เป้าหมายระนาบซิลิคอน Monocrystalline

ซิลิคอนโมโนคริสตัลไลน์เป้าหมายในระนาบมักได้รับการประมวลผลโดยอุปกรณ์ตัดที่มีความแม่นยำสูงจากแท่งซิลิคอนโมโนคริสตัลไลน์ที่ประดิษฐ์โดยวิธี Czochralski เพื่อตอบสนองความต้องการของลูกค้าที่หลากหลาย คุณสามารถตัดเป้าหมายระนาบซิลิคอนโมโนคริสตัลไลน์ให้เป็นรูปทรงที่ต้องการสำหรับลูกค้าที่นับถือของคุณได้ เทคโนโลยีการประมวลผลการเจียรและขัดเงาที่แม่นยำช่วยให้มั่นใจได้ถึงความเรียบของพื้นผิวที่ยอดเยี่ยมของวัสดุเป้าหมาย ซึ่งรับประกันการสะสมตัวของฟิล์มบางที่แข็งแกร่ง

วางเป้าหมายระนาบซิลิคอนโมโนคริสตัลไลน์ไว้ด้านในในห้องปฏิกิริยาสุญญากาศพร้อมกับซับสเตรตที่จะเคลือบในระหว่างกระบวนการสะสมฟิล์ม เมื่อเป้าหมายระนาบซิลิคอนโมโนคริสตัลไลน์ถูกถล่มด้วยไอออนพลังงานสูง อะตอมของซิลิคอนบนพื้นผิวจะถูกสปัตเตอร์ออกไป อะตอมของซิลิคอนที่สปัตเตอร์เหล่านี้จะเคลื่อนตัวและเกาะตัวบนพื้นผิวของสารตั้งต้น และก่อตัวเป็นฟิล์มบางของซิลิคอนในที่สุด

เป้าหมายระนาบซิลิคอนโมโนคริสตัลไลน์ทำหน้าที่เป็นแหล่งวัสดุสำหรับการสะสมของฟิล์มบาง อะตอมของซิลิคอนทั้งหมดที่สะสมอยู่บนพื้นผิวเวเฟอร์นั้นมาจากเป้าหมายระนาบซิลิคอนแบบโมโนคริสตัลไลน์ ดังนั้นคุณภาพของเป้าหมายระนาบซิลิคอนโมโนคริสตัลไลน์จะเป็นตัวกำหนดความบริสุทธิ์ ความสม่ำเสมอ และคุณสมบัติหลักอื่นๆ ของฟิล์มบางที่สะสมโดยตรง

คุณลักษณะความบริสุทธิ์ที่ยอดเยี่ยมช่วยให้เป้าหมายระนาบซิลิคอนโมโนคริสตัลไลน์มีความสามารถในการป้องกันไม่ให้สิ่งเจือปนปนเปื้อนฟิล์มบาง สิ่งนี้ช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพทางไฟฟ้าของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ได้อย่างมาก การปรับปรุงความสม่ำเสมอและการยึดเกาะของฟิล์มบางจะได้รับประโยชน์จากโครงสร้างผลึกที่มีลำดับสูง ซึ่งช่วยให้อนุภาคสปัตเตอร์เคลื่อนตัวและสะสมบนพื้นผิวเวเฟอร์ได้สม่ำเสมอมากขึ้น การออกแบบโครงสร้างระนาบเหมาะสำหรับความต้องการสปัตเตอร์ในพื้นที่ขนาดใหญ่และความเร็วสูง และใช้ได้กับสถานการณ์การผลิตขนาดใหญ่ เช่น เวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์และแผงจอแสดงผล