เรือเวเฟอร์ Epitaxis

Semicorex มีเรือเวเฟอร์ แท่น และตัวพาเวเฟอร์แบบกำหนดเองสำหรับการกำหนดค่าทั้งแนวตั้ง / คอลัมน์และแนวนอน เราเป็นผู้ผลิตและจำหน่ายฟิล์มเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์มาหลายปี เรือเวเฟอร์อีพิเทเชียลของเรามีความได้เปรียบด้านราคาที่ดีและครอบคลุมตลาดส่วนใหญ่ในยุโรปและอเมริกา เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้เป็นพันธมิตรระยะยาวของคุณในประเทศจีน

ส่งคำถาม

รายละเอียดสินค้า

เรือเวเฟอร์ Semicorex Epitaxial โซลูชั่นที่สมบูรณ์แบบสำหรับการประมวลผลเวเฟอร์ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ เรือเวเฟอร์อีปิแอกเชียลของเราผลิตจากเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) คุณภาพสูงที่ให้ความทนทานต่ออุณหภูมิสูงและการกัดกร่อนของสารเคมีได้เหนือกว่า
เรือเวเฟอร์ซิลิกอนคาร์ไบด์ Epitaxial ของเรามีพื้นผิวเรียบที่ช่วยลดการสร้างอนุภาค ทำให้มั่นใจได้ถึงความบริสุทธิ์ระดับสูงสุดสำหรับผลิตภัณฑ์ของคุณ ด้วยการนำความร้อนที่ดีเยี่ยมและความแข็งแรงเชิงกลที่เหนือกว่า เรือของเราจึงให้ผลลัพธ์ที่สม่ำเสมอและเชื่อถือได้
เรือเวเฟอร์อีปิแอกเชียลของเราเข้ากันได้กับอุปกรณ์แปรรูปเวเฟอร์มาตรฐานทั้งหมด และสามารถทนต่ออุณหภูมิได้สูงถึง 1600°C ง่ายต่อการจัดการและทำความสะอาด ทำให้เป็นตัวเลือกที่คุ้มค่าและมีประสิทธิภาพสำหรับความต้องการในการผลิตของคุณ
ทีมผู้เชี่ยวชาญของเรามุ่งมั่นที่จะมอบคุณภาพและบริการที่ดีที่สุด เรานำเสนอการออกแบบที่กำหนดเองเพื่อตอบสนองความต้องการเฉพาะของคุณ และผลิตภัณฑ์ของเราได้รับการสนับสนุนจากโปรแกรมการประกันคุณภาพของเรา

พารามิเตอร์ของเรือเวเฟอร์ Epitaxis

คุณสมบัติทางเทคนิค
ดัชนี	หน่วย	ค่า
ชื่อวัสดุ		ปฏิกิริยาซินเทอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์	ซิลิคอนคาร์ไบด์เผาผนึกไร้แรงดัน	ซิลิคอนคาร์ไบด์ตกผลึกใหม่
องค์ประกอบ		อาร์บีซีซี	สสส	R-SiC
ความหนาแน่นเป็นกลุ่ม	กรัม/ซม3	3	3.15 ± 0.03	2.60-2.70
ความแข็งแรงของแรงดัดงอ	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°ซ) 90-100(1,400°ซ)
แรงอัด	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
ความแข็ง	ปุ่ม	2700	2800	/
ทำลายความดื้อรั้น	เมกะปาสคาล ม1/2	4.5	4	/
การนำความร้อน	W/m.k	95	120	23
ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อน	10^-6.1/°ซ	5	4	4.7
ความร้อนจำเพาะ	จูล/กรัม 0k	0.8	0.67	/
อุณหภูมิสูงสุดในอากาศ	℃	1200	1500	1600
โมดูลัสยืดหยุ่น	เกรดเฉลี่ย	360	410	240

ความแตกต่างระหว่าง SSiC และ RBSiC:

1. กระบวนการเผาผนึกแตกต่างกัน RBSiC คือการแทรกซึม Si อิสระเข้าไปในซิลิคอนคาร์ไบด์ที่อุณหภูมิต่ำ SSiC เกิดจากการหดตัวตามธรรมชาติที่อุณหภูมิ 2100 องศา

2. SSiC มีพื้นผิวที่เรียบกว่า มีความหนาแน่นสูงกว่าและมีความแข็งแรงสูงกว่า สำหรับการปิดผนึกบางอย่างที่มีข้อกำหนดพื้นผิวที่เข้มงวดมากขึ้น SSiC จะดีกว่า

3. เวลาใช้งานที่แตกต่างกันภายใต้ค่า PH และอุณหภูมิที่แตกต่างกัน SSiC จะนานกว่า RBSiC

คุณสมบัติของเรือเวเฟอร์ Epitaxis ซิลิคอนคาร์ไบด์

SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูงเคลือบโดย MOCVD
ทนความร้อนได้เหนือกว่าและความสม่ำเสมอทางความร้อน
เคลือบคริสตัล SiC ละเอียดเพื่อพื้นผิวเรียบ
มีความทนทานสูงต่อการทำความสะอาดด้วยสารเคมี
วัสดุได้รับการออกแบบเพื่อไม่ให้เกิดรอยแตกร้าวและการหลุดร่อน