สินค้า

ตัวพาการเคลือบ SiC Semicorex RTP/RTA ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมให้ทนทานต่อสภาวะที่ยากลำบากที่สุดของสภาพแวดล้อมการสะสม ด้วยความต้านทานความร้อนและการกัดกร่อนสูง ผลิตภัณฑ์นี้ได้รับการออกแบบเพื่อให้มีประสิทธิภาพสูงสุดสำหรับการเจริญเติบโตของเยื่อบุผิว ตัวพาเคลือบ SiC มีค่าการนำความร้อนสูงและคุณสมบัติการกระจายความร้อนที่ดีเยี่ยม ทำให้มั่นใจได้ถึงประสิทธิภาพที่เชื่อถือได้สำหรับ RTA, RTP หรือการทำความสะอาดด้วยสารเคมีที่รุนแรง

แผ่นพาหะ RTP กราไฟท์ Semicorex SiC สำหรับ MOCVD มีความต้านทานความร้อนและความสม่ำเสมอทางความร้อนที่เหนือกว่า ทำให้เป็นโซลูชั่นที่สมบูรณ์แบบสำหรับการใช้งานในการประมวลผลแผ่นเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ ด้วยกราไฟท์เคลือบ SiC คุณภาพสูง ผลิตภัณฑ์นี้ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมให้ทนทานต่อสภาพแวดล้อมการสะสมที่รุนแรงที่สุดสำหรับการเจริญเติบโตของเยื่อบุผิว ค่าการนำความร้อนสูงและคุณสมบัติการกระจายความร้อนที่ดีเยี่ยมทำให้มั่นใจได้ถึงประสิทธิภาพที่เชื่อถือได้สำหรับการทำความสะอาด RTA, RTP หรือการทำความสะอาดด้วยสารเคมีที่รุนแรง

แผ่นพาหะ RTP เคลือบ Semicorex SiC สำหรับการเติบโตแบบอีปิแอกเซียลเป็นโซลูชั่นที่สมบูรณ์แบบสำหรับการใช้งานในการประมวลผลแผ่นเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ ด้วยตัวรับกราไฟท์คาร์บอนคุณภาพสูงและถ้วยใส่ตัวอย่างควอตซ์ที่ประมวลผลโดย MOCVD บนพื้นผิวของกราไฟท์ เซรามิก ฯลฯ ผลิตภัณฑ์นี้จึงเหมาะอย่างยิ่งสำหรับการจัดการแผ่นเวเฟอร์และการประมวลผลการเจริญเติบโตของเยื่อบุผิว ตัวพาเคลือบ SiC ช่วยให้มั่นใจได้ถึงการนำความร้อนสูงและคุณสมบัติการกระจายความร้อนที่ดีเยี่ยม ทำให้เป็นตัวเลือกที่เชื่อถือได้สำหรับการทำความสะอาด RTA, RTP หรือสารเคมีที่รุนแรง

Semicorex เป็นผู้ผลิตและซัพพลายเออร์ขนาดใหญ่ของตัวรับกราไฟท์เคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์ในประเทศจีน ตัวรับกราไฟท์ Semicorex ออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับอุปกรณ์ epitaxy ที่มีความต้านทานความร้อนและการกัดกร่อนสูงในประเทศจีน สารขนส่งเคลือบ SiC RTP RTA ของเรามีข้อได้เปรียบด้านราคาที่ดีและครอบคลุมตลาดยุโรปและอเมริกาหลายแห่ง เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้เป็นพันธมิตรระยะยาวของคุณ

Semicorex RTP Carrier สำหรับ MOCVD Epitax Growth เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานในการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์เวเฟอร์ รวมถึงการเติบโตในอีพิแทกเซียลและการประมวลผลการจัดการเวเฟอร์ ตัวรับกราไฟท์คาร์บอนและถ้วยใส่ตัวอย่างควอตซ์ได้รับการประมวลผลโดย MOCVD บนพื้นผิวของกราไฟท์ เซรามิก ฯลฯ ผลิตภัณฑ์ของเรามีข้อได้เปรียบด้านราคาที่ดีและครอบคลุมตลาดหลายแห่งในยุโรปและอเมริกา เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้เป็นพันธมิตรระยะยาวของคุณในประเทศจีน

ส่วนประกอบ ICP ที่เคลือบ SiC ของ Semicorex ได้รับการออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับกระบวนการจัดการเวเฟอร์ที่มีอุณหภูมิสูง เช่น epitaxy และ MOCVD ด้วยการเคลือบคริสตัล SiC อย่างดี ตัวพาของเราจึงต้านทานความร้อนได้เหนือกว่า ความสม่ำเสมอของความร้อน และทนทานต่อสารเคมีที่ทนทาน