เครื่องทำความร้อนสำหรับกระบวนการเวเฟอร์

Semicorex Wafer Process Heater ผลิตขึ้นจากกราไฟต์เคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) การเคลือบผิวถูกนำไปใช้โดยวิธี CVD กับกราไฟต์ความหนาแน่นสูงเกรดเฉพาะ ดังนั้นจึงสามารถทำงานในเตาเผาอุณหภูมิสูงที่มีอุณหภูมิสูงกว่า 3,000 °C ในบรรยากาศเฉื่อย 2200°C ในสุญญากาศ
คุณสมบัติพิเศษและมวลที่ต่ำของวัสดุ Wafer Process Heater ทำให้ได้อัตราการทำความร้อนที่รวดเร็ว การกระจายอุณหภูมิที่สม่ำเสมอ และความแม่นยำที่โดดเด่นในการควบคุม เมื่อเทียบกับวัสดุอื่นๆ พื้นผิวของซิลิกอนคาร์ไบด์ยังคงเรียบเนื่องจากการขยายตัวทางความร้อนที่ต่ำ แม้ว่าจะดำเนินการในอุณหภูมิที่เปลี่ยนแปลงอย่างรวดเร็ว จานร้อนเหมาะมากสำหรับกระบวนการที่ต้องการในระบบการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์
ที่ Semicorex เรามุ่งเน้นที่การจัดหาผลิตภัณฑ์คุณภาพสูงและคุ้มค่าแก่ลูกค้าของเรา Wafer Process Heater ของเรามีข้อได้เปรียบด้านราคาและส่งออกไปยังตลาดยุโรปและอเมริกาหลายแห่ง เรามุ่งมั่นที่จะเป็นพันธมิตรระยะยาวของคุณ นำเสนอผลิตภัณฑ์ที่มีคุณภาพสม่ำเสมอและการบริการลูกค้าที่ยอดเยี่ยม

พารามิเตอร์ของเครื่องทำความร้อนสำหรับกระบวนการเวเฟอร์

คุณสมบัติของฮีตเตอร์กระบวนการเวเฟอร์

- การเคลือบ CVD SiC เพื่อปรับปรุงอายุการใช้งาน
- ทนต่ออุณหภูมิสูง, ทนต่อการกัดกร่อน, อายุการใช้งานยาวนาน, สามารถปรับปรุงคุณภาพเวเฟอร์และผลผลิต
- มีค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนที่ต่ำมาก ทนต่ออุณหภูมิสูง ทนต่อการสึกหรอสูง เป็นฉนวนที่ดี มีความคงตัวทางเคมีที่ดี และแสงทะลุผ่านที่มองเห็นได้ใกล้เคียงกับสีม่วง (แดง)

เราสามารถจัดหาสารต้านออกซิเดชันและเบ้าหลอมกราไฟต์ที่มีอายุการใช้งานยาวนาน แม่พิมพ์กราไฟต์ และทุกส่วนของเครื่องทำความร้อนกราไฟต์