางแนวคริสตัลต่างๆรวมถึงการตัด X, Z และ Y-42 ซึ่งให้ความหลากหลายสำหรับข้อกำหนดของอุปกรณ์ที่แตกต่างกัน พื้นผิวฉนวนสามารถปรับแต่งให้เป็น Si, Sic, Sapphire,

 Spinel หรือ Quartz เพิ่มประสิทธิภาพการทำงานสำหรับแอปพลิเคชันเฉพาะ

คริสตัลลิเธียม tantalate (LT, Litao3) เป็นวัสดุคริสตัลอเนกประสงค์ที่สำคัญที่มี piezoelectric ที่ยอดเยี่ยม, ferroelectric, acousto-optic และ electro-optic effects ผลึก LT เกรดอะคูสติกที่ตรงกับแอพพลิเคชั่น piezoelectric สามารถใช้ในการเตรียม resonators อะคูสติกบรอดแบนด์ความถี่สูง, ทรานสดิวเซอร์, สายหน่วง, ตัวกรองและอุปกรณ์อื่น ๆ ซึ่งใช้ในการสื่อสารเคลื่อนที่การสื่อสารผ่านดาวเทียม ทุ่งนา

อุปกรณ์คลื่นอะคูสติกแบบดั้งเดิม (SAW) จัดทำขึ้นบนบล็อกผลึกเดี่ยว LT และอุปกรณ์มีขนาดใหญ่และไม่สามารถใช้งานได้กับกระบวนการ CMOS การใช้ฟิล์มผลึกเดี่ยวแบบเพียโซอิเล็กทริกประสิทธิภาพสูงเป็นตัวเลือกที่ดีในการปรับปรุงการรวมอุปกรณ์เลื่อยและลดต้นทุน อุปกรณ์ SAW บนพื้นฐานของฟิล์มบาง ๆ ผลึกเดี่ยว Piezoelectric ไม่เพียง แต่สามารถปรับปรุงความสามารถในการรวมของอุปกรณ์ SAW โดยใช้วัสดุเซมิคอนดักเตอร์เป็นสารตั้งต้น แต่ยังปรับปรุงความเร็วในการส่งคลื่นเสียงโดยการเลือกซิลิกอนความเร็วสูง Sapphire หรือ Diamond พื้นผิวเหล่านี้สามารถยับยั้งการสูญเสียคลื่นในการส่งผ่านโดยการนำพลังงานภายในชั้น piezoelectric ดังนั้นการเลือกฟิล์มคริสตัลเดี่ยวแบบเพียโซอิเล็กทริกที่เหมาะสมและกระบวนการเตรียมการเป็นปัจจัยสำคัญในการได้รับอุปกรณ์ SAW ที่มีประสิทธิภาพสูงราคาประหยัดและแบบบูรณาการสูง

เพื่อตอบสนองความต้องการเร่งด่วนของอุปกรณ์อะคูสติกแบบ piezoelectric รุ่นต่อไปสำหรับการรวมการย่อความถี่สูงและแบนด์วิดท์ขนาดใหญ่ภายใต้แนวโน้มการพัฒนาของการรวมและ miniaturization ของ RF front-end, การผสมผสานของฟิล์ม โซลูชันสำหรับการพัฒนาประสิทธิภาพที่สูงขึ้นและอุปกรณ์ประมวลผลสัญญาณ RF ที่ลดลง LTOI เป็นเทคโนโลยีปฏิวัติ อุปกรณ์ SAW บนพื้นฐานของ LTOI เวเฟอร์มีข้อดีของขนาดเล็กแบนด์วิดท์ขนาดใหญ่ความถี่ในการดำเนินงานสูงและการรวม IC และมีโอกาสในการใช้งานในตลาดในวงกว้าง

เทคโนโลยีการปลูกถ่ายไอออนคริสตัล (CIS) สามารถเตรียมวัสดุฟิล์มบางคริสตัลที่มีคุณภาพสูงที่มีความหนาของ submicron และมีข้อดีของกระบวนการเตรียมการควบคุมได้พารามิเตอร์กระบวนการที่ปรับได้เช่นพลังงานการปลูกถ่ายไอออนปริมาณการฝังและอุณหภูมิการหลอม เมื่อเทคโนโลยี CIS เติบโตขึ้นเทคโนโลยีอัจฉริยะที่ใช้เทคโนโลยี CIS และเทคโนโลยีพันธะเวเฟอร์ไม่เพียง แต่สามารถปรับปรุงผลผลิตของวัสดุพื้นผิวได้ แต่ยังลดค่าใช้จ่ายเพิ่มเติมผ่านการใช้วัสดุหลายอย่าง รูปที่ 1 เป็นแผนผังแผนผังของการฝังไอออนและการยึดติดเวเฟอร์และการลอก เทคโนโลยีอัจฉริยะได้รับการพัฒนาเป็นครั้งแรกโดย Soitec ในฝรั่งเศสและนำไปใช้กับการเตรียมเวเฟอร์ซิลิคอน-บนฉนวนคุณภาพสูง (SOI) เวเฟอร์ [18] เทคโนโลยีสมาร์ทตัดไม่เพียง แต่สร้างเวเฟอร์ซอยที่มีคุณภาพสูงและราคาถูกเท่านั้น แต่ยังควบคุมความหนาของ SI บนชั้นฉนวนโดยการเปลี่ยนพลังงานการปลูกถ่ายไอออน ดังนั้นจึงมีข้อได้เปรียบที่แข็งแกร่งในการเตรียมวัสดุซอย นอกจากนี้เทคโนโลยีสมาร์ทตัดยังมีความสามารถในการถ่ายโอนฟิล์มคริสตัลเดี่ยวที่หลากหลายไปยังสารตั้งต้นที่แตกต่างกัน มันสามารถใช้ในการเตรียมวัสดุฟิล์มบางหลายชั้นที่มีฟังก์ชั่นและการใช้งานพิเศษเช่นการสร้างฟิล์ม LT บนพื้นผิว SI และการเตรียมวัสดุฟิล์มบาง piezoelectric คุณภาพสูงบนซิลิคอน (SI) ดังนั้นเทคโนโลยีนี้จึงกลายเป็นวิธีการที่มีประสิทธิภาพในการเตรียมฟิล์มคริสตัลลิเธียมที่มีคุณภาพสูง