สินค้า

Semicorex เป็นผู้ผลิตชั้นนำที่เป็นเจ้าของอิสระสำหรับกราไฟท์เคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์ กราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูงด้วยเครื่องจักรที่มีความแม่นยำ โดยมุ่งเน้นที่กราไฟท์เคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์ เซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ และ MOCVP ของการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ ตัวขนส่งเวเฟอร์ GaN-on-SiC Epitaxial ของเรามีข้อได้เปรียบด้านราคาที่ดีและครอบคลุมตลาดยุโรปและอเมริกาหลายแห่ง เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้เป็นพันธมิตรระยะยาวของคุณในประเทศจีน

Semicorex เป็นผู้ผลิตและซัพพลายเออร์ขนาดใหญ่ของตัวรับกราไฟท์เคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์ในประเทศจีน เรามุ่งเน้นไปที่อุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ เช่น ชั้นซิลิคอนคาร์ไบด์และเซมิคอนดักเตอร์เอพิแทกซี SiC Epi-Wafer Susceptor ของเรามีข้อได้เปรียบด้านราคาที่ดีและครอบคลุมตลาดยุโรปและอเมริกาหลายแห่ง เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้เป็นพันธมิตรระยะยาวของคุณ

ตัวพาเพลทเคลือบ Semicorex SiC สำหรับ MOCVD เป็นพาหะคุณภาพสูงที่ออกแบบมาเพื่อใช้ในกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ มีความบริสุทธิ์สูง ทนต่อการกัดกร่อนได้ดีเยี่ยม และแม้กระทั่งโปรไฟล์ด้านความร้อน ทำให้ผลิตภัณฑ์นี้เป็นตัวเลือกที่ยอดเยี่ยมสำหรับผู้ที่มองหาตัวพาที่สามารถทนต่อความต้องการของกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์

คุณสามารถมั่นใจได้ในการซื้อ SiC Coating Graphite Substrate Wafer Carriers สำหรับ MOCVD จากโรงงานของเรา ที่ Semicorex เราเป็นผู้ผลิตและซัพพลายเออร์ SiC Coated Graphite Susceptor ขนาดใหญ่ในประเทศจีน ผลิตภัณฑ์ของเรามีความได้เปรียบด้านราคาที่ดีและครอบคลุมตลาดยุโรปและอเมริกาหลายแห่ง เรามุ่งมั่นที่จะมอบผลิตภัณฑ์คุณภาพสูงที่ตรงตามความต้องการเฉพาะของลูกค้า ตัวพาเวเฟอร์พื้นผิวกราไฟท์เคลือบ SiC ของเราสำหรับ MOCVD เป็นตัวเลือกที่ยอดเยี่ยมสำหรับผู้ที่กำลังมองหาตัวพาประสิทธิภาพสูงสำหรับกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์

ตัวรับฐานกราไฟท์เคลือบ Semicorex SiC สำหรับ MOCVD เป็นตัวพาคุณภาพที่เหนือกว่าที่ใช้ในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ผลิตภัณฑ์ของเราได้รับการออกแบบด้วยซิลิกอนคาร์ไบด์คุณภาพสูงที่ให้ประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยมและความทนทานยาวนาน ตัวพานี้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับใช้ในกระบวนการขยายชั้นเอปิแทกเซียลบนชิปเวเฟอร์

Semicorex คือผู้ผลิตและซัพพลายเออร์ชั้นนำของ SiC Susceptor สำหรับ MOCVD ผลิตภัณฑ์ของเราได้รับการออกแบบมาเป็นพิเศษเพื่อตอบสนองความต้องการของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ในการขยายชั้นเอปิแทกเซียลบนชิปเวเฟอร์ ผลิตภัณฑ์ถูกใช้เป็นแผ่นตรงกลางใน MOCVD โดยมีการออกแบบรูปเฟืองหรือวงแหวน มีความต้านทานความร้อนและการกัดกร่อนสูง ทำให้เหมาะสำหรับใช้ในสภาพแวดล้อมที่รุนแรง