ตัวรับแบนเคลือบ SiC

เซมิคอร์เร็กซ์การเคลือบ SiCFlat Susceptor เป็นเวเฟอร์โฮลเดอร์ที่จำเป็นซึ่งออกแบบมาสำหรับกระบวนการเติบโตแบบอีปิเทกเซียลในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมมาโดยเฉพาะเพื่อรองรับการสะสมของชั้นอีพิแทกเซียลบนพื้นผิว ซัเซปเตอร์นี้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานที่มีประสิทธิภาพสูง เช่น อุปกรณ์ LED อุปกรณ์กำลังสูง และเทคโนโลยีการสื่อสาร RF ด้วยการใช้เทคนิค CVD (การสะสมไอสารเคมี) ช่วยให้สามารถเติบโตได้อย่างแม่นยำของชั้นวิกฤต เช่น GaAs บนพื้นผิวซิลิกอน, SiC บนพื้นผิว SiC ที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้า และ GaN บนพื้นผิว SiC กึ่งฉนวน

ในระหว่างกระบวนการผลิตแผ่นเวเฟอร์ แผ่นเวเฟอร์บางชนิดจำเป็นต้องสร้างชั้นเอปิเทกเซียลเพิ่มเติมเพื่ออำนวยความสะดวกในการผลิตอุปกรณ์ ตัวอย่างทั่วไป ได้แก่ อุปกรณ์เปล่งแสง LED ซึ่งต้องมีการเตรียมชั้น epitaxis ของ GaAs บนพื้นผิวซิลิกอน ชั้นอีปิแอกเซียลของ SiC ถูกปลูกบนซับสเตรต SiC ที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าเพื่อสร้างอุปกรณ์ เช่น SBD และ MOSFET สำหรับการใช้งานไฟฟ้าแรงสูง กระแสสูง และพลังงานอื่นๆ ชั้นอีปิแอกเชียล GaN ถูกสร้างขึ้นบนพื้นผิว SiC กึ่งฉนวนเพื่อสร้าง HEMT และอุปกรณ์อื่นๆ เพิ่มเติมสำหรับการสื่อสารและการใช้งานความถี่วิทยุอื่นๆ กระบวนการนี้แยกออกจากอุปกรณ์ CVD ไม่ได้

ในอุปกรณ์ CVD ไม่สามารถวางซับสเตรตบนโลหะโดยตรงหรือเพียงบนฐานสำหรับการสะสมที่เยื่อบุผิว เนื่องจากเกี่ยวข้องกับปัจจัยหลายอย่าง เช่น ทิศทางการไหลของก๊าซ (แนวนอน แนวตั้ง) อุณหภูมิ ความดัน การตรึง และการปนเปื้อนที่ตกลงมา ดังนั้นจึงจำเป็นต้องมีฐาน จากนั้นจึงวางวัสดุพิมพ์บนถาด จากนั้นจึงทำการสะสมอีพิแทกเซียลบนพื้นผิวโดยใช้เทคโนโลยีซีวีดี- ฐานนี้เป็นฐานกราไฟท์เคลือบ SiC (หรือที่เรียกว่าถาด)

การใช้งาน

ที่การเคลือบ SiCFlat Susceptor ถูกนำไปใช้ในอุตสาหกรรมต่างๆ สำหรับการใช้งานที่แตกต่างกัน:

การผลิต LED: ในการผลิต LED ที่ใช้ GaAs ตัวรับจะยึดซับสเตรตซิลิกอนในระหว่างกระบวนการ CVD เพื่อให้มั่นใจว่าชั้น epitaxis ของ GaAs นั้นถูกสะสมอย่างถูกต้อง

อุปกรณ์กำลังสูง: สำหรับอุปกรณ์ต่างๆ เช่น MOSFET ที่ใช้ SiC และ Schottky Barrier Diodes (SBD) ตัวรับจะรองรับการเติบโตแบบอีปิแอกเซียลของชั้น SiC บนพื้นผิว SiC ที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้า ซึ่งจำเป็นสำหรับการใช้งานไฟฟ้าแรงสูงและกระแสไฟฟ้าสูง

อุปกรณ์สื่อสาร RF: ในการพัฒนา GaN HEMT บนพื้นผิว SiC กึ่งฉนวน ตัวรับจะมอบความเสถียรที่จำเป็นในการขยายเลเยอร์ที่แม่นยำ ซึ่งมีความสำคัญอย่างยิ่งต่อแอปพลิเคชัน RF ความถี่สูงและประสิทธิภาพสูง

ความอเนกประสงค์ของ SiC Coating Flat Susceptor ทำให้เป็นเครื่องมือสำคัญในการเติบโตของชั้นเอพิแทกเซียลสำหรับการใช้งานที่หลากหลายเหล่านี้

เนื่องจากเป็นหนึ่งในองค์ประกอบหลักของอุปกรณ์ MOCVD ตัวรับกราไฟต์จึงเป็นตัวพาและองค์ประกอบความร้อนของซับสเตรต ซึ่งจะกำหนดความสม่ำเสมอและความบริสุทธิ์ของวัสดุฟิล์มบางโดยตรง ดังนั้นคุณภาพจึงส่งผลโดยตรงต่อการเตรียมเวเฟอร์เอพิแทกเซียล ในขณะเดียวกันก็เสื่อมสภาพได้ง่ายมากด้วยระยะเวลาการใช้งานที่เพิ่มขึ้นและการเปลี่ยนแปลงสภาพการทำงาน และเป็นวัสดุสิ้นเปลือง

การเคลือบ SiC Flat Susceptor ได้รับการออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการที่เข้มงวดของกระบวนการ CVD:

• การไหลของก๊าซที่ปรับให้เหมาะสม: การออกแบบที่แบนราบของตัวรับช่วยรักษาการไหลของก๊าซที่สม่ำเสมอรอบๆ สารตั้งต้น ซึ่งมีความสำคัญอย่างยิ่งต่อการสะสมตัวของชั้นเอพิแทกเซียลที่สม่ำเสมอ
• การควบคุมอุณหภูมิ: ด้วยค่าการนำความร้อนสูง SiC Coating Flat Susceptor ช่วยให้ควบคุมอุณหภูมิได้อย่างแม่นยำในระหว่างกระบวนการสะสม เพื่อให้แน่ใจว่าพื้นผิวจะอยู่ในช่วงอุณหภูมิที่ต้องการ ซึ่งจำเป็นสำหรับการบรรลุคุณสมบัติของวัสดุที่ต้องการ
• การจัดการที่ง่าย: พื้นผิวที่เรียบและเรียบของตัวรับทำให้ง่ายต่อการจัดการและโหลด/ขนวัสดุพิมพ์ โดยไม่สร้างความเสียหายให้กับแผ่นเวเฟอร์ที่ละเอียดอ่อนหรือทำให้เกิดสิ่งปนเปื้อน

ด้วยการมอบแพลตฟอร์มที่มั่นคง สะอาด และมีประสิทธิภาพเชิงความร้อนสำหรับการเติบโตแบบอีปิเทกเซียล SiC Coating Flat Susceptor ช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพโดยรวมและผลผลิตของกระบวนการ CVD ได้อย่างมาก

เซมิคอร์เร็กซ์การเคลือบ SiCFlat Susceptor ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมเพื่อให้ตรงตามมาตรฐานสูงสุดด้านความแม่นยำและคุณภาพ รับประกันประสิทธิภาพที่โดดเด่นในกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ที่สำคัญ เราพิสูจน์ให้เห็นแล้วว่าสามารถส่งมอบผลิตภัณฑ์ที่สม่ำเสมอ ผลลัพธ์ที่เชื่อถือได้ในระบบ CVD เสริมศักยภาพในการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่เหนือกว่า ด้วยการทนทานต่อสารเคมีที่โดดเด่น การจัดการความร้อนที่ยอดเยี่ยม และความทนทานที่ไม่มีใครเทียบได้ Semicorex SiC Coating Flat Susceptor จึงโดดเด่นในฐานะตัวเลือกขั้นสุดท้ายสำหรับผู้ผลิตที่มุ่งหวังที่จะเพิ่มประสิทธิภาพกระบวนการเอพิแทกซีของเวเฟอร์

Semicorex SiC Coating Flat Susceptor เป็นส่วนประกอบที่ขาดไม่ได้ในการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ต้องการการขยายตัวของเยื่อบุผิว ความทนทานที่เหนือกว่า ความต้านทานต่อความเครียดจากความร้อนและสารเคมี และความสามารถในการรักษาสภาวะที่แม่นยำในระหว่างกระบวนการสะสม ทำให้จำเป็นสำหรับระบบ CVD สมัยใหม่ ด้วย Semicorex SiC Coating Flat Susceptor ผู้ผลิตจะได้รับโซลูชันที่แข็งแกร่งเพื่อให้ได้ชั้นเอพิเทเชียลคุณภาพสูงสุด ซึ่งรับประกันประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยมในการใช้งานเซมิคอนดักเตอร์จำนวนมาก ร่วมมือกับ Semicorex เพื่อยกระดับกระบวนการผลิตของคุณด้วยผลิตภัณฑ์ที่ได้รับการออกแบบอย่างพิถีพิถันเพื่อประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือสูงสุด