ตัวยึดเวเฟอร์แกะสลัก ICP

ตัวจับยึดเวเฟอร์กัดกรด ICP ของ Semicorex เป็นโซลูชันที่สมบูรณ์แบบสำหรับกระบวนการจัดการเวเฟอร์ที่มีอุณหภูมิสูง เช่น เอพิแทกซีและ MOCVD ด้วยความต้านทานต่อออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูงและเสถียรถึง 1600°C ตัวพาของเราจึงรับประกันโปรไฟล์ความร้อน รูปแบบการไหลของก๊าซแบบลามินาร์ และป้องกันการปนเปื้อนหรือการแพร่กระจายของสิ่งเจือปน

ส่งคำถาม

รายละเอียดสินค้า

กำลังมองหาซัพพลายเออร์ผู้ให้บริการเวเฟอร์ที่เชื่อถือได้สำหรับอุปกรณ์ epitaxy ของคุณหรือไม่? มองไม่ไกลกว่า Semicorex หัวจับเวเฟอร์กัดกรด ICP ของเราได้รับการออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับสภาพแวดล้อมการทำความสะอาดที่มีอุณหภูมิสูงและรุนแรงด้วยสารเคมี ด้วยการเคลือบคริสตัล SiC อย่างดี ตัวพาของเราจึงต้านทานความร้อนได้เหนือกว่า ความสม่ำเสมอของความร้อน และทนทานต่อสารเคมีที่ทนทาน
ตัวยึดเวเฟอร์ ICP Etching ของเราได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ได้รูปแบบการไหลของก๊าซแบบลามิเนตที่ดีที่สุด เพื่อให้มั่นใจว่าโปรไฟล์ความร้อนมีความสม่ำเสมอ ซึ่งจะช่วยป้องกันการปนเปื้อนหรือการแพร่กระจายของสิ่งเจือปน ทำให้มั่นใจได้ว่าชิปเวเฟอร์จะเติบโตแบบเอพิแทกเซียลคุณภาพสูง
ติดต่อเราวันนี้เพื่อเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ ICP Etching Wafer Holder

พารามิเตอร์ของ ICP Etching Wafer Holder

ข้อมูลจำเพาะหลักของการเคลือบ CVD-SIC
คุณสมบัติ SiC-CVD
โครงสร้างคริสตัล	เฟส FCC β
ความหนาแน่น	กรัม/ซม. ³	3.21
ความแข็ง	ความแข็งของวิคเกอร์	2500
ขนาดเกรน	ไมโครเมตร	2~10
ความบริสุทธิ์ของสารเคมี	%	99.99995
ความจุความร้อน	เจ กก-1 K-1	640
อุณหภูมิระเหิด	℃	2700
ความแข็งแกร่งของเฟล็กซ์เจอร์	MPa (RT 4 จุด)	415
โมดูลัสของยัง	เกรดเฉลี่ย (โค้ง 4 พอยต์, 1300°C)	430
การขยายความร้อน (C.T.E)	10-6K-1	4.5
การนำความร้อน	(W/mK)	300