ตัวพาเพลตเคลือบ SiC สำหรับ MOCVD

ตัวพาแผ่นเคลือบ SiC ของเราสำหรับ MOCVD มีความบริสุทธิ์สูง ทำให้เป็นตัวเลือกที่ยอดเยี่ยมสำหรับผู้ที่กำลังมองหาตัวพาที่มีคุณสมบัติสม่ำเสมอและสม่ำเสมอสูง
ตัวพาแผ่นเคลือบ SiC ของเราสำหรับ MOCVD ผลิตจากซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีความบริสุทธิ์สูงบนกราไฟท์ ซึ่งทำให้ทนทานต่อการเกิดออกซิเดชันสูงที่อุณหภูมิสูงถึง 1600°C กระบวนการสะสมไอสารเคมี CVD ที่ใช้ในการผลิตทำให้มั่นใจได้ถึงความบริสุทธิ์สูงและทนต่อการกัดกร่อนได้ดีเยี่ยม มีความทนทานต่อการกัดกร่อนสูง โดยมีพื้นผิวหนาแน่นและอนุภาคละเอียด ทำให้ทนทานต่อกรด ด่าง เกลือ และรีเอเจนต์อินทรีย์ ความต้านทานต่อออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูงทำให้มั่นใจได้ถึงความเสถียรที่อุณหภูมิสูงถึง 1600°C

พารามิเตอร์ของตัวพาแผ่นเคลือบ SiC สำหรับ MOCVD

คุณลักษณะของตัวรับกราไฟท์เคลือบ SiC สำหรับ MOCVD

- หลีกเลี่ยงการลอกออกและเคลือบให้ทั่วทุกพื้นผิว
ทนต่อการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง: เสถียรที่อุณหภูมิสูงถึง 1600°C
ความบริสุทธิ์สูง: เกิดจากการสะสมไอสารเคมี CVD ภายใต้สภาวะคลอรีนที่อุณหภูมิสูง
ความต้านทานการกัดกร่อน: ความแข็งสูง พื้นผิวหนาแน่น และอนุภาคละเอียด
ความต้านทานการกัดกร่อน: กรด ด่าง เกลือ และรีเอเจนต์อินทรีย์
- บรรลุรูปแบบการไหลของก๊าซแบบลามินาร์ที่ดีที่สุด
- รับประกันความสม่ำเสมอของโปรไฟล์ความร้อน
- ป้องกันการปนเปื้อนหรือการแพร่กระจายของสิ่งสกปรก