ผู้ให้บริการเวเฟอร์แกะสลัก

Semicorex Etching Wafer Carrier เป็นแพลตฟอร์มสนับสนุนพื้นผิวที่มีประสิทธิภาพสูงที่ออกแบบมาสำหรับกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์โดยเฉพาะสำหรับแอปพลิเคชันการแกะสลักเวเฟอร์ ออกแบบด้วยฐานกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูงและเคลือบด้วยการสะสมไอสารเคมี (CVD) ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SIC) ผู้ให้บริการเวเฟอร์นี้ให้ความต้านทานทางเคมีที่ยอดเยี่ยมความเสถียรทางความร้อนและความทนทานเชิงกลทำให้มั่นใจได้ว่าประสิทธิภาพที่ดีที่สุดในสภาพแวดล้อมการแกะสลักที่มีความแม่นยำสูง

ผู้ให้บริการเวเฟอร์แกะสลักถูกเคลือบด้วยชั้น CVD SIC ที่สม่ำเสมอซึ่งช่วยเพิ่มความต้านทานทางเคมีอย่างมีนัยสำคัญต่อพลาสมาก้าวร้าวและก๊าซกัดกร่อนที่ใช้ในกระบวนการกัด CVD เป็นเทคโนโลยีหลักในการเตรียมการเคลือบ SIC บนพื้นผิวพื้นผิวในปัจจุบัน กระบวนการหลักคือวัตถุดิบของสารทำปฏิกิริยาเฟสก๊าซได้รับการตอบสนองต่อปฏิกิริยาทางกายภาพและทางเคมีบนพื้นผิวพื้นผิวและในที่สุดก็สะสมบนพื้นผิวพื้นผิวเพื่อเตรียมการเคลือบ SIC การเคลือบ SIC ที่จัดทำโดยเทคโนโลยี CVD นั้นถูกผูกมัดอย่างใกล้ชิดกับพื้นผิวพื้นผิวซึ่งสามารถปรับปรุงความต้านทานออกซิเดชันได้อย่างมีประสิทธิภาพและความต้านทานการระเหยของวัสดุพื้นผิว แต่เวลาการสะสมของวิธีนี้ยาวและก๊าซปฏิกิริยามีก๊าซพิษบางชนิด

CVD Silicon Carbideชิ้นส่วนมีการใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์การแกะสลักอุปกรณ์ MOCVD อุปกรณ์ Epitaxial และอุปกรณ์ epitaxial sic อุปกรณ์ประมวลผลความร้อนอย่างรวดเร็วและสาขาอื่น ๆ โดยรวมแล้วส่วนตลาดที่ใหญ่ที่สุดของชิ้นส่วนเคลือบผิวซิลิคอนคาร์ไบด์ CVD คืออุปกรณ์กัดและชิ้นส่วนอุปกรณ์ epitaxial เนื่องจากปฏิกิริยาต่ำและการนำไฟฟ้าของการเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ CVD ไปยังก๊าซแกะสลักที่มีคลอรีนและฟลูออรีนที่มีส่วนผสมจึงกลายเป็นวัสดุที่เหมาะสำหรับการโฟกัสแหวนและส่วนอื่น ๆ ของอุปกรณ์การแกะสลักพลาสมาส่วน CVD sicในอุปกรณ์แกะสลักรวมถึงวงแหวนโฟกัส, หัวฝักบัวแก๊สถาดแหวนขอบฯลฯ ลองใช้วงแหวนโฟกัสเป็นตัวอย่าง วงแหวนโฟกัสเป็นองค์ประกอบสำคัญที่วางอยู่นอกเวเฟอร์และติดต่อโดยตรงกับเวเฟอร์ แรงดันไฟฟ้าถูกนำไปใช้กับวงแหวนเพื่อมุ่งเน้นพลาสมาที่ผ่านแหวนจึงมุ่งเน้นพลาสมาบนเวเฟอร์เพื่อปรับปรุงการประมวลผลที่สม่ำเสมอ แหวนโฟกัสแบบดั้งเดิมทำจากซิลิคอนหรือควอตซ์ ด้วยความก้าวหน้าของการย่อขนาดวงจรแบบบูรณาการความต้องการและความสำคัญของกระบวนการแกะสลักในการผลิตวงจรแบบบูรณาการเพิ่มขึ้นและพลังงานและพลังงานของการแกะสลักพลาสมายังคงเพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่อง

การเคลือบ SIC ให้ความต้านทานที่เหนือกว่าต่อฟลูออรีนที่ใช้ (F₂) และคลอรีนที่ใช้ (CL₂) เคมีการแกะสลักในพลาสมาป้องกันการเสื่อมสภาพและรักษาความสมบูรณ์ของโครงสร้างมากกว่าการใช้งานเป็นเวลานาน ความทนทานทางเคมีนี้ช่วยให้มั่นใจถึงประสิทธิภาพที่สอดคล้องกันและลดความเสี่ยงต่อการปนเปื้อนในระหว่างการประมวลผลเวเฟอร์ ผู้ให้บริการเวเฟอร์สามารถปรับให้เหมาะกับขนาดเวเฟอร์ต่างๆ (เช่น 200 มม., 300 มม.) และข้อกำหนดของระบบการแกะสลักเฉพาะ การออกแบบสล็อตที่กำหนดเองและรูปแบบหลุมมีให้เพื่อการวางตำแหน่งเวเฟอร์การควบคุมการไหลของก๊าซและประสิทธิภาพของกระบวนการ

แอปพลิเคชันและผลประโยชน์

ผู้ให้บริการเวเฟอร์การแกะสลักส่วนใหญ่ใช้ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์สำหรับกระบวนการกัดแห้งรวมถึงการแกะสลักพลาสมา (PE), การแกะสลักไอออนปฏิกิริยา (RIE) และการกัดไอออนปฏิกิริยาลึก (DRIE) มันถูกนำมาใช้อย่างกว้างขวางในการผลิตวงจรรวม (ICS), อุปกรณ์ MEMS, อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์พลังงานและเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์แบบผสม การเคลือบ SIC ที่แข็งแกร่งช่วยให้มั่นใจได้ว่าผลลัพธ์การแกะสลักอย่างสม่ำเสมอโดยการป้องกันการย่อยสลายของวัสดุ การรวมกันของกราไฟท์และ SIC ให้ความทนทานในระยะยาวลดการบำรุงรักษาและต้นทุนทดแทน พื้นผิว SIC ที่ราบรื่นและหนาแน่นช่วยลดการสร้างอนุภาคทำให้มั่นใจได้ว่าผลผลิตเวเฟอร์สูงและประสิทธิภาพของอุปกรณ์ที่เหนือกว่า ความต้านทานที่ยอดเยี่ยมต่อสภาพแวดล้อมการแกะสลักที่รุนแรงช่วยลดความจำเป็นในการเปลี่ยนบ่อยครั้งปรับปรุงประสิทธิภาพการผลิต