ถาดแกะสลักพลาสม่า ICP

ถาดแกะสลักพลาสม่า ICP ของ Semicorex ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมโดยเฉพาะสำหรับกระบวนการจัดการแผ่นเวเฟอร์ที่มีอุณหภูมิสูง เช่น epitaxy และ MOCVD ด้วยความต้านทานต่อออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูงและเสถียรสูงถึง 1600°C ตัวพาของเราให้โปรไฟล์ความร้อน รูปแบบการไหลของก๊าซแบบลามิเนต และป้องกันการปนเปื้อนหรือการแพร่กระจายของสิ่งเจือปน

ส่งคำถาม

รายละเอียดสินค้า

ถาดแกะสลักพลาสม่า ICP ของเราเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์โดยใช้วิธี CVD ซึ่งเป็นโซลูชั่นที่ดีเยี่ยมสำหรับกระบวนการจัดการแผ่นเวเฟอร์ที่ต้องใช้อุณหภูมิสูงและการทำความสะอาดด้วยสารเคมีที่รุนแรง ตัวพาของ Semicorex มีการเคลือบคริสตัล SiC ละเอียดที่ให้โปรไฟล์ความร้อน รูปแบบการไหลของก๊าซแบบลามินาร์ และป้องกันการปนเปื้อนหรือการแพร่กระจายของสิ่งเจือปน
ที่ Semicorex เรามุ่งเน้นในการนำเสนอผลิตภัณฑ์คุณภาพสูงและคุ้มค่าแก่ลูกค้าของเรา ถาดแกะสลักพลาสม่า ICP ของเรามีข้อได้เปรียบด้านราคาและมีการส่งออกไปยังตลาดยุโรปและอเมริกาหลายแห่ง เรามุ่งมั่นที่จะเป็นพันธมิตรระยะยาวของคุณ นำเสนอผลิตภัณฑ์ที่มีคุณภาพสม่ำเสมอและการบริการลูกค้าที่เป็นเลิศ
ติดต่อเราวันนี้เพื่อเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับถาดแกะสลักพลาสม่า ICP ของเรา

พารามิเตอร์ของถาดแกะสลักพลาสม่า ICP

ข้อมูลจำเพาะหลักของการเคลือบ CVD-SIC
คุณสมบัติ SiC-CVD
โครงสร้างคริสตัล	เฟส FCC β
ความหนาแน่น	กรัม/ซม. ³	3.21
ความแข็ง	ความแข็งของวิคเกอร์	2500
ขนาดเกรน	ไมโครเมตร	2~10
ความบริสุทธิ์ของสารเคมี	%	99.99995
ความจุความร้อน	เจ กก-1 K-1	640
อุณหภูมิระเหิด	℃	2700
ความแข็งแกร่งของเฟล็กซ์เจอร์	MPa (RT 4 จุด)	415
โมดูลัสของยัง	เกรดเฉลี่ย (โค้ง 4 พอยต์, 1300°C)	430
การขยายความร้อน (C.T.E)	10-6K-1	4.5
การนำความร้อน	(W/mK)	300