ตัวรับแพนเค้กเคลือบ SiC

เซมิคอร์เร็กซ์การเคลือบ SiCPancake Susceptor เป็นชิ้นส่วนเจเนอเรชั่นถัดไปสำหรับการติดตั้งในระบบ MOCVD การสะสมไอของสารเคมีอินทรีย์โลหะ ระบบเหล่านี้เป็นส่วนสำคัญของกลไกที่ชั้นเอพิแทกเซียลจะสะสมอยู่บนพื้นผิวที่หลากหลาย ตัวรับพิเศษที่แสดงไว้ที่นี่มีไว้สำหรับการใช้งานเซมิคอนดักเตอร์โดยเฉพาะ สำหรับการผลิต LED อุปกรณ์กำลังสูง และอุปกรณ์ RF วัสดุพิมพ์ที่ใช้ในงานเหล่านี้มักต้องมีชั้นเอพิแทกเซียลที่สามารถก่อตัวบนวัสดุ เช่น แซฟไฟร์หรือ SiC ที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าและกึ่งฉนวนได้ ตัวรับแพนเค้กเคลือบ SiC นี้ให้ประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยมในเครื่องปฏิกรณ์ MOCVD ด้วยการสะสมที่มีประสิทธิภาพ เชื่อถือได้ และแม่นยำ

บริษัทมีชื่อเสียงในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ในด้านคุณสมบัติของวัสดุที่ดีเยี่ยม โครงสร้างที่มั่นคง และความสามารถในการปรับแต่งสำหรับกระบวนการ MOCVD เฉพาะ เนื่องจากความต้องการชั้นเอพิเทเชียลคุณภาพสูงเพิ่มขึ้นในด้านพลังงานและการใช้งาน RF การเลือก Semicorex จึงรับประกันว่าคุณจะได้ผลิตภัณฑ์ระดับแนวหน้าที่ให้ประสิทธิภาพสูงสุดและอายุการใช้งานที่ยาวนาน ตัวรับนี้เป็นฐานสำหรับเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์และนำไปใช้ในระหว่างกระบวนการสะสมชั้นเอพิแทกเซียลบนเซมิคอนดักเตอร์ เลเยอร์เหล่านี้อาจใช้สำหรับการผลิตอุปกรณ์ที่มี LED, HEMT และอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์กำลัง เช่น SBD และ MOSFET อุปกรณ์ดังกล่าวมีความสำคัญอย่างยิ่งต่อการสื่อสารสมัยใหม่ อิเล็กทรอนิกส์กำลังสูง และแอปพลิเคชันออปโตอิเล็กทรอนิกส์

คุณสมบัติและคุณประโยชน์

1. การนำความร้อนสูงและการกระจายความร้อนสม่ำเสมอ

หนึ่งในคุณสมบัติที่สำคัญของ SiC Coating Pancake Susceptor คือการนำความร้อนที่ยอดเยี่ยม วัสดุนี้ให้การกระจายความร้อนที่สม่ำเสมอในระหว่างกระบวนการ MOCVD ซึ่งมีความสำคัญอย่างยิ่งต่อการเติบโตที่สม่ำเสมอของชั้นเยื่อบุผิวบนเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ ค่าการนำความร้อนสูงช่วยให้มั่นใจได้ว่าซับสเตรตเวเฟอร์ได้รับความร้อนอย่างสม่ำเสมอ ลดการไล่ระดับของอุณหภูมิ และเพิ่มคุณภาพของชั้นที่สะสมตัว ส่งผลให้มีความสม่ำเสมอดีขึ้น คุณสมบัติของวัสดุดีขึ้น และผลผลิตโดยรวมสูงขึ้น

2. การเคลือบ SiCเพื่อความทนทานที่เพิ่มขึ้น

การเคลือบ SiC มอบโซลูชันที่แข็งแกร่งสำหรับการสึกหรอและการเสื่อมสภาพของตัวรับกราไฟท์ในระหว่างกระบวนการ MOCVD สารเคลือบมีความต้านทานสูงต่อการกัดกร่อนจากสารตั้งต้นของโลหะ-อินทรีย์ที่ใช้ในกระบวนการสะสม ซึ่งช่วยยืดอายุของตัวรับได้อย่างมาก นอกจากนี้ ชั้น SiC ยังป้องกันฝุ่นกราไฟท์จากการปนเปื้อนในเวเฟอร์ ซึ่งเป็นปัจจัยสำคัญในการรับประกันความสมบูรณ์และความบริสุทธิ์ของชั้นอีปิแอกเชียล

การเคลือบยังช่วยเพิ่มความแข็งแรงเชิงกลโดยรวมของตัวรับ ทำให้ทนทานต่ออุณหภูมิสูง การหมุนเวียนของความร้อน และความเค้นเชิงกลที่พบได้ทั่วไปในกระบวนการ MOCVD ได้ดียิ่งขึ้น ส่งผลให้มีอายุการใช้งานยาวนานขึ้นและลดต้นทุนการบำรุงรักษา

3. จุดหลอมเหลวสูงและความต้านทานการเกิดออกซิเดชัน

การเคลือบ SiC Pancake Susceptor ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมให้ทำงานภายใต้อุณหภูมิที่สูงมาก โดยการเคลือบ SiC ช่วยให้มั่นใจได้ถึงความต้านทานต่อการเกิดออกซิเดชันและการกัดกร่อนที่อุณหภูมิสูง จุดหลอมเหลวที่สูงของสารเคลือบช่วยให้ตัวรับสามารถทนต่ออุณหภูมิที่สูงขึ้นตามปกติในเครื่องปฏิกรณ์ MOCVD โดยไม่ทำให้คุณภาพลดลงหรือสูญเสียความสมบูรณ์ของโครงสร้าง คุณสมบัตินี้มีความสำคัญอย่างยิ่งในการรับประกันความน่าเชื่อถือในระยะยาวในสภาพแวดล้อมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ที่มีปริมาณงานสูง

4. ความเรียบของพื้นผิวที่ดีเยี่ยม

ความเรียบของพื้นผิวของ SiC Coating Pancake Susceptor มีความสำคัญอย่างยิ่งต่อการวางตำแหน่งที่เหมาะสมและการให้ความร้อนที่สม่ำเสมอของเวเฟอร์ในระหว่างกระบวนการขยายส่วนเยื่อบุผิว การเคลือบให้พื้นผิวที่เรียบและเรียบเพื่อให้แน่ใจว่าแผ่นเวเฟอร์จะยึดเข้าที่อย่างสม่ำเสมอ หลีกเลี่ยงความไม่สอดคล้องกันในกระบวนการสะสม ความเรียบในระดับสูงนี้มีความสำคัญอย่างยิ่งต่อการเติบโตของอุปกรณ์ที่มีความแม่นยำสูง เช่น LED และเซมิคอนดักเตอร์กำลัง ซึ่งความสม่ำเสมอถือเป็นสิ่งสำคัญสำหรับประสิทธิภาพของอุปกรณ์

5. ความแข็งแรงของพันธะสูงและความเข้ากันได้ทางความร้อน

ความแข็งแรงพันธะระหว่างการเคลือบ SiC และซับสเตรตกราไฟท์ได้รับการปรับปรุงโดยความเข้ากันได้ทางความร้อนของวัสดุ ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อนของทั้งชั้น SiC และฐานกราไฟท์มีความสอดคล้องกัน ซึ่งช่วยลดความเสี่ยงของการแตกร้าวหรือการหลุดล่อนภายใต้วงจรของอุณหภูมิ คุณสมบัตินี้มีความจำเป็นสำหรับการรักษาความสมบูรณ์ของโครงสร้างของตัวรับในระหว่างรอบการให้ความร้อนและความเย็นซ้ำๆ ในกระบวนการ MOCVD

6. ปรับแต่งการใช้งานต่างๆ ได้

Semicorex เข้าใจความต้องการที่หลากหลายของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ และ SiC Coating Pancake Susceptor สามารถปรับแต่งให้ตรงตามข้อกำหนดกระบวนการเฉพาะได้ ไม่ว่าจะใช้ในการผลิต LED การผลิตอุปกรณ์ไฟฟ้า หรือการผลิตส่วนประกอบ RF ซัเซปเตอร์สามารถปรับแต่งให้เหมาะกับขนาดเวเฟอร์ รูปร่าง และข้อกำหนดด้านความร้อนที่แตกต่างกันได้ ความยืดหยุ่นนี้ทำให้มั่นใจได้ว่า SiC Coating Pancake Susceptor เหมาะสำหรับการใช้งานที่หลากหลายในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์

การประยุกต์ใช้ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์

การเคลือบ SiC Pancake Susceptor ใช้เป็นหลักในระบบ MOCVD ซึ่งเป็นเทคโนโลยีที่สำคัญสำหรับการเติบโตของชั้นเอปิแอกเชียลคุณภาพสูง ตัวรับรองรับซับสเตรตเซมิคอนดักเตอร์หลายชนิด รวมถึงแซฟไฟร์ ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) และ GaN ที่ใช้สำหรับการผลิตอุปกรณ์ เช่น LED อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์กำลัง และอุปกรณ์ RF การจัดการระบายความร้อนที่เหนือกว่าและความทนทานของ SiC Coating Pancake Susceptor ช่วยให้มั่นใจได้ว่าอุปกรณ์เหล่านี้ผลิตขึ้นเพื่อตอบสนองความต้องการด้านประสิทธิภาพที่ต้องการของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่

ในการผลิต LED นั้น SiC Coating Pancake Susceptor ใช้ในการขยายชั้น GaN บนซับสเตรตแซฟไฟร์ ซึ่งมีค่าการนำความร้อนสูงทำให้มั่นใจได้ว่าชั้นเอพิแทกเซียลมีความสม่ำเสมอและปราศจากข้อบกพร่อง สำหรับอุปกรณ์ไฟฟ้า เช่น MOSFET และ SBD ซัสเซปเตอร์มีบทบาทสำคัญในการเติบโตของชั้น epitaxis ของ SiC ซึ่งจำเป็นสำหรับการจัดการกระแสและแรงดันไฟฟ้าสูง ในทำนองเดียวกัน ในการผลิตอุปกรณ์ RF ตัวรับแพนเค้กเคลือบ SiC รองรับการเติบโตของชั้น GaN บนซับสเตรต SiC กึ่งฉนวน ช่วยให้สามารถผลิต HEMT ที่ใช้ในระบบการสื่อสารได้

การเลือก Semicorex สำหรับ SiC Coating Pancake Susceptor ของคุณ ทำให้มั่นใจได้ว่าคุณจะได้รับผลิตภัณฑ์ที่ไม่เพียงแต่ตรงตามมาตรฐานแต่เกินมาตรฐานอุตสาหกรรมในด้านคุณภาพ ประสิทธิภาพ และความทนทาน ด้วยการมุ่งเน้นไปที่วิศวกรรมที่มีความแม่นยำ การเลือกใช้วัสดุที่เหนือกว่า และความสามารถในการปรับแต่งได้ ผลิตภัณฑ์ของ Semicorex ได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ประสิทธิภาพสูงสุดในระบบ MOCVD ตัวรับของเราช่วยปรับปรุงกระบวนการผลิตของคุณ ทำให้มั่นใจได้ว่าชั้นเอพิเทเชียลมีคุณภาพสูงและลดเวลาหยุดทำงานให้เหลือน้อยที่สุด ด้วย Semicorex คุณจะได้รับพันธมิตรที่เชื่อถือได้ซึ่งมุ่งมั่นสู่ความสำเร็จในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์