ซอยเวเฟอร์ซิลิคอนออนฉนวน

SOI Wafer Silicon On Insulator หรือที่รู้จักในชื่อ Silicon-On-Insulator wafer เป็นเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ประเภทหนึ่งที่ใช้กันอย่างแพร่หลายในการผลิตวงจรรวมขั้นสูง (IC) มีข้อดีหลายประการเหนือเวเฟอร์ซิลิคอนจำนวนมากแบบดั้งเดิม ทำให้เป็นตัวเลือกยอดนิยมในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์

โครงสร้างของ SOI Wafer Silicon On Insulator ประกอบด้วยสามชั้นหลัก: ชั้นบางของซิลิคอน (ชั้นอุปกรณ์), ชั้นของวัสดุฉนวน (กล่อง) และชั้นฐานซิลิกอนจำนวนมาก (ที่จับ)

ชั้นฉนวนใน SOI Wafer Silicon On Insulator มีประโยชน์หลายประการ ประการแรก จะลดความจุปรสิตระหว่างทรานซิสเตอร์ ส่งผลให้ประสิทธิภาพของวงจรดีขึ้นและการทำงานที่ความเร็วสูงขึ้น ความจุที่ลดลงนี้ยังช่วยลดการใช้พลังงาน ทำให้อุปกรณ์ SOI เหมาะสำหรับการใช้งานที่ประหยัดพลังงาน

นอกจากนี้ ชั้นฉนวนยังให้การแยกทางไฟฟ้าระหว่างอุปกรณ์ที่ใช้งานอยู่ ลดการพูดคุยข้าม และปรับปรุงความสมบูรณ์ของสัญญาณในวงจรความถี่สูง นี่เป็นข้อได้เปรียบอย่างยิ่งในการใช้งานความถี่วิทยุ (RF) และแอนะล็อกที่คุณภาพของสัญญาณมีความสำคัญ

ข้อดีอีกประการหนึ่งของ SOI Wafer Silicon On Insulator คือความแข็งของการแผ่รังสี ชั้นฉนวนทำหน้าที่เป็นเกราะป้องกันตามธรรมชาติต่อผลกระทบที่เกิดจากรังสี ทำให้อุปกรณ์ SOI ทนทานต่อความเสียหายจากรังสีได้มากขึ้น คุณสมบัตินี้ทำให้เทคโนโลยี SOI เหมาะสำหรับการบินและอวกาศ นิวเคลียร์ และสภาพแวดล้อมที่มีรังสีสูงอื่นๆ