เวเฟอร์ SiC ชนิด N ขนาด 6 นิ้ว

Semicorex มีเวเฟอร์ SiC 4H และ 6H หลากหลายประเภท เราเป็นผู้ผลิตและจัดจำหน่ายเวเฟอร์มาหลายปีแล้ว เวเฟอร์ SiC ชนิด N ขัดสองชั้นขนาด 6 นิ้วของเรามีข้อได้เปรียบด้านราคาที่ดีและครอบคลุมตลาดส่วนใหญ่ในยุโรปและอเมริกา เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้เป็นพันธมิตรระยะยาวของคุณในประเทศจีน

ส่งคำถาม

รายละเอียดสินค้า

Semicorex มีกลุ่มผลิตภัณฑ์เวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ครบวงจร ซึ่งรวมถึงซับสเตรต 4H และ 6H ที่มีเวเฟอร์ชนิด N-type, P-type และกึ่งฉนวนที่มีความบริสุทธิ์สูง โดยอาจมีหรือไม่มีเอพิแทกซีก็ได้ วัสดุพิมพ์ SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) ชนิด N ขนาด 4 นิ้วของเราเป็นเวเฟอร์คุณภาพสูงประเภทหนึ่งที่ทำจากซิลิคอนคาร์ไบด์ผลึกเดี่ยวที่มีการเติมสารชนิด N ซึ่งได้รับการขัดเงาสองครั้ง

SiC Wafer ชนิด N ขนาด 6 นิ้วส่วนใหญ่จะใช้ในยานพาหนะพลังงานใหม่ ระบบส่งไฟฟ้าแรงสูงและสถานีย่อย สินค้าสีขาว รถไฟความเร็วสูง มอเตอร์ไฟฟ้า อินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ อุปกรณ์จ่ายไฟแบบพัลซิ่ง และสาขาอื่น ๆ ซึ่งมีข้อดีในการลดอุปกรณ์ การสูญเสียพลังงาน การปรับปรุงความน่าเชื่อถือของอุปกรณ์ ลดขนาดอุปกรณ์และปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์ และมีข้อได้เปรียบที่ไม่สามารถทดแทนได้ในการสร้างอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลัง

รายการ	การผลิต	วิจัย	หุ่นเชิด
พารามิเตอร์คริสตัล
โพลีไทป์	4ชม
ข้อผิดพลาดในการวางแนวพื้นผิว	<11-20 >4±0.15°
พารามิเตอร์ทางไฟฟ้า
สารเจือปน	ไนโตรเจนชนิด n
ความต้านทาน	0.015-0.025โอห์ม·ซม
พารามิเตอร์ทางกล
เส้นผ่านศูนย์กลาง	150.0±0.2มม
ความหนา	350±25 ไมโครเมตร
ปฐมนิเทศแนวราบ	[1-100]±5°
ความยาวแบนหลัก	47.5±1.5มม
แฟลตรอง	ไม่มี
ทีทีวี	≤5 ไมโครเมตร	≤10 ไมโครเมตร	≤15 ไมโครเมตร
LTV	≤3μm (5 มม. * 5 มม.)	≤5μm (5 มม. * 5 มม.)	≤10μm (5 มม. * 5 มม.)
โค้งคำนับ	-15ไมโครเมตร ~ 15ไมโครเมตร	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
วาร์ป	≤35 ไมโครเมตร	≤45 ไมโครเมตร	≤55 ไมโครเมตร
ความหยาบด้านหน้า (Si-face) (AFM)	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
โครงสร้าง
ความหนาแน่นของไมโครไพพ์	<1 ตัว/cm2	<10 ตัว/ซม.2	<15 ตัว/ซม.2
สิ่งเจือปนของโลหะ	≤5E10อะตอม/ซม.2		ที่
บีพีดี	≤1500 ตัว/cm2	≤3000ตัว/cm2	ที่
ศูนย์รับฝาก	≤500 ตัว/cm2	≤1,000 ตัว/cm2	ที่
คุณภาพด้านหน้า
ด้านหน้า	และ
การตกแต่งพื้นผิว	ซี-เฟซ ซีเอ็มพี
อนุภาค	≤60ea/เวเฟอร์ (ขนาด≥0.3μm)	ที่
รอยขีดข่วน	≤5ea/มม. ความยาวสะสม ≤เส้นผ่านศูนย์กลาง	ความยาวสะสม≤2*เส้นผ่านศูนย์กลาง	ที่
เปลือกส้ม/หลุม/คราบ/ริ้ว/รอยแตก/การปนเปื้อน	ไม่มี		ที่
เศษขอบ/รอยเยื้อง/รอยแตก/แผ่นฐานสิบหก	ไม่มี
พื้นที่โพลีไทป์	ไม่มี	พื้นที่สะสม≤20%	พื้นที่สะสม≤30%
เลเซอร์มาร์กด้านหน้า	ไม่มี
คุณภาพกลับ
ด้านหลังเสร็จสิ้น	CMP หน้าซี
รอยขีดข่วน	≤5ea/mm ความยาวสะสม≤2*เส้นผ่านศูนย์กลาง	ที่
ข้อบกพร่องด้านหลัง (รอยบิ่น/รอยเยื้อง)	ไม่มี
กลับหยาบกร้าน	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
การมาร์กด้วยเลเซอร์ด้านหลัง	1 มม. (จากขอบด้านบน)
ขอบ
ขอบ	แชมเฟอร์
บรรจุภัณฑ์
บรรจุภัณฑ์	พร้อม Epi พร้อมบรรจุภัณฑ์สูญญากาศ บรรจุภัณฑ์คาสเซ็ตต์แบบหลายเวเฟอร์
*หมายเหตุ： "NA" หมายถึงไม่มีการร้องขอ รายการที่ไม่ได้กล่าวถึงอาจหมายถึง SEMI-STD