แผ่นพาหะแกะสลัก ICP

ICP Etching Carrier Plate ของ Semicorex เป็นโซลูชั่นที่สมบูรณ์แบบสำหรับการจัดการแผ่นเวเฟอร์และกระบวนการสะสมฟิล์มบางที่มีความต้องการสูง ผลิตภัณฑ์ของเราให้ความร้อนและการกัดกร่อนที่เหนือกว่า ความสม่ำเสมอของความร้อน และรูปแบบการไหลของก๊าซแบบลามิเนต ด้วยพื้นผิวที่สะอาดและเรียบเนียน ถาดใส่ของเราจึงเหมาะอย่างยิ่งสำหรับการจัดการเวเฟอร์ที่ใสสะอาด

ส่งคำถาม

รายละเอียดสินค้า

ICP Etching Carrier Plate ของ Semicorex ให้ความทนทานและอายุการใช้งานที่ยาวนานเป็นเลิศสำหรับการจัดการแผ่นเวเฟอร์และกระบวนการสะสมฟิล์มบาง ผลิตภัณฑ์ของเรามีความต้านทานความร้อนและการกัดกร่อนที่เหนือกว่า ความสม่ำเสมอของความร้อน และรูปแบบการไหลของก๊าซแบบลามิเนต ด้วยพื้นผิวที่สะอาดและเรียบเนียน ผู้ให้บริการของเราจึงรับประกันการจัดการเวเฟอร์ที่บริสุทธิ์อย่างเหมาะสมที่สุด ขจัดอุณหภูมิสูง การทำความสะอาดด้วยสารเคมี และความสม่ำเสมอทางความร้อนสูง
ติดต่อเราวันนี้เพื่อเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ ICP Etching Carrier Plate

พารามิเตอร์ของ ICP Etching Carrier Plate

ข้อมูลจำเพาะหลักของการเคลือบ CVD-SIC
คุณสมบัติ SiC-CVD
โครงสร้างคริสตัล	เฟส FCC β
ความหนาแน่น	กรัม/ซม. ³	3.21
ความแข็ง	ความแข็งของวิคเกอร์	2500
ขนาดเกรน	ไมโครเมตร	2~10
ความบริสุทธิ์ของสารเคมี	%	99.99995
ความจุความร้อน	เจ กก-1 K-1	640
อุณหภูมิระเหิด	℃	2700
ความแข็งแกร่งของเฟล็กซ์เจอร์	MPa (RT 4 จุด)	415
โมดูลัสของยัง	เกรดเฉลี่ย (โค้ง 4 พอยต์, 1300°C)	430
การขยายความร้อน (C.T.E)	10-6K-1	4.5
การนำความร้อน	(W/mK)	300